藤原研究室 立命館大学 総合科学技術研究機構

menu

研究成果 2016年

論文・プロシーディングス

  1. B. Mitchell, D. Timmerman, J. Poplawsky, W. Zhu, D. Lee, R. Wakamatsu, J. Takatsu, M. Matsuda, W. Guo, K. Lorenz, E. Alves, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:
    “Utilization of native oxygen in Eu(RE)-doped GaN for enabling device compatibility in optoelectronic applications”
    Scientific Reports 6 (2016) pp. 8808/1-8.
    http://www.nature.com/articles/srep18808
  2. H. Taguchi, S. Miyake, A. Suzuki, S. Kamiyama, and Y. Fujiwara:
    “Evaluation of crystallinity of GaN epitaxial layer after wafer dicing process”
    Materials Science in Semiconductor Processing 41 (2016) pp. 89-91.
    http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800115301190
  3. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Trapping of injection charges in emission centers of GaN:Eu red LED characterized with 1/f noise involved in forward current”
    Japanese Journal of Applied Physics 55 (2016) pp. 015801/1-4.
    http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.55.015801
  4. J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak:
    “Study of defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE”
    Journal of Electronic Materials 45 (2016) pp. 2001-2007.
    http://link.springer.com/article/10.1007/s11664-016-4337-4
  5. T. Inaba, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Substantial enhancement of red emission intensity by embedding Eu-doped GaN into a microcavity”
    AIP Advances 6 (2016) pp. 045105/1-6.
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4946849
  6. W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Uedono, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Enhanced photo/electroluminescence properties of GaN:Eu through optimization of the growth conditions and defect environment”
    APL Materials 4 (2016) pp. 056103/1-7.
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4950826
  7. N. N. Ha, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:
    “Investigation of optical gain in Eu-doped GaN thin film grown by OMVPE method”
    Journal of Science: Advanced Materials and Devices 1 (2016) pp. 220-223.
    http://dx.doi.org/10.1016/j.jsamd.2016.06.004
  8. T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara:
    “Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells”
    Applied Physics Letters 109 (2016) pp. 182101/1-4.
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4965844
  9. J. Lin, L. Gomez, C. de Weerd, Y. Fujiwara, T. Gregorkiewicz, and K. Suenaga:
    “Direct observation of bandstructure modifications in nanocrystals of CsPbBr3 perovskite”
    Nano Letters 16 (2016) pp. 7198-7202.
    http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.6b03552
  10. J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak:
    “Optical and Electrical Study of Defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE”
    Journal of Electronic Materials 45 (2016) pp. 6355-6362.
    http://dx.doi.10.1007/s11664-016-4983-6
  11. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Dimerization of emission centers in Eu-doped GaN red light-emitting diode: cooperative charge capturing using valence states coupling”
    Journal of Physics: Condensed Matter 29 (2016) pp. 025709/1-6.
    http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0953-8984/29/2/025702

国際会議発表

  1. I. Fragkos, C. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:
    “Rare-earth-doped GaN-based light-emitting diode: a model of current injection efficiency”
    SPIE Photonics West, 9742-5, San Francisco, California, USA, February 13-18 (2016).
  2. Y. Fujiwara, T. Nunokawa, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]
    “Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
    Workshop on Computational Nano-Materials Design and Realization for Energy-Saving and Energy-Creation Materials, I-21, Osaka University, Osaka, Japan, March 25-26 (2016).
  3. T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Significant enhancement of photoluminescence intensity from Eu-doped GaN embedded in resonant cavity”
    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17), TuP24, Todaiji Temple Cultural Center, Nara, Japan, March 28-31 (2016).
  4. T. Kojima, K. Sakuragi, M. Ogawa, N. Fujioka, A. Koizumi, S. Noda, and Y. Fujiwara:
    “Emission properties of Er ions in GaAs modulated by photonic crystal nanocavities”
    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17), TuP27, Todaiji Temple Cultural Center, Nara, Japan, March 28-31 (2016).
  5. Y. Kashiwagi, M. Saitoh, T. Hasegawa, K. Matsukawa, T. Shigemune, A. Koizumi,T. Kojima, Y. Fujiwara, H. Kakiuchi, N. Aoyagi, Y. Yoshida, and M. Nakamoto: [Invited Talk]
    “Direct electrode patterning on layered GaN on sSapphire substrate by using needle-type dispenser system of Ag nanoinks”
    2016 International Conference on Electronics Packaging (ICEP2016), TB3-2, Sapporo, Japan, April 20-22 (2016).
  6. E. M.L.D. de Jong, L. G. Navascués, T. Gregorkiewicz, G. Yamashita, M. Ashida, and Y. Fujiwara:
    “Auger recombination in CsPbBr3 nanocrystals”
    2016 E-MRS Spring Meeting, Lille, France, May 2-6 (2016).
  7. Y. Fujiwara, W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, Uedono, and A. Koizumi: [Invited Talk]
    “Enhanced red photo/electroluminescence from Eu-doped GaN through optimization of defect environment”
    4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’16), 20p-LED5-1, Pacifico-Yokohama, Yokohama, Japan, May 18-20 (2016).
  8. Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]
    “Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials; Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC’2016), H4, Graz, Austria, May 29-June 3 (2016).
  9. Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, and A. Koizumi: [Invited Talk]
    “Enhanced red emission from Eu ions embedded in a GaN resonant optical microcavity”
    Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2016 (CC3DMR2016), Incheon, Seoul, Korea, June 20-24 (2016).
  10. J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak:
    “Deep level transient spectroscopy study of Eu3+ ion in situ doped GaN epilayer grown by OMVPE”
    58th Electronic Materials Conference, PS5, Newark, USA, June 22-24 (2016).
  11. Y. Fujiwara: [Invited Talk]:
    “Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer”
    Light Conference 2016, Changchun, China, July 4-8 (2016).
  12. A. Koizumi and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Current understanding of Eu emission centers in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
    9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM9), Kyoto, Japan, August 1-5 (2016).
  13. J. Takatsu, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Using Eu emission to detect In segregation in InxGa1-xN”
    18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Tu3-T09-6, Nagoya, Japan, August 7-12 (2016).
  14. R. Fuji, A. Koizumi, T. Inaba, and Y. Fujiwara:
    “N-polar Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
    18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), TuP-T09-21, Nagoya, Japan, August 7-12 (2016).
  15. Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Eu-Doped GaN for Highly Efficient Wavelength-Stable Red LEDs”
    Defects in Semiconductors, Gordon Research Conference, Colby-Sawyer College, New London, USA, August 14-19 (2016).
  16. T. Inaba, T. Kojima, G. Yamashita, M. Ashida, and Y. Fujiwara:
    “Quantitative analysis on energy transfer process for Eu luminescent centers in Eu-doped GaN”
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016), D1.11.05, Orlando, Florida, October 2-7 (2016).
  17. W. Zhu, M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Selective excitation of emission centers in of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures LED: Nanoscale design of active layer for dynamical control of injection charges”
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016), PS1.123”, Orlando, Florida, October 2-7 (2016).
  18. T. Nunokawa, A. Koizumi, T. Sakurai, M. Matsuda, W. Zhu, H. Ohta, and Y. Fujiwara:
    “Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN and magnetic behaviors”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.5.06, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  19. M. Ogawa, N. Fujioka, K. Sakuragi, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “High-Q photonic crystal double-heterostructure nanocavity with Er,O-codoped GaAs for low-threshold lasers”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.8.03, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  20. T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Modulated optical properties of Eu-doped GaN in a GaN based microcavity”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.9.01, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  21. N. Hernandez, B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
    “The role of charge carriers in the photoluminescence properties of Eu-doped GaN”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.9.02, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  22. W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
    “Growth and optical properties of GaN/Eu-doped GaN multilayer structures by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.9.03, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  23. B. Mitchell, W. Zhu, J. Poplawsky, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “The Influence of Local and Extended Defect Environments on the Optical and Material Properties of GaN:Eu”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.10.01, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  24. I. Fragkos, C. K. Tan, Y. Zhong, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:
    “The role of injection efficiency in Eu-doped GaN LED”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.10.02, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  25. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Dimerized emission centers in Eu-doped GaN red light-emitting diode: cooperative charge capturing and multiple satellite emission of Eu emission centers”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.10.03, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  26. T. Kojima, K. Sakuragi, M. Ogawa, N. Fujioka, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Extremely improved emission properties of Er luminescent centers in GaAs-based photonic crystal nanocavities”
    2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, EM2.11.02, Boston, USA, November 27-December 2 (2016).
  27. H. Kogame, K. Okada, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Investigation on energy transfer process in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements”
    20th SANKEN International, The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 12th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-26, Knowledge Capital Congres Convention Center, Osaka, Japan, December 12-13 (2016).
  28. N. Fujioka, T. Kojima, M. Ogawa, and Y. Fujiwara:
    “Enhancement of Er luminescence by coupling with photonic crystal nanocavities and its application to wavelength-stable lasers”
    20th SANKEN International, The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 12th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-27, Knowledge Capital Congres Convention Center, Osaka, Japan, December 12-13 (2016).
  29. H. Kamei, S. Takano, G. Yoshii, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
    26th Annual Meeting of MRS-J, International Symposium A-3 “Advanced Functional Oxide Materials,“ A3-O20-005, Yokohama Port Opening Plaza, Yokohama, Japan, December 20-22 (2016).
  30. Y. Fujiwara, W. Zhu, and B. Mitchell:
    “Critical role of oxygen in Eu-doped GaN”
    26th Annual Meeting of MRS-J, International Symposium A-3 “Advanced Functional Oxide Materials,“ A3-O20-014, Yokohama Port Opening Plaza, Yokohama, Japan, December 20-22 (2016).

国内会議発表

  1. 児島貴德, 櫻木寛至, 小川雅之, 藤岡夏輝, 小泉淳, 野田進, 藤原康文:
    “フォトニック結晶光ナノ共振器の導入によるGaAs中のEr発光中心の発光制御”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 20p-S223-9, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  2. W. Zhu, M. Ishii, A. Koizumi, Y. Fujiwara:
    “Relationship between electrical and luminescence properties of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures investigated with impedance spectroscopy”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 20p-S223-10, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  3. 石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
    “GaN:Eu赤色LED発光中心の三次元マッピングによる解析”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 20p-S223-11, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  4. 布川拓未, 小泉淳, 松田将明, 朱婉新, 藤原康文:
    “Eu添加GaNにおける2価Euイオンの出現とその制御”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 20p-S223-12, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  5. 稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “微小光共振器によるEu添加GaNの発光特性制御”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 20p-S223-13, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  6. 亀井勇人, 高野翔太, 吉居玄哉, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “スパッタリング併用MOCVD法によるTm,Yb共添加ZnO薄膜の作製と発光特性”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 20p-S223-15, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  7. 新郷正人, 伊藤尊史, 柏木行康, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 斉藤大志, 松川公洋, 藤原康文, 塩島謙次:
    “Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価(2)”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 21a-W541-4, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  8. 藤原康文: 【招待講演】
    “スパッタリング併用有機金属気相堆積法と希土類添加ZnOへの応用”
    第63回 応用物理学会春季学術講演会, 21p-S222-2, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).
  9. 柏木行康, 斉藤大志, 長谷川貴洋, 小泉淳, 重宗翼, 児島貴徳, 藤原康文, 垣内宏之, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 松川公洋, 中許昌美:
    “少量の銀ナノインクによる焼成膜の特性評価法の開発：ニードル式ディスペンサを用いた導電パターンの形成と評価”
    日本化学会第96春季年会, 1PC- 129, 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府京田辺市, 3月24-27日 (2016).
  10. 石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
    “GaN:Eu赤色LEDの発光中心の二量化：高調波成分分析を使ったEu-Eu結合評価”
    第77回 応用物理学会秋季学術講演会, 13p-A35-1, 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).
  11. 稲葉智宏, 児島貴徳, 山下元気, 芦田昌明, 藤原康文:
    “Eu添加GaNにおけるEu発光中心へのエネルギー輸送プロセスの定量的解析”
    第77回 応用物理学会秋季学術講演会, 13p-A35-2, 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).
  12. 小亀宏明, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “二波長励起測定法を用いたEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの評価”
    第77回 応用物理学会秋季学術講演会, 13p-A35-3, 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).
  13. 山田智也, 稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “多重量子ブロック層を用いたEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大”
    第77回 応用物理学会秋季学術講演会, 13p-A35-4, 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).
  14. 布川拓未, 宮田祐輔, 櫻井敬博, 藤村紀文, 太田仁, 藤原康文:
    “Eu添加GaNにおけるEuイオン価数制御と磁気特性”
    第77回 応用物理学会秋季学術講演会, 13p-A35-5, 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).
  15. 小川雅之, 藤岡夏輝, 櫻木寛至, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “Er,O共添加GaAsフォトニック結晶点欠陥共振器レーザーの実現に向けて ―数値解析―”
    第77回 応用物理学会秋季学術講演会, 13p-A35-6, 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).

研究会

  1. 布川拓未, 小泉淳, 松田将明, 朱婉新, 藤原康文:
    “Eu添加GaNにおけるEuイオンの価数制御”
    平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P3, 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).
  2. 小亀宏朗, 岡田浩平, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “二波長励起測定法を用いたEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの動的評価”
    平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P4, 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).
  3. 小川雅之, 児島貴徳, 櫻木寛至, 藤岡夏輝, 小泉淳, 藤原康文:
    “Er,O共添加GaAsフォトニック結晶点欠陥共振器レーザーの実現に向けて―数値解析―”
    平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P7, 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).
  4. 亀井勇人, 高野翔太, 吉居玄哉, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “Si太陽電池用新規波長変換材料を目指したTm,Yb共添加ZnOの作製と評価”
    平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P12, 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).
  5. 柏木行康, 斉藤大志, 長谷川貴洋, 松川公洋, 中許昌美, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文, 新郷正人, 伊藤尊史, 塩島謙次, 垣内宏之, 青柳伸宜, 吉田幸雄:
    “Agナノインクのディスペンサ描画によるGaN系青色LED電極の作製と評価”
    第22回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム, 31, パシフィコ横浜, 横浜市, 2月2-3日 (2016).
  6. 稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “微小共振器によるEu添加GaNの発光モード制御”
    第8回窒化物半導体結晶成長講演会, Tu-21, ローム記念館, 京都大学桂キャンパス, 京都市左京区, 5月9-10日 (2016).
  7. 藤原康文: 【招待講演】
    “希土類添加半導体とその新規発光デバイスへの応用”
    分子・物質合成プラットフォーム平成28年度研究会, 大阪大学銀杏会館, 大阪大学吹田キャンパス, 吹田市, 6月17日 (2016).
  8. 稲葉智宏、児島貴徳、小泉淳、藤原康文:
    “光状態密度の制御によるEu添加GaNの発光強度増大”
    応用物理学会関西支部平成28年度第1回研究会「先端電子デバイスと分析・加工技術の進展」, 産業技術総合研究所関西センター, 大阪府池田市, 6月17日 (2016).
  9. M. Ogawa, T. Kojima, K. Sakuragi, N. Fujioka, A. Koizumi and Y. Fujiwara:
    “Emission properties of Er3+ ions in GaAs modulated by photonic crystal cavities”
    35th Electronic Materials Symposium, We2-13, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).
  10. T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Controlling emission properties of Eu-doped GaN by microcavity”
    35th Electronic Materials Symposium, We2-18, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).
  11. H. Kogame, K. Okada, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Investigation on energy transfer process in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements”
    35th Electronic Materials Symposium, Th1-9, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).
  12. T. Nunokawa, A. Koizumi, M. Matsuda, W. Zhu, and Y. Fujiwara:
    “Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
    35th Electronic Materials Symposium, Th1-10, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).
  13. H. Kamei, S. Takano, G. Yoshii, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted MOCVD”
    35th Electronic Materials Symposium, Th1-11, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).
  14. 稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “微小共振器により変調されたEu添加GaNの発光特性評価”
    日本材料学会平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 大阪府立大学サイエンスホール, 堺市, 7月30日 (2016).
  15. 児島貴徳, 小亀宏朗, 岡田浩平, 小泉淳, 藤原康文:
    “二波長励起測定法によるEu添加GaNのエネルギー輸送モデルの検討”
    日本材料学会平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 大阪府立大学サイエンスホール, 堺市, 7月30日 (2016).
  16. T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Significant enhancement of emission intensity from Eu ions embedded in a GaN microcavity,”
    「ナノ光電子材料における消光問題の国際的枠組による解決」研究会, 京都大学大学院人間・環境学研究科大講義室, 京都市左京区, 8月19日 (2016).
  17. 塩島謙次、重宗翼、小泉淳、児島貴徳、柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、藤原康文:
    “Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の評価”
    第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム秋季大会, 2C-3, 中京大学名古屋キャンパス, 名古屋市昭和区, 9月8-9日 (2016).
  18. 児島貴徳, 藤原康文: 【招待講演】
    “GaAs中のEr発光中心とフォトニック結晶光ナノ共振器との相互作用”
    日本金属学会第4回エレクトロニクス薄膜材料研究会「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究(4)」, 東京工業大学大岡山キャンパス, 大阪大学豊中キャンパス、豊中市、9月22日 (2016).
  19. 布川拓未、宮田祐輔、櫻井敬博、藤村紀文、太田仁、藤原康文:
    “Eu添加GaNにおけるEuイオン価数制御と磁気・電気特性”
    日本材料学会平成28年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, 京都工芸繊維60周年記念館、京都市左京区、11月5日 (2016).
  20. 稲葉智宏、児島貴徳、山下元気、芦田昌明、藤原康文:
    “Eu添加GaNにおけるEu発光中心の励起プロセス評価”
    第5回結晶工学未来塾、2、東京農工大学 小金井キャンパス、東京都小金井市、11月7日 (2016).

著書

  1. H. Ohta, S. Okubo, and Y. Fujiwara:
    “Electron spin resonance studies of GaAs:Er,O (Chapter 5)”
    Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials: Number 87, Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials; Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics, edited by V. Dierolf, I.T. Ferguson, and J.M. Zavada (Elsevier, Duxford, UK, 2016) pp. 169-194.
  2. A. Koizumi, B. Mitchell, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:
    “Growth of Eu-doped GaN and its magneto-optical properties (Chapter 8)”
    Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials: Number 87, Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials; Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics, edited by V. Dierolf, I.T. Ferguson, and J.M. Zavada (Elsevier, Duxford, UK, 2016) pp. 259-280.

解説等

顕彰

  1. 稲葉智宏
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
    2. 応用物理学会関西支部平成28年度第1回研究会「先端電子デバイスと分析・加工技術の進展」　ポスター賞（最優秀賞）
    3. “光状態密度の制御によるEu添加GaNの発光強度増大”
    4. 2016年6月17日
  2. 稲葉智宏
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
    2. 日本材料学会平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会　学生優秀講演賞
    3. “微小共振器により変調されたEu添加GaNの発光特性評価”
    4. 2016年8月29日
  3. 稲葉智宏
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
    2. 応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾　発表優秀賞
    3. “Eu添加GaNにおけるEu発光中心の励起プロセス評価”
    4. 2016年11月7日
  4. 朱婉新
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
    2. 2016 MRS Fall Meeting, Symposium Student Awards
    3. “Growth and optical properties of GaN/Eu-doped GaN multilayer structures by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy”
    4. 2016年11月30日