研究成果 2010年

論文・プロシーディングス

H. Ohta, O. Portugall, N. Ubrig, M. Fujisawa, H. Katsuno, E. Fatma, S. Okubo, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence measurement of Er,O-codoped GaAs under a pulsed magnetic field up to 60 T”
Journal of Low Temperature Physics 159 (2010) pp. 203-207.
http://link.springer.com/article/10.1007/s10909-009-0150-2
M. Fujisawa, A. Asakura, F. Elmasry, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:
“Magnetic properties of magnetic semiconductor GaAs:Er,O studied by ESR”
Journal of Physics: Conference Series 200 (2010) 062005/1-4.
http://iopscience.iop.org/1742-6596/200/6/062005
H. Kasai, A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Improved Eu luminescence properties in Eu-doped GaN grown on GaN substrates by organometallic vapor phase epitaxy”
Japanese Journal of Applied Physics 49(4) (2010) pp. 048001/1-2.
http://jjap.jsap.jp/cgi-bin/getarticle?magazine=JJAP&volume=49&page=048001
Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:
“Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature”
e-Journal of Light Emitting Diode 2(1) (2010) pp. W-II-2/1-4.
Y. Konaka, K. Ono, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Coexistence properties of phase separation and CuPt-ordering in InGaAsP grown on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy”
Journal of Crystal Growth 312 (2010) pp. 2056-2059.
A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE”
Physica Status Solidi A 207(6) (2010) pp. 1397-1399.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024810002253
T. Kawasaki, N. Furukawa, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Effect of growth temperature on Eu-doped GaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy”
Physica Status Solidi C 7(7-8) (2010) pp. 2040-2042.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.200983470/abstract
A. Nishikawa, N. Furukawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy”
Applied Physics Letters 97(5) (2010) pp. 051113/1-3.
Y. Terai, T. Tsuji, K. Noda, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Er-doped β-FeSi2 grown by ion beam synthesis methods”
Physica E 42 (2010) pp. 2846-2848.
Y. Terai, K. Yamaoka, K. Yoshida, A. Yoshida and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Eu-doped ZnO films grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
Physica E 42 (2010) pp. 2834-2836.
寺井慶和、吉田一樹、藤原康文：
“スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu 添加ZnO の作製とその発光特性”
材料 59 (2010) pp. 671-674.
西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文：
“有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性”
材料 59 (2010) pp. 690-693.
N. Furukawa, A. Nishikawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Atmospheric pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy”
Physica Status Solidi A 208 (2010) pp. 445-448.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201000598/abstract
K. Lorenz and E. Alves, I. S. Roqan and K. P. O’Donnell, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Lattice site location of optical centres in GaN:Eu LED material grown by organometallic vapor phase epitaxy” Applied Physics Letters 97 (2010) pp. 111911/1-3.
http://dx.doi.org/10.1063/1.3489103
Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Eu3+ ions in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
Physica Status Solidi C 8(2) (2011) pp. 519-521.
N. Woodward, J. Poplawsky, B. Mitchell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Excitation of Eu3+ in gallium nitride epitaxial layers: Majority versus trap defect center”
Applied Physics Letters 98 (2011) pp. 011102/1-3.
K. Noda, Y. Terai, K. Yoneda, and Y. Fujiwara:
“Temperature dependence of direct transition energies in β-FeSi2 epitaxial films on Si(111) substrate”
Physics Procedia 11 (2011) pp. 181-184.
K. Yoneda, Y. Terai, K. Noda, N Miura, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence and photoreflectance studies in Si/β-FeSi2/Si(001) double heterostructure” Physics Procedia 11 (2011) pp. 185-188.

国際会議発表

A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, S. Anada, N.Woodward, V. Dierolf, S. Emura, H. Asahi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Growth temperature dependence of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy”
International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials, Icho-Kaikan, Osaka, Japan, May 30-June 4 (2010).
Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Eu3+ ions in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
37th International Symposium on Compound Semiconductors, TuP34, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).
N. Furukawa, A. Nishikawa, T. Kawasaki, S. Anada, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Atmospheric-pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy”
37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrD1-1, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).
【招待講演】
M. Fujita, A. Nishikawa, Y. Terai, Y. Fujiwara and S. Noda:
“GaAs photonic nanocavities with erbium luminescent centers”
37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrD3-4, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).
T. Tozuka, Y. Terai. K. Noguchi, A. Nishikawa, I. Kawayama, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:
“Optical characterization of Er-related trap level in Er,O-codoped GaAs”
37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrP13, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).
A. Nishikawa, Y. Terai and Y. Fujiwara:
“Room-temperature red emission from light emitting-diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy”
2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007), 5.1, Strasbourg, France, June 7-11 (2010).
【招待講演】
K. Lorenz, E. Alves, I. S. Roqan, K. P. O’Donnell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and M. Bockowski:
“Europium incorporation in GaN grown by metal organic chemical vapour deposition”
2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007), 5.2, Strasbourg, France, June 7-11 (2010).
N. Woodward, V. Dierolf, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Site selective excitation pathways of in-situ doped Eu:GaN grown by MOCVD”
2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007), 8.12, Strasbourg, France, June 7-11 (2010).
Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:
“Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature”
Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3), WE4-2, Montpellier, France, July 4-7 (2010).
【招待講演】
Y. Terai, K. Noda, K. Yoneda, 1H. Udono, 2Y. Maeda, and Y. Fujiwara:
“Band-gap Modifications of β-FeSi2 Epitaxial Films by Lattice Deformations”
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics, 25-PM-V-5, Tsukuba, Ibaraki, July 24-26 (2010).
K. Noda, Y. Terai, K. Yoneda, and Y. Fujiwara:
“Temperature dependence of direct transition energies in β-FeSi2 epitaxial films on Si(111) substrate”
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics, 24-P8, Tsukuba, Ibaraki, July 24-26 (2010).
K. Yoneda, Y. Terai, K. Noda, N. Miura, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence and Photoreflectance Studies in Si/β-FeSi&spbsc{2};/Si(001) Double Heterostructure”
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics, 24-P9, Tsukuba, Ibaraki, July 24-26 (2010).
Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:
“Red light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
15th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2010 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting & XVIII Advanced Display Technologies International Symposium, St. Petersburg, Russia, September 27-October 1 (2010).
【招待講演】
T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kawarudin, K. Yoshida, and Y. Fujiwara:
“Formation of Eu3+ luminescent centers in Eu-doped ZnO by thermal annealing”
3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011), Nagoya, Japan, March 8-9 (2011).

国内会議発表

辻尭宏，ビン・カマルディン・ムハマド・ハキム，吉田一樹，寺井慶和，藤原康文：
“Eu添加ZnO薄膜におけるEu3+発光と抵抗率の相関”
第71回応用物理学会学術講演会、14p-ZM-2、長崎大学、長崎市、9月14日 (2010).
若松龍太，西川　敦，野口恒太，辻　尭宏，高岸将之，寺井慶和，藤原康文：
“強励起されたEr,O共添加GaAsにおけるEr発光特性”
第71回応用物理学会学術講演会、14p-ZM-3、長崎大学、長崎市、9月14日 (2010).
ビン・カマルディン・ムハマド・ハキム，寺井慶和，吉田一樹，辻尭宏，藤原康文：
“スパッタリング併用MOCVD法によるEu,N共添加ZnOの作製とEu発光特性の評価”
第71回応用物理学会学術講演会、14p-ZM-7、長崎大学、長崎市、9月14日 (2010).
西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文：
“Room-Temperature Red Emission from a p-Type/Europium-Doped/n-Type Gallium Nitride Light-Emitting Diode under Current Injection”
第71回応用物理学会学術講演会、15a-NB-1、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).
＜第32回応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演＞
藤原康文：
“イントロダクトリートーク：不純物による物性制御と機能発現”
第71回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「不純物機能活性型半導体の物性制御とデバイス応用」、15p- NB-1、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).
藤原康文，西川敦，寺井慶和：
“希土類添加半導体発光デバイス”
第71回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「不純物機能活性型半導体の物性制御とデバイス応用」15p- NB-4、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).
【招待講演】
田口秀幸，北原周，笠石修司，三宅綾，三宅修吾，豊田忠，中上明光，西川敦，藤原康文：
Er,O共添加GaAsにおける光学利得/損失の評価
第71回応用物理学会学術講演会、15p-B-13、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).
古川直樹，西川敦，川崎隆志，寺井慶和，藤原康文：
“常圧有機金属気相エピタキシャル法により作製されたEu添加GaNにおけるEu発光強度の増大” 第71回応用物理学会学術講演会、16p-NB-4、長崎大学、長崎市、9月16日 (2010).
高岸将之，辻尭宏，市田秀樹，西川敦，寺井慶和，兼松泰男，藤原康文：
“Er,O共添加GaAsにおける光学利得/損失の評価”(兼担) 第71回応用物理学会学術講演会、16p-NB-9 長崎大学、長崎市、9月16日 (2010).
冨士田誠之、西川敦、寺井慶和、藤原康文、野田進：
“Er発光中心をもつGaAsナノ共振器の発光中心と共振モードの相互作用の検討”
第71回応用物理学会学術講演会、16p-J-6、長崎大学、長崎市、9月16日 (2010).
米田圭佑，寺井慶和，野田慶一，三浦直行，藤原康文：
“SOI 基板上に成長したβ-FeSi2 エピタキシャル膜における残留キャリア濃度の評価”
第71回応用物理学会学術講演会、17a-NH-7、長崎大学、長崎市、9月17日 (2010).
寺井慶和，米田圭佑，野田慶一，三浦直行，藤原康文：
“β-FeSi2エピタキシャル膜における光伝導スペクトルの評価”
第71回応用物理学会学術講演会、17a-NH-8、長崎大学、長崎市、9月17日 (2010).
若松龍太、西川敦、高岸将之、森田昌吾、寺井慶和、藤原康文:
“微傾斜基板上に成長したEr,O共添加GaAsの発光特性と電気特性の相関” 第57回応用物理学関係連合講演会、24p-BW-11、神奈川工科大学、厚木市、3月24日（2011）
辻尭宏，寺井慶和，Muhammad Hakim Kamarudin, 川端雅俊, 藤原康文：
“SA-MOCVD 法によるSm 添加ZnO の作製と発光特性評価”
第58回応用物理学関係連合講演会、25p-BW-11、神奈川工科大学、厚木市、3月25日 (2011).
西川敦，古川直樹，李東建，川溿昂佑，寺井慶和，藤原康文：
“Eu添加GaN発光ダイオードの光学特性”
第58回応用物理学関係連合講演会、25p-BW-14、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).
米田圭佑，寺井慶和，野田慶一，三浦直行，藤原康文：&br “β-FeSi2薄膜における残留キャリア濃度の熱処理温度依存性”
第58回応用物理学関係連合講演会、26p-KU-1、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).
【講演奨励賞受賞記念講演】
野田慶一, 寺井慶和, 米田圭佑, 三浦直行, 片山広, 鵜殿治彦, 藤原康文：
“Si(001)基板上β-FeSi2エピタキシャル膜におけるPRスペクトルの成長条件依存性”
第58回応用物理学関係連合講演会、26p-KU-2、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).
寺井慶和, 野田慶一, 米田圭佑, 三浦直行, 前田佳均, 藤原康文：
“β-FeSi2における光励起キャリアの緩和過程の検証”
第58回応用物理学関係連合講演会、26p-KU-3、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).
李東建，西川敦，古川直樹，川溿昂佑，寺井慶和，藤原康文：
“Eu添加GaNにおけるMg共添加によるEu発光強度の増大”
第58回応用物理学関係連合講演会、26p-BW-4、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).
大渕博宣，西川敦，古川直樹，寺井慶和，藤原康文，本間徹生：
“OMVPE法により作製したEu添加GaNにおけるEu発光特性のV/III比依存性”
第58回応用物理学関係連合講演会、26p-BW-5、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).
西川敦，古川直樹，李東建，川溿昂佑，寺井慶和，藤原康文：
“OMVPE法により作製したEu添加GaNにおけるEu発光特性のV/III比依存性”
第58回応用物理学関係連合講演会、26p-BW-6、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).
川溿昂佑，西川敦，李東建，古川直樹，寺井慶和，藤原康文:
“OMVPE法により作製したEu添加AlGaNのEu発光特性”
第58回応用物理学会関係連合講演会、26p-BW-7、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).

研究会

Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:
“Recent progress in rare-earth-doped semiconductors”&br 2010 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH), 12.4, Portland, USA, May 17-20 (2010).
【招待講演】
A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, S. Anada, N.Woodward, V. Dierolf, S. Emura, H. Asahi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Growth temperature dependence of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy
International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials, Icho-Kaikan, Osaka, Japan, May 30-June 4 (2010).
古川直樹、西川敦、川崎隆志、寺井慶和、藤原康文：
“常圧有機金属気相エピタキシャル法によるEu 添加GaN の作製とLED 特性の改善”
日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会平成22年度第1回研究会, A04, 大阪大学、吹田市、5月8日 (2010).
Y. Fujiwara, Y. Terai and A. Nishikawa:
“New development in rare-earth-doped semiconductors: room-temperature operation of light-emitting diodes exhibiting rare-earth emission under current injection”
“希土類添加半導体の新展開～秩序制御と電流注入型発光デバイス応用～”
29th Electronic Materials Symposium, Th1-1, pp. 63-66, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).
【招待講演】
T. Tsuji, Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara:
“Growth of Eu-doped ZnO by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
29th Electronic Materials Symposium, Th1-3, pp. 69-70, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).
N. Furukawa, A. Nishikawa, T. Kawasaki, S. Anada, N. Woodward, V. Dierolf, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Growth temperature dependence of Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
29th Electronic Materials Symposium, Th1-4, pp. 71-72, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).
T. Tozuka, Y. Terai, R. Wakamatsu, A. Nishikawa, I. Kawayama, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara:
“Enhanccement of terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs /undoped GaAs surface”
29th Electronic Materials Symposium, Th1-5, pp. 73-74, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).
藤原康文:
“藤原グループの成果と今後の予定”
科学研究費補助金「学術創成研究費」第7回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2010).
西川敦:
“常圧成長Eu添加GaNによるLED特性の改善”
科学研究費補助金「学術創成研究費」第7回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2010).
寺井慶和:
“低濃度Eu添加ZnOにおける発光メカニズム”
科学研究費補助金「学術創成研究費」第7回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2010).
藤原康文:
“次世代光源にむけた材料開発”
第1回大阪グリーンナノフォーラム大阪市国際交流センター、大阪市、10月29日 (2010).
藤原康文、西川敦、寺井慶和:
“希土類添加半導体における希土類イオン励起へのエネルギー伝達”
励起ナノプロセス研究会第6回研究会ビッグ・アイ（国際障害者交流センター）、堺市、11月2日 (2010).
藤原康文、西川敦、寺井慶和:
“有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と赤色発光ダイオードへの応用”
真空・表面科学合同講演会、4Ca-07、大阪大学コンベンションセンター、吹田市、11月4日 (2010).
藤原康文:
“ボトムアップ型機能制御による波長超安定LEDの作製”
大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム 2010ナノ理工学セミナー「グリーンナノテクノロジー　～創・省エネ材料、省エネ電子デバイス～」大阪大学豊中キャンパス、豊中市、11月4日 (2010).
若松龍太、西川敦、高岸将之、森田昌吾、寺井慶和、藤原康文:
“微傾斜基板上に成長したEr,O共添加GaAsの発光特性評価”
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、A02、大阪府立大学、なかもずキャンパス、堺市、11月20日（2010）
辻尭宏、Muhammad Hakim Kamarudin、吉田一樹、寺井慶和、藤原康文：
“SA-MOCVD法により作製したEU添加ZnO薄膜におけるEu3+発光中心の形成メカニズムの検討”
日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会平成22年度第2回研究会、B04、大阪府立大学、なかもずキャンパス、堺市、11月20日 (2010).
Muhammad Hakim Kamarudin、辻尭宏、寺井慶和、藤原康文：
“SA-MOCVD 法によるEu,N 共添加ZnO 薄膜の作製とEu 発光特性の評価”
日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会平成22年度第2回研究会、B05、大阪府立大学、なかもずキャンパス、堺市、11月20日 (2010).
藤原康文、西川敦、寺井慶和:
“Room-temperature operation of red light-emitting diodes with europium-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy”
第335回蛍光体同学会講演会、明治大学駿河台キャンパス、東京都千代田区、12月4日 (2010).
藤原康文:
“希土類添加半導体の不思議に挑む～次世代光源の創成にむけて～”
第10回先進技術とビジネス研究会学校法人武庫川学院（甲子園会館）、西宮市、1月13日 (2011).
藤原康文:
“藤原グループの成果と今後の予定”
科学研究費補助金「学術創成研究費」第8回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月19日 (2011).
辻尭宏:
“ZnO:EuにおけるEu3+発光中心の形成メカニズムの検討”
科学研究費補助金「学術創成研究費」第8回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月19日 (2011).
西川敦:
“Eu添加GaNのOMVPE成長温度依存性”
科学研究費補助金「学術創成研究費」第8回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月19日 (2011).
藤原康文:
“革新的フルカラーLEDディスプレイ/次世代照明用技術”
産学官連携推進大会2011 in 北大阪大阪国際会議場、大阪市、2月22日 (2011).
藤原康文、西川敦、寺井慶和:
“EuドープGaN赤色発光素子とレーザーへの展望”
第7回レーザーディスプレイ技術研究会東京大学生産技術研究所（コンベンションホール）、東京都目黒区、3月3日 (2011).
藤原康文:
“希土類添加半導体への挑戦　～次世代光源の創製にむけて～”
静岡大学重点分野「極限画像科学」シンポジウム静岡大学電子工学研究所、浜松市、3月14日 (2011).

論文・プロシーディングス

N. Furukawa, A. Nishikawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Atmospheric pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy”
Physica Status Solidi A 208(2) (2011) pp. 445-448.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201000598/abstract
Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Eu3+ ions in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
Physica Status Solidi C 8(2) (2011) pp. 519-521.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201000468/abstract
H. Ofuchi, T. Honma, A. Nishikawa, N. Furukawa, T. Kawasaki, and Y. Fujiwara:
“Fluorescence EXAFS analysis of Eu-doped GaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy”
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 9 (2011) pp. 51-53.
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ejssnt/9/0/9_0_51/_pdf
N. Woodward, J. Poplawsky, B. Mitchell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Excitation of Eu3+ in gallium nitride epitaxial layers: Majority versus trap defect center”
Applied Physics Letters 98(1) (2011) pp. 011102/1-3.
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i1/p011102_s1
K. Noda, Y. Terai, K. Yoneda, and Y. Fujiwara:
“Temperature dependence of direct transition energies in β-FeSi2 epitaxial films on Si(111) substrate”
Physics Procedia 11 (2011) pp. 181-184.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389211000253
K. Yoneda, Y. Terai, K. Noda, N Miura, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence and photoreflectance studies in Si/β-FeSi2/Si(001) double heterostructure”
Physics Procedia 11 (2011) pp. 185-188.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389211000265
M. Fujisawa, A. Asakura, F. Elmasry, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:
“ESR study of photoluminescent material GaAs:Er,O -Er concentration effect”
Journal of Applied Physics 109(5) (2011) pp. 053910/1-5.
http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v109/i5/p053910_s1
N. Woodward, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Site and sample dependent electron-phonon coupling of Eu ions in epitaxial-grown GaN layers”
Optical Materials 33(7) (2011) pp. 1050-1054.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346710004155
A. Nishikawa, N. Furukawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy”
Optical Materials 33(7) (2011) pp. 1071-1074.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346710004404
H. Katsuno, H. Ohta, O. Portugall, N.s Ubrig, M. Fujisawa, F. Elmasry, S. Okubo, and Y. Fujiwara:
“Energy structure of Er-2O center in GaAs:Er,O studied by high magnetic field photoluminescence measurement”
Journal of Luminescence 131 (2011) pp. 2294-2298.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311002985
K. Hatasako, F. Yamamoto, A. Uenishi, T. Kuroi, S. Maegawa, and Y. Fujiwara:
“ESD Robustness Improvement for Integrated DMOS Transistor – The different gate voltage dependence of It2 between VDMOS and LDMOS transistors-“
IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering 6 (2011) pp. 361-366.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/tee.20669/abstract
Y. Terai, K. Noda, K. Yoneda, H. Udono, Y. Maeda, and Y. Fujiwara:
“Bandgap modifications by lattice deformations in β-FeSi2 epitaxial films”
Thin Solid Films 519 (2011) pp. 8468-8472. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609011011539
K. Kadoiwa, H. Sasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Improvement of crystalline quality in GaAs layer grown on thermal cyclic annealed SOS”
Journal of the Society of Materials Science, Japan 60(11) (2011) pp.998-1003.
門岩薫、佐々木肇、寺井慶和、藤原康文：
“熱サイクルアニールを適用したSOS(Si-on-Sapphire)基板上GaAsエピタキシャル結晶成長層の品質改善”
材料 60(11) (2011) pp. 998-1003.
A. Nishikawa, N. Furukawa, D. Lee, K. Kawabata, T. Matsuno, R. Harada, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy”
Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications, Vol. 1432, edited by V. Dierolf, Y. Fujiwara, T. Gregorkiewicz, and W. M. Jadwisienczak (Materials Research Society, Pennsylvania, 2011) pp. 9-13.
http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.994
S. Emura, K. Higashi, A. Itatani, H. Torigoe, Y. Kuroda, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and Hajime Asahi:
“Photoluminescence x-ray excitation spectra in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications, Vol. 1432, edited by V. Dierolf, Y. Fujiwara, T. Gregorkiewicz, and W. M. Jadwisienczak (Materials Research Society, Pennsylvania, 2011) pp. 15-20.
http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.1241
J. Poplawsky, N. Woodward, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Nature and excitation mechanism of the emission-dominating minority Eu-center in GaN grown by organometalic vapor-phase epitaxy”
Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications, Vol. 1432, edited by V. Dierolf, Y. Fujiwara, T. Gregorkiewicz, and W. M. Jadwisienczak (Materials Research Society, Pennsylvania, 2011) pp. 21-26.
http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.1049
N. Woodward, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Site selective magneto-optical studies of Eu ions in gallium nitride”
Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications, Vol. 1432, edited by V. Dierolf, Y. Fujiwara, T. Gregorkiewicz, and W. M. Jadwisienczak (Materials Research Society, Pennsylvania, 2011) pp. 111-115.
http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.1156
西川敦、寺井慶和、藤原康文：
“OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用”
日本結晶成長学会誌 38(4) (2011) pp. 270-273.
http://ci.nii.ac.jp/naid/110009327765

国際会議発表

Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai: [Invited talk]
“Present status and prospect of red light-emitting diodes with Eu-doped GaN”
5th International Conference on LED and Solid State Lighting (LED 2011), Seoul, Korea, April 11-12 (2011).
Y. Terai, T. Tsuji, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara: [Invited talk]
“Luminescence properties of Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition” 2011 Materials Research Society Spring Meeting, V2.1, San Francisco, USA, April 28-29 (2011).
A. Nishikawa, N. Furukawa, D. Lee, K. Kawabata, T. Matsuno, R. Harada, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Bright red emission from Eu-doped GaN-based light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy”
2011 Materials Research Society Spring Meeting, V2.8, San Francisco, USA, April 28-29 (2011).
N. N. Ha, W. D. Boer, T. Gregorkiewicz, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Investigations of the 620 nm emission band from Eu3+-doped GaN structures grown by organometallic vapor phase epitaxy”
2011 Materials Research Society Spring Meeting, V3.1, San Francisco, USA, April 28-29 (2011).
S. Emura, K. Higashi, A. Itatani, H. Torigoe, Y. Kuroda, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and H. Asahi:
“Photoluminescence X-ray Excitation Spectra in Eu-doped GaN Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy” 2011 Materials Research Society Spring Meeting, V3.2, San Francisco, USA, April 28-29 (2011).
W. D. Boer, T. Gregorkiewicz, S. Tanabe, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Optical activity of Eu3+ in GaN:Eu for light emitting devices” 2011 Materials Research Society Spring Meeting, San Francisco, USA, V3.3, April 28-29 (2011).
J. Poplawsky, N. Woodward, B. Mitchell, V. Dierolf, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Nature and excitation mechanism of the emission-dominating minority Eu-center in GaN grown by organometalic vapor-phase epitaxy”
2011 Materials Research Society Spring Meeting, V3.4, San Francisco, USA, April 28-29 (2011).
Y. Fujiwara, A. Nishikawa, N. Furukawa, D-G. Lee, K. Kawabata, and Y. Terai:
“Improved performance of red light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
9th International Conference on Nitride Semiconductors, F4.8, Glasgow, UK, July 10-15 (2011).
T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, M. Kawabata, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Sm-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24), 1B2-3, Nara, Japan, August 21-26 (2011).
D. Lee, A. Nishikawa, N. Furukawa, K. Kawabata, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Enhancement of Eu3+ luminescence intensity in Eu-doped GaN by Mg codoping”
24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24), 2C4-4, Nara, Japan, August 21-26 (2011).
Y. Terai, K. Noda, K. Yoneda, Y. Maeda, and Y. Fujiwara:
“Photoreflectance and time-resolved photoluminescence studies in ion-beam synthesized β-FeSi2“
Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, III.26.06, Vladivostok, Russia, August 21-28 (2011).
K. Noda, Y. Terai, K. Yoneda, N. Miura, K. Katayama, H. Udono, and Y. Fujiwara:
“Growth condition dependence of direct bandgap in β-FeSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy”
Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, III.26.07, Vladivostok, Russia, August 21-28 (2011).
H. Ohta, S. Okubo, W.-M. Zhang, M. Fujisawa, Y. Fukuoka, F. Elmasry, and Y. Fujiwara:
“Electron spin resonance study of highly Er doped photoluminescent material GaAs:Er,O”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), I3, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
W.D.A.M. de Boer, T. Gregorkiewicz, S. Tanabe, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Optical activity of Eu3+ in GaN:Eu for light emitting devices”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), II4, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
N. N. Ha, K. Dohnalova, T. Gregorkiewicz, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Investigations of stimulated emission in Er- and Eu-doped GaN”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), IV3, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
A. Nishikawa, H. Ofuchi, N. Furukawa, D. Lee, K. Kawabata, T. Matsuno, Y. Terai, T. Honma, and Y. Fujiwara:
“Effect of V/III ratio on luminescence and structural properties in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), IV4, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
H. Ofuchi, K. Kawabata, A. Nishikawa, D. Lee, N. Furukawa, Y. Terai, T. Honma, and Y. Fujiwara:
“Fluorescence XAFS analysis on Eu-doped AlGaN layer grown by organometallic vapor phase epitaxy by organometallic vapor phase epitaxy”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), VII1, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
J. Poplawsky, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Combined Excitation Experiment and the Emission Nature of Eu in GaN”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), VII2, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
D. Lee, A. Nishikawa, N. Furukawa, R. Wakamatsu, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Enhanced emission of Eu3+ ions in Eu in-situ doped GaN by Mg codoping”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), VII3, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, K. Yoshida, and Y. Fujiwara:
“Eu concentration dependence of Eu3+ emission in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
2011 European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS2011), VIII3, Warsaw, Poland, September 18-23 (2011).
S. Furumiya and Y. Fujiwara:
“Phase-change recording film applied laser pulse compensation to form nano-sized marks”
15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), O-S12-07, Kyoto Terrsa, Kyoto, Japan, November 8-11 (2011).
H. Taguchi, A. Kitahara, S. Miyake, A. Nakaue, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:
“Dislocation generation in GaN by dicing process”
15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), P-S12-02, Kyoto Terrsa, Kyoto, Japan, November 8-11 (2011).
R. Wakamatsu, A. Nishikawa, D. Lee, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Time-resolved photoluminescence study of Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), P-S12-05, Kyoto Terrsa, Kyoto, Japan, November 8-11 (2011).
T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara:
“Effects of Cu co-doping on photoluminescence properties in Eu-doped ZnO”
7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PH-21, Icho-Kaikan, Osaka University, Osaka, Japan, November 10-11 (2011).
K. Noda, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Dependence of direct bandgap energies on growth condition in β-FeSi2 epitaxial films on Si(001) substrate”
7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PH-38, Icho-Kaikan, Osaka University, Osaka, Japan, November 10-11 (2011).
R. Wakamatsu, A. Nishikawa, D. Lee, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Excitation behavior of the anomalous peak in Eu-doped gallium nitride;
7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PH-39, Icho-Kaikan, Osaka University, Osaka, Japan, November 10-11 (2011).
A. Nishikawa, N. Furukawa, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Matsuno, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Thermal quenching behavior of luminescence peaks in Eu-doped GaN”
International Symposium on Materials Science and Innovation for Sustainable Society –Eco-Materials and Eco-Innovation for Global Sustainability— (ECO-MATES 2011), CSI-2, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan, November 28-30 (2011).
R. Wakamatsu, A. Nishikawa, D. Lee, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Anomalous luminescence peak in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
International Symposium on Materials Science and Innovation for Sustainable Society –Eco-Materials and Eco-Innovation for Global Sustainability- (ECO-MATES 2011), PT3-9, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan, November 28-30 (2011).
D. Lee, A. Nishikawa, N. Furukawa, R. Wakamatsu, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Temperature dependence of luminescence properties in Eu,Mg-codoped GaN”
International Symposium on Materials Science and Innovation for Sustainable Society –Eco-Materials and Eco-Innovation for Global Sustainability— (ECO-MATES 2011), PT3-15, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan, November 28-30 (2011).
T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara:
“Growth of rare-earth doped ZnO by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
International Symposium on Materials Science and Innovation for Sustainable Society –Eco-Materials and Eco-Innovation for Global Sustainability— (ECO-MATES 2011), PT3-16, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan, November 28-30 (2011).
K. Noda, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Investigation of direct bandgap energies of β-FeSi2 epitaxial films by photoreflectance”
International Symposium on Materials Science and Innovation for Sustainable Society –Eco-Materials and Eco-Innovation for Global Sustainability— (ECO-MATES 2011), PT3-30, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, Japan, November 28-30 (2011).
Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai: [Invited talk]
“Recent Progress in Red Light-Emitting Diodes with Eu-Doped GaN” 18th International Display Workshops 2011 (IDW2011), PH2-2, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, December 7-9 (2011).

国内会議発表

三浦直行、寺井慶和、米田圭佑、野田慶一、藤原康文：
“低残留キャリア濃度β-FeSi2エピタキシャル膜における電気特性の温度依存性”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-W-6, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
野田慶一、寺井慶和、三浦直行、鵜殿治彦、藤原康文：
“β-FeSi2エピタキシャル膜における直接遷移エネルギーの成長条件依存性”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-W-7, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
寺井慶和、野田慶一、三浦直行、前田佳均、藤原康文：
“IBS β-FeSi2における1.5 µm発光の寿命評価”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-W-8, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
Bin Kamarudin Muhammad Hakim、寺井慶和、辻尭宏、藤原康文：
“Eu,N共添加ZnOにおけるEu3+発光への窒素添加効果”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-P11-8, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
辻尭宏、寺井慶和、ビン・カマルディン・ムハマド・ハキム、藤原康文：
“Eu添加ZnOにおける不純物共添加効果の検証”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-P11-9, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
李東建、西川敦、古川直樹、若松龍太、寺井慶和、藤原康文：
“Mg, Eu共添加GaNにおけるEu発光の温度依存性”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-P11-10, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
古川直樹、西川敦、李東建、若松龍太、寺井慶和、藤原康文：
“Eu添加GaNにおけるEu発光の温度消光特性”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-P11-11, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
川溿昂佑、西川敦、李東建、寺井康和、藤原康文：
“Eu添加AlxGa1-xNにおけるEu発光特性のAl組成依存性”
第72回応用物理学会学術講演会、1p-P11-18, 山形大学小白川キャンパス、山形市、9月1日 (2011).
野田慶一、寺井慶和、高石洋輔、伊藤博介、鵜殿治彦、藤原康文
“第一原理計算によるβ-FeSi2直接遷移端変化の検証”
第59回応用物理学関係連合講演会、16p-E1-4、早稲田大学早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月16日 (2012).
寺井慶和、三浦直行、野田慶一、藤原康文
“低残留キャリア濃度β-FeSi2エピタキシャル膜における磁気抵抗”
第59回応用物理学関係連合講演会、16p-E1-5、早稲田大学早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月16日 (2012).
辻尭宏、寺井慶和、苗偉、畑岸幸浩、藤原康文
“Eu,Au共添加ZnOにおけるEu3+発光特性”
第59回応用物理学関係連合講演会、17p-E2-7、早稲田大学早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17日 (2012).
苗偉、寺井慶和、辻尭宏、Wei Cao、藤原康文
“Yb添加ZnO薄膜の作製とその発光特性の評価”
第59回応用物理学関係連合講演会、17p-E2-9、早稲田大学早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17日 (2012).
李東建、西川敦、若松龍太、寺井慶和、藤原康文
“Eu,Mg,Si共添加GaNにおけるEu発光の温度消光抑制”
第59回応用物理学関係連合講演会、17p-E2-13、早稲田大学早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17日 (2012).
若松龍太、李東建、西川敦、寺井慶和、藤原康文
“Eu添加GaNにおける特異なピークの発光特性と励起メカニズム”
第59回応用物理学関係連合講演会、17p-E2-14、早稲田大学早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17日 (2012).

研究会

K. Kawabata, A. Nishikawa, D. Lee, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Eu luminescence properties in Eu-doped AlxGa1-xN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
30th Electronic Materials Symposium, Th2-13, pp. 121-122, ラフォーレ琵琶湖、守山市、6月30日 (2011).
K. Noda, Y. Terai, K. Yoneda, N. Miura, and Y. Fujiwara:
“Growth condition dependence of direct bandgap energies in β-FeSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy”
30th Electronic Materials Symposium, Th4-12, pp. 213-214, ラフォーレ琵琶湖、守山市、6月30日 (2011).
李東建、小泉淳、西川敦、寺井慶和、藤原康文
“Eu添加GaNにおけるEu発光への不純物共添加効果”
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成23年度第2回研究会、A02、京都工芸繊維大学、京都市、3月24日 (2012).
Y. Fujiwara, K. Kawabata, H. Ofuchi, D. Lee, A. Koizumi, A. Nishikawa, Y. Terai, and T. Honma
“Eu luminescence properties in Eu-doped AlxGa1-xN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
4th International Workshop on Photoluminescence in Rare Earths: Photonic Materials and Devices (PRE’12), O-32, Shiran-Kaikan, Kyoto University, Kyoto, Japan, March 28-30 (2012).

解説等

藤原康文:
“キド・ワールドの創成を夢見て,”
JRCMニュース　第297号 (2011) p. 1.
http://www.jrcm.or.jp/jrcmnews/1107jn297.pdf
藤原康文:
“希土類添加半導体の新展開,
マテリアルインテグレーション　第24巻　第10号 (2011) pp. 18-22.
http://ci.nii.ac.jp/naid/40019077555

論文・プロシーディングス

D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Eu luminescence center created by Mg codoping in Eu-doped GaN”
Applied Physics Letters 100 (2012) pp. 171904/1-3.
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i17/p171904_s1
Y. Terai, K. Yoneda, K. Noda, N. Miura, and Y. Fujiwara:
“Effect of residual impurities on transport properties of β-FeSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy”
Journal of Applied Physics 112 (2012) pp. 013702/1-5.
http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v112/i1/p013702_s1
T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, K. Yoshida, and Y. Fujiwara:
“Concentration quenching in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
Journal of Luminescence 132 (2012) pp. 3125–3128.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311006958
T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, M. Kawabata, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Sm-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition”
Journal of Non-Crystalline Solids 358 (2012) pp. 2443-2445.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309311008222
H. Sasaki, T. Hisaka, K. Kadoiwa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Characteristics of SiN/GaAs interface under exposure to high-temperature and high-humidity conditions measured by photoreflectance spectroscopy”
IEICE Electronics Express 9(20) (2012) pp. 1592-1597.
https://www.jstage.jst.go.jp/article/elex/9/20/9_1592/_article
V. Kachkanov, M. J. Wallace, G. van der Laan, S. S. Dhesi, S. A. Cavill, Y. Fujiwara, and K. P. O’Donnell:
“Induced magnetic moment of Eu3+ ions in GaN”
Scientific Reports 2 (2012) pp. 969/1-5.
http://www.nature.com/srep/2012/121212/srep00969/full/srep00969.html
K. Mori, K. Watanabe, Y. Terai, Y. Fujiwara, and H. Yamashita:
“Hybrid mesoporous silica materials functionalized by Pt(II) complexes: Correlation between spatial distribution of active center, photoluminescence emission, and photocatalytic activity”
Chemistry – A European Journal 18 (2012) pp. 11371-11378.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/chem.201200959/abstract

国際会議発表

Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai: [Invited talk]
“Recent Progress in Red LEDs with Eu-doped GaN”
Optical Society of America Topical Meeting on Advances in Optical Materials (AIOM), ITh5B.4, San Diego, USA, February 1-3 (2012).
Y. Fujiwara: [Invited talk]
“Current status of environment-friendly red light-emitting diodes with Eu-doped GaN”
5th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2012), Nara, Japan, June 5-7 (2012).
Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Takanori Matsuno, Ryosuke Hasegawa, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara
“Control of Eu luminescence centers by codoping of Mg and Si in Eu-doped GaN”
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, TuP-PR-34, Sapporo convention center, Sapporo, Japan, October 14-19 (2012).
Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Dong-gun Lee, Yoshikazu Terai, Volkmar Dierolf, and Yasufumi Fujiwara
“Variation of luminescence properties in Eu-doped gallium nitride grown on GaN and sapphire substrates by organometallic vapor phase epitaxy”
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, TuP-PR-40, Sapporo convention center, Sapporo, Japan, October 14-19 (2012).
Takanori Matsuno, Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara
“Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by ﬂow-rate modulation epitaxy”
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, ThP-GR-44, Sapporo convention center, Sapporo, Japan, October 14-19 (2012).

HNNIS-8

Hideyuki Taguchi, Amane Kitahara, Syugo Miyake, Akimitu Nakaue and Yasufumi Fujiwara:
“Analysis of Dislocation in GaN Generated by Mechanical Wafer Dicing Process”
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-4, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).
Ryosuke Hasegawa, Ryuta Wakawatsu, Atsushi Koizumi, Hironori Ofuchi, Masayoshi Ichimiya, Dong-gun Lee, Yoshikazu Terai, Tetsuo Honma, Masaaki Ashida and Yasufumi Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy”
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-5, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).
Y. Kashiwagi, A. Koizumi, Y. Takemura, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, Y. Fujiwara, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and M. Nakamoto:
“Direct Transparent Electrode Formation on GaN Substrate by Screen Printing with Indium Tin Oxide Nanoparticle Pastes”
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-6, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).
Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara:
“Direct evidence for creation of Eu-Mg-H complex in Eu,Mg-codoped GaN”
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-7, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).
Atsushi Koizumi, Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Yasuhisa Saitoh, Yoshinori Kuboshima, Takayuki Mogi, Shintaro Higashi, Kaoru Kikukawa, Hironori Ofuchi, Tetsuo Honma, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara:
“Comparative Study on Luminescence Properties of Eu-doped GaN Grown Using Eu(DPM)3 and EuCppm2” 8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-8, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).
F. Elmasry, W. Zhang, Y. Fukuoka, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:
“ESR measurements of GaAs;Er,O” 8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-9, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).

国内会議発表

第73回応用物理学会学術講演会

小泉淳, 李東建, 久保島義則, 茂木隆行, 東慎太郎, 菊川薫, 若松龍太, 大渕博宣, 本間徹生, 寺井慶和, 藤原康文:
“新規有機Eu材料EuCppm2を用いたEu添加GaNのOMVPE成長”
第73回応用物理学会学術講演会, 12a-PA4-13, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
辻尭宏, 寺井慶和, 苗偉, Dierolf Volkmar, 藤原康文:
“Investigation of Eu3+ emission centers in Eu-doped ZnO by combined excitation emission spectroscopy”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-1, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
苗偉, 寺井慶和, 辻尭宏, Wei Cao, 藤原康文:
“Yb添加ZnO薄膜におけるYb3+発光の寿命評価”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-2, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
長谷川亮介, 若松龍太, 小泉淳, 寺井慶和, 藤原康文:
“選択成長により作製したEu添加GaNの発光特性評価”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-5, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
松野孝則, 若松龍太, 李東建, 小泉淳, 寺井慶和, 大渕博宣, 本間徹生, 藤原康文:
“FME成長Eu添加GaNにおけるEu発光特性の成長中断時間依存性”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-6, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
若松龍太, 李東建, 小泉淳, Volkmar Dierolf, 寺井慶和, 藤原康文:
“Luminescence properties of Eu-doped GaN grown on GaN substrate”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-7, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
李東建, 若松龍太, 小泉淳, 寺井慶和, Jon Poplawsky, Volkmar Dierolf, 藤原康文:
“Role of hydrogen on Eu-Mg optical centers in GaN:Eu,Mg”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-8, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
寺井慶和, 野田慶一, 藤原康文:
“β-FeSi2/Si DH構造における直接遷移エネルギーとヘテロ界面との相関”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F2-4, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
野田慶一, 寺井慶和, 藤原康文:
“Si(111)基板上へのGe添加β-FeSi2エピタキシャル膜の作製”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F2-5, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).
Han Pan, 伏見浩, Jingnan Cai, 小泉淳, 藤原康文, 和田一実:
“応力印加による歪量子井戸InGaAs/GaAs梁構造のバンドギャップ制御”
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-C5-9, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成24年度第1回研究会

長谷川亮介, 若松龍太, 小泉淳, 大渕博宣, 一宮正義, 李東建, 寺井慶和, 本間徹生, 芦田昌明, 藤原康文
“OMVPE法によるEu添加GaNの選択成長と発光特性評価”
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成24年度第1回研究会, A02, 和歌山大学, 和歌山県和歌山市, 9月29日(2012).
若松龍太, 李東建, 小泉淳, 寺井慶和, 藤原康文
“自立GaN基板上に成長したEu添加GaNの発光特性評価”
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成24年度第1回研究会, A03, 和歌山大学, 和歌山県和歌山市, 9月29日(2012).

研究会

EMS-31

K. Noda, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Growth condition dependence of Ge doping into β-FeSi2 epitaxial film by MBE method”
ベータ鉄シリサイドエピタキシャル膜におけるゲルマニウムドーピングの成長条件依存性
31st Electronic Materials Symposium, We2-6, pp. 39-40, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月11日(2012).
D. Lee, R. Wakamatsu, T. Matsuno, R. Hasegawa, A. Koizumi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Eu luminescence properties in Eu,Mg,Si-codoped GaN”
Eu,Mg,Si 共添加窒化ガリウムにおける Eu の発光特性
31st Electronic Materials Symposium, Th1-17, pp. 113-114, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).
T. Matsuno, D. Lee, R. Wakamatsu, A. Koizumi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Growth and optical properties of Eu-doped GaN grown with flow-rate modulation epitaxy”
流量変調エピタキシーによる Eu 添加 GaN の作成と発光特性評価
31st Electronic Materials Symposium, Th1-18, pp. 115-116, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).
R. Wakamatsu, A. Koizumi, D. Lee, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Anomalous luminescence peak observed in Eu-doped gallium nitride”
Eu 添加 GaN において観測される特異な発光ピーク
31st Electronic Materials Symposium, Th1-19, pp. 117-120, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).
R. Hasegawa, R. Wakamatsu, A. Koizumi, H. Ofuchi, D. Lee, Y. Terai, T. Honma, and Y. Fujiwara:
Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy
有機金属気相エピタキシャル法による選択成長を用いた Eu 添加 GaNの成長とその発光特性評価
31st Electronic Materials Symposium, Th1-20, pp. 121-122, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).
W. Miao, Y. Terai, T. Tsuji, W. Cao, and Y. Fujiwara:
“Photoluminescence properties of Yb-doped ZnO grown by sputtering-assisted MOCVD”
スパッタリング併用 MOCVD 法により作製した Yb 添加 ZnO の光学特性評価
31st Electronic Materials Symposium, Th1-21, pp. 123-124, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).
T. Tsuji, Y. Terai, W. Miao, H. Hatagishi and Y. Fujiwara:
“PL properties of Eu3+ in Eu,Au-codoped ZnO grown by SA-MOCVD”
SA-MOCVD 法で成長した Eu,Au 共添加 ZnO における Eu3+発光特性の評価
31st Electronic Materials Symposium, Th1-22, pp. 125-126, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).

解説等

論文・プロシーディングス

Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, Jonathan D. Poplawsky, Volkmar Dierolf, and Yasufumi Fujiwara:
“Effect of thermal annealing on luminescence properties of Eu,Mg-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
Applied Physics Letters 102 (2013) pp. 141904/1-4.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4800447
Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara:
“Control of Eu Luminescence Centers by Codoping of Mg and Si into Eu-Doped GaN”
Japanese Journal of Applied Physics 52 (2013) 08JM01/1-4.
http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.52.08JM01
Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Atsushi Koizumi, Volkmar Dierolf, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara:
“Luminescence Properties of Eu-Doped GaN Grown on GaN Substrate”
Japanese Journal of Applied Physics 52 (2013) 08JM03/1-5.
http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.52.08JM03
藤原康文, 李東建, 若松龍太, 松野孝則, 瀬野裕三, 大渕博宣, 本間徹生:
“X線吸収微細構造測定によるEu添加GaNにおけるEuイオンの周辺局所構造(VII)”
SPring-8/SACLA利用研究成果集 1(2) (2013) 69.
http://user.spring8.or.jp/resrep/?p=482
Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Atsushi Koizumi, Volkmar Dierolf, and Yasufumi Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped GaN under resonant excitation and quantitative evaluation of luminescent sites”
Journal Applied Physics 114 (2013) 043501/1-5.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4816088
K. Noda, Y. Terai, and Y. Fujiwara:
“Growth condition dependence of Ge-doped β-FeSi2 epitaxial film by molecular beam epitaxy”
Journal of Crystal Growth 378 (2013) 376-380.
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024812007853
B. Mitchell, D. Lee, D. Lee, A. Koizumi, J. Poplawsky, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Electron-beam-induced migration of hydrogen in Mg-doped GaN using Eu as a probe”
Physical Review B 88 (2013) 121202(R)/1-5.
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.88.121202
Takahiro Tsuji, Yoshikazu Terai, Muhammad Hakim Bin Kamarudin, and Yasufumi Fujiwara:
“Formation of Eu3+ Luminescent Centers in Eu-Doped ZnO Grown by Sputtering-Assisted Metalorganic Chemical Vapor Deposition”
Japanese Journal of Applied Physics 52 (2013) 111101.
http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/52/111101/
J. D. Poplawsky, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Defect roles in the excitation of Eu ions in Eu:GaN”
Optics Express 21 (2013) 30633-30641.
http://www.opticsinfobase.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-21-25-30633
B. Mitchell, D. Lee, D. Lee, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Vibrationally induced center reconfiguration in co-doped GaN:Eu,Mg epitaxial layers: Local hydrogen migration vs. activation of non-radiative channels”
Applied Physics Letters 103 (2013) 242105/1-4.
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/103/24/10.1063/1.4846575
Y. Terai, N. Suzuki, K. Noda, and Y. Fujiwara:
“Conduction properties of β-FeSi2 epitaxial films with low carrier density”
Physica Status Solidi C 10 (2013) 1696-1698.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201300342/abstract

国際会議発表

Atsushi Koizumi, Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Yasuhisa Saitoh, Yoshinori Kuboshima, Takayuki Mogi, Shintaro Higashi, Kaoru Kikukawa, Hironori Ofuchi, Tetsuo Honma, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy using a new Eu precursor bis(n-propyltetramethylcyclopentadienyl)europium”
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), Tha-B02OB, Nagoya University, Nagoya, Japan, January 28-February 1 (2013).
Ryosuke Hasegawa, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Hironori Ofuchi, Masayoshi Ichimiya, Dong-gun Lee, Yoshikazu Terai, Tetsuo Honma, Masaaki Ashida, and Yasufumi Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy”
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), P3055B, Nagoya University, Nagoya, Japan, January 28-February 1 (2013).
Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara:
“Site-selective characterization of Eu ion in gallium nitride”
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), P3085B, Nagoya University, Nagoya, Japan, January 28-February 1 (2013).
Y. Kashiwagi, A. Koizumi, Y. Takemura, S. Furuta, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, Y. Fujiwara, K. Murahashi, K. Ohtsuka, M. Nakamoto:
“Transparent Conductive Oxide Patterning on GaN Substrate by Screen Printing with Nanoparticle Pastes”
International Conference on Electronics Packaging 2013 (ICEP 2013), TB2-1, Osaka International Convention Center, Osaka, Japan, April 10-12 (2013).
Dong-gun Lee, Masaaki Matsuda, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara:
“Site-selective formation of Eu luminescent centers by oxygen codoping in Eu-doped GaN”
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013), TuA1-6, Kobe Convention Center, Kobe, Japan, May 19-23 (2013).
B. Mitchell, J. Poplawsky, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Modification of Eu incorporation stes by the dissociation of hydrogen defect complexes in Mg and Eu co-doped gallium nitride”
European Conference on Lasers and Electro-Optics and the XIIIth International Quantum Electronics Conference (CLEO®/Europe-IQEC), Munich, Germany, May 12-16 (2013).
Y. Fujiwara and A. Koizumi: [Invited talk]
“Eu-doped GaN and its application to nitride-based red light-emitting diodes”
Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013, Jeju, Korea, June 24-28 (2013).
Y. Terai, N. Suzuki, K. Noda, and Y. Fujiwara:
“Conduction properties of β-FeSi2 epitaxial films with low carrier density”
Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013), University of Tsukuba,Tsukuba, Japan, July 27-29 (2013).
Y. Fujiwara: [Keynote]
“Rare-earth doped semiconductors and their application to novel light-emitting devices”
8th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM8), Waikoloa, Hawaii, USA, August 4-9 (2013).
Y. Fujiwara and A. Koizumi: [Invited talk]
“Development of properties and functionalities by precise control of rare earth doping”
17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), Warsaw, Poland, August 11-16 (2013).
R. Okada, W. Miao, Y. Terai, T. Tsuji, and Y Fujiwara:
“Sputtering-assisted metal-organic chemical vapor deposition of Yb-doped ZnO for photonic conversion in Si solar cells”
The 16th International Conference on II-VI Compound and Related Materials (II-VI 2013), Mo-A5, Nagahama, Japan, September 9-13 (2013).
Hideyuki Taguchi, Amane Kitahara, Syugo Miyake, Akimitsu Nakaue, and Yasufumi Fujiwara:
“Analysis of Crystalline in GaN Epitaxial Layer after the Wafer Dicing Process”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 16p-PM1-8, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Atsushi Koizumi, Ryousuke Hasegawa, Ryuta Wakamatsu, Takehiro Tamaoka and Yasufumi Fujiwara:
“Controlled Formation of Semipolar {n-n01} GaN Facets by Eu Doping in Organometallic Vapor Phase Epitaxy”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 16p-PM1-28, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Yasufumi Fujiwara and Hitoshi Ohta: [Invited talk]
“Cooperative behaviors between erbium ions codoped with oxygen in GaAs”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium H, 18a-M4-1, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Dong-gun Lee, Masaaki Matsuda, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara:
“Doping and luminescence characteristics of Eu,Ocodoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 18p-PM2-1, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Takanori Arai, Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures grown by organometallic vapor phase epitaxy”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 18p-PM2-2, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Atsushi Koizumi, Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, and Yasufumi Fujiwara: [Invited talk]
“Recent Progress of Eu-Doping to GaN by Organometallic Vapor Phase Epitaxy”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 19a-M5-1, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Wieteke D.A.M. deBoer, Chiron McGonigle, Yasufumi Fujiwara, Hong Zhang, Wybren J. Buma, Katerina Dohnalova, and Tom Gregorkiewicz: [Invited talk]
“Optical characterization Eu-doped GaN layers grown by OMVPE”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 19a-M5-2, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Atsushi Koizumi, Volkmar Dierolf, and Yasufumi Fujiwara:
“Distribution of luminescent sites in Eu-doped GaN grown on GaN and sapphire substrates by organometallic vapor phase epitaxy”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 19a-M5-3, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Hironori Ofuchi, Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Atsushi Koizumi, Tetsuo Honma, and Yasufumi Fujiwara:
“Fluorescence XAFS analysis for Eu-doped GaN layers by organometallic vapor phase epitaxy using a new Eu precursor bis(npropyltetramethylcyclopentadienyl)europium”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 19a-M5-4, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Brandon Mitchell, D. Lee, R. Wakamatsu, A. Koizumi, Yasufumi Fujiwara, and Volkmar Dierolf:
“Modification of Eu Incorporation Sites Induced by Electron Beam Irradiation in Eu and Mg co-doped GaN”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 19a-M5-5, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Vyacheslav Kachkanov, Kevin O’Donnell, Gerrit van der Laan, and Yasufumi Fujiwara: [Invited talk]
“Induced magnetic moment of Eu3+ ions in GaN”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 19p-M5-2, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
Hitoshi Ohta, Fatma Elmasry, Weimin Zhang, Yohei Fukuoka, Susumu Okubo, and Yasufumi Fujiwara:
“Photoluminescent Material GaAs:Er,O Studied by ESR”
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium I, 19p-M5-4, Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20 (2013).
H. Ohta, F. Elmasry, S. Okubo, T. Shimokawa, Y. Fujiwara, and T. Kita:
“ESR Studies of Magnetic Semiconductors”
NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices, Kasugano-so, Nara, Japan, September 20-23 (2013).
V. Kachkanov, K. O’Donnell, G. van der Laan, and Y. Fujiwara:
“Induced Magnetic Moment of Eu3+ Ions in GaN”
NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices, Kasugano-so, Nara, Japan, September 20-23 (2013).
Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, V. Dierolf, and A. Koizumi:
“Local-structure Dependent Energy Transfer from the Host to Eu Ions in Eu-doped GaN”
NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices, Kasugano-so, Nara, Japan, September 20-23 (2013).
A. Koizumi, R. Wakamatsu, D. Lee, Y. Saitoh, Y. Kuboshima, Y. Mogi, S. Higashi, K. Kikukawa, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara:
“Growth of Eu-doped GaN using an oxygen-free liquid Eu source bis(n-propyltetramethylcyclopentadienyl)europium by organometallic vapor phase epitaxy and its luminescence properties”
NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices, Kasugano-so, Nara, Japan, September 20-23 (2013).
B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Discrepancies in the optical and magneto-optical spectra of Eu:GaN: what is the nature of the majority site?”
NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices, Kasugano-so, Nara, Japan, September 20-23 (2013).
R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Mutual energy transfer between Eu luminescent sites in GaN under resonant excitation”
NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices, Kasugano-so, Nara, Japan, September 20-23 (2013).
Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, V. Dierolf, and A. Koizumi: [Invited talk]
“Local-structure dependent energy transfer from the host to Eu ions in Eu-doped GaN”
International Workshop on Luminescent Materials 2013 (LumiMat’13), I-8, Kyoto University, Kyoto, Japan, November 14-15 (2013).
Y. Fujiwara, D. Lee, R. Wakamatsu, and A. Koizumi: [Invited talk]
“Recent progress in GaN-based red light-emitting diodes using Eu by organometallic vapor phase epitaxy”
International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC’2013), L5, Rio Hotel, Las Vegas, USA, December 2-6 (2013).

国内会議発表

大渕博宣, 長谷川亮介, 李東建, 若松龍太, 松野孝則, 小泉淳, 本間徹生, 藤原康文
“蛍光XAFS法による選択成長Eu添加GaN中のEuイオン周辺局所構造解析”
第60回応用物理学会春季学術講演会, 27a-PA7-2, 神奈川工科大学, 神奈川県厚木市, 3月27-30日 (2013).
長谷川亮介, 若松龍太, 玉岡武泰, 小泉淳, 藤原康文
“Eu添加による選択成長GaNのファセット制御”
第60回応用物理学会春季学術講演会, 27p-G21-9, 神奈川工科大学, 神奈川県厚木市, 3月27-30日 (2013).
若松龍太, 李東建, 小泉淳, 藤原康文
“Eu添加GaNの共鳴励起下における発光特性評価と発光中心の定量評価”
第60回応用物理学会春季学術講演会, 28a-G5-6, 神奈川工科大学, 神奈川県厚木市, 3月27-30日 (2013).
若松龍太, 斎藤泰久, 李東建, 大渕博宣, 本間徹生, 小泉淳, 藤原康文
“Eu添加GaNにおける発光中心のEu原料依存性”
第60回応用物理学会春季学術講演会, 28a-G5-7, 神奈川工科大学, 神奈川県厚木市, 3月27-30日 (2013).
李東建, 松田将明, 若松龍太, 小泉淳, 藤原康文
“Eu添加GaNにおける酸素共添加によるEu発光中心の形成制御”
第60回応用物理学会春季学術講演会, 28a-G5-8, 神奈川工科大学, 神奈川県厚木市, 3月27-30日 (2013).
田口秀幸, 北原周, 三宅修吾, 中上明光, 藤原康文
“GaNエピタキシャル膜中の転位とメカニカルダイシングプロセスの相関性”
第60回応用物理学会春季学術講演会, 29a-G21-10, 神奈川工科大学, 神奈川県厚木市, 3月27-30日 (2013).
藤原康文, 小泉淳: 【チュートリアル】
“希土類元素を極める～希土類添加窒化物半導体から何が見えてくるか～”
第5回窒化物半導体結晶成長講演会, 大阪大学吹田キャンパス, 大阪府吹田市, 6月21-22日(2013).
松田将明, 李東建, 若松龍太, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu添加GaNへ及ぼす酸素共添加の効果”
第5回窒化物半導体結晶成長講演会, ST12, 大阪大学吹田キャンパス, 大阪府吹田市, 6月21-22日(2013).
稲葉智宏, 李東建, 若松龍太, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu添加GaN赤色LEDにおけるEu発光強度の電極面積依存性”
第5回窒化物半導体結晶成長講演会, ST13, 大阪大学吹田キャンパス, 大阪府吹田市, 6月21-22日(2013).
桑田宗一郎, 小泉淳, 藤原康文:
“有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNのDLTS評価”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-P2-10, 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府京田辺市, 9月16-20日(2013).
松田将明, 李東建, 若松龍太, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu,O共添加GaNにおけるEu発光特性への成長圧力の効果”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-D7-2, 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府京田辺市, 9月16-20日(2013).
稲葉智宏, 李東建, 若松龍太, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu添加GaN赤色LEDにおけるEu発光強度の電極面積依存性
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-D7-3, 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府京田辺市, 9月16-20日(2013).
田口秀幸, 北原周, 三宅修吾, 中上明光, 鈴木敦志, 上山智, 藤原康文:
“GaNエピタキシャル膜中の転位とウエハダイシングプロセスの相関性
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-B5-13, 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府京田辺市, 9月16-20日(2013).

研究会

藤原康文: 【招待講演】
“希土類元素がもたらす桃源郷！～希土類添加半導体と発光ダイオードへの応用～”
大阪大学光科学センター・りそな中小企業振興財団　技術懇親会「先進光源と産業応用」, 大阪大学銀杏会館, 吹田市, 2月8日（2013）.
藤原康文: 【招待講演】
“希土類元素を極める　～「希土類添加半導体」を題材として～”
平成24年度大阪大学「物質・材料科学研究推進機構」講演会「物質科学における分野融合」, 大阪大学理学部, 吹田市, 3月4日（2013）.
藤原康文: 【招待講演】
“窒化物半導体赤色LEDの現状と将来展望～希土類元素がもたらす桃源郷！”
SEMI FORUM JAPAN 2013, グランキューブ大阪, 大阪市北区, 5月22日（2013）.
T. Arai, R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Enhancement of red luminescence intensity in Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures grown by organometallic vapor phase epitaxy”(有機金属気相エピタキシャル法で成長したEu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造における赤色発光の増大)
32nd Electronic Materials Symposium, We2-22, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月10-12日 (2013).
R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped GaN under resonant excitation and quantitative evaluation of luminescent sites”(共鳴励起下のEu添加 GaN の発光特性評価と発光中心の定量評価)
32nd Electronic Materials Symposium, We2-24, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月10-12日 (2013).
藤原康文: 【招待講演】
“Eu添加GaN赤色発光ダイオードの現状と将来展望”
CRESTパワー・先端素子半導体に関するシンポジウム, 北海道大学情報科学研究科, 札幌市, 7月19日 (2013).
荒居孝紀, 若松龍太, 李東建, 小泉淳, 藤原康文:
“赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性”
電子情報通信学会電子デバイス研究会, ED2013-77, 大阪大学, 大阪府吹田市, 11月28-29日 (2013).
桒田宗一郎, 小泉淳, 藤原康文:
“有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定”
電子情報通信学会電子デバイス研究会, ED2013-78, 大阪大学, 大阪府吹田市, 11月28-29日 (2013).

解説等

小泉淳, 藤原康文:
“希土類添加半導体の精密制御成長と発光機能”
スマートプロセス学会誌 2 (2013) pp. 213-218.
藤原康文:
“Eu添加GaN赤色発光ダイオード～電気を流してEuを光らせる～”
オプトロニクス　第382号 (2013) pp. 114-118.

顕彰

藤原康文
1. APEX/JJAP Editorial Contribution Award
2. The Japan Society of Applied Physics
3. 2013年4月10日
藤原康文
1. 平成25年度大阪大学総長顕彰（研究部門）
2. 国立大学法人大阪大学
3. 2013年8月22日

論文・プロシーディングス

Masashi Ishii, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Takeda, and Yasufumi Fujiwara:
“Discrimination between energy transfer and back transfer processes for GaAs host and Er luminescent dopants using electric response analysis”
Journal of Applied Physics 115 (2014) pp. 133510/1-5.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4870808
Yasufumi Fujiwara and Volkmar Dierolf:
“Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
Japanese Journal of Applied Physics 53 (2014) pp. 05FA13/1-8.
http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.53.05FA13
H. Taguchi, A. Kitahara, S. Miyake, A. Nakae, and Y. Fujiwara:
“Analysis of crystalline in GaN epitaxial layer after the wafer dicing process”
Proceedings of MRS, Vol. 1593 (2013).
http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.1203
F. Elmasry, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:
“ESR study of Er-concentration effect in GaAs;Er,O containing charge carriers”
Journal of Applied Physics 115 (2014) pp. 193904/1-7.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4876487
D. Lee, B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Thermodynamics and kinetics of three Mg-H-VN complexes in Mg:GaN – A combined First-Principle and experimental study”
Physical Review Letters 112 (2014) pp. 205501/1-5.
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.112.205501
B. Mitchell, J. Poplawsky, D. Lee, Koizumi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“The role of donor-acceptor pairs in the excitation of Eu-ions in GaN:Eu epitaxial layers”
Journal of Applied Physics 115 (2014) pp. 204501/1-7.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4879253
W. D. Boer, C. McConigle, T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, S. Tanabe, and P. Stallinga:
“Optical activity and external photoluminescence quantum efficiency of Eu3+ in GaN”
Scientific Reports 4 (2014) pp. 5235/1-5.
http://dx.doi.10.1038/srep05235
R. Okada, W. Miao, Y. Terai, T. Tsuji, and Y. Fujiwara:
“Sputtering-assisted metal-organic chemical vapor deposition of Yb-doped ZnO for photonic conversion in Si solar cells”
Physica Status Solidi C 11 (2014) pp. 1292-1295.
http://dx.doi.10.1002/pssc.201300614
R. Wakamatsu, D. Timmerman, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Afterglow of Eu-related emission in Eu-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy”
Journal of Applied Physics 116 (2014) pp. 043515/1-6.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4891232
Masashi Ishii, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara:
“Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges”
Applied Physics Letters 105 (2014) 171903/1-4.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4900840
Y. Kashiwagi, A. Koizumi, Y. Takemura, S. Furuta, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, Y. Fujiwara, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and M. Nakamoto:
“Direct transparent electrode patterning on layered GaN substrate by screen printing of indium tin oxide nanoparticle ink for Eu-doped GaN red light-emitting diode”
Applied Physics Letters 105 (2014) 223509/1-4.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4903234

国際会議発表

F. Elmasry, W. Zhang, Y. Fukuoka, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:
“ESR study of Er-concentration effect in GaAs;Er,O containing charge carrier”
1st Kansai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P20, February 3-4 (2014).
Tomohiro Inaba, Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Takanori Kojima, Atsushi Koizumi, and Yasufumi Fujiwara:
“Improvement of Eu transition probability in Eu,O-codoped GaN by microcavity”
1st Kansai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P50, February 3-4 (2014).
Atsushi Koizumi, Souichirou Kuwata, and Yasufumi Fujiwara:
“Eu-related traps in Eu,Si-codoped GaN studied by deep level transient spectroscopy”
1st Kansai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P65, February 3-4 (2014).
R. Wakamatsu, D. Timmerman, K. Tanaka, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Energy transfer between Eu luminescent sites in Eu-doped GaN under resonant excitation”
1st Kansai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P66, February 3-4 (2014).
Y. Kashiwagi, A. Koizumi, Y. Takemura, S. Furuta, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, Y. Fujiwara, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and M. Nakamoto:
“Direct transparent electrode patterning by screen printing with indium tin oxide nanoparticle ink for Eu-doped GaN red-light-emitting diode”
1st Kansai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P77, February 3-4 (2014).
T. Inaba, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Enhancement of photoluminescence intensity in Eu,O-codoped GaN by microcavity”
41st International Symposium on Compound Semiconducotrs (ISCS2014), We-C2-2, Montpellier, France, May 11-15 (2014).
Y. Fujiwara, D. Lee, A. Koizumi, B. Mitchell, and V. Dierolf: [Invited Talk]
“Effects of impurity codoping on luminescence properties in Eu-doped GaN”
5th International Workshop on Photoluminescence Rare Earths (PRE’14): Photonic Materials and Devices, I-2, San Sebastian, Spain, May 14-16 (2014).
T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara:
“Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum wells on semipolar {1-101} and {2-201} facets formed using selective-area growth of Eu-doped GaN”
5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5), MB2-4, Jeju, Korea, June 1-5 (2014).
Y. Fujiwara: [Invited Talk]
“Rare-earth-doped Semiconductors and their application to photonic devices”
Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2014, Incheon, Korea, June 22-28 (2014).
Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, and A. Koizumi: [Invited Talk]
“Strain-dependent energy transfer from GaN host to Eu ions in Eu-doped GaN”
16th International Conference on High Pressure in Semiconductor Physics, Inv-8, Mexico City, Mexico, August 6-8 (2014).
A. Koizumi, S. Kuwata, and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
“Optical and electrical properties of Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor-phase epitaxy”
Energy Materials Nanotechnology Open Access Week (2014 EMN Open), A31, Chengdu, China, September 22-25 (2014).
Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]
“Eu-doped GaN and its application to environmentally-friendly red light-emitting diodes”
The second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN2014), IN04, Hanoi, Vietnam, October 29-November 1 (2014).
D. Timmerman and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
“Energy transfer processes in Eu-doped GaN”
The second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN2014), IN19, Hanoi, Vietnam, October 29-November 1 (2014).
Y. Fujiwara, D. Timmerman, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]
“Europium-doped gallium nitride and its application to environmentally-friendly red light-emitters”
1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program, IL7, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, November 16-19 (2014).
J. Takatsu, M. Matsuda, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Effects of oxygen codoping on Eu luminescence properties in Eu-doped GaN”
1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program, PP-17, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, November 16-19 (2014).
W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Formation of efficient Eu luminescent centers in Eu-doped GaN by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy”
1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program, PP-19, Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, November 16-19 (2014).
Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, B. Mitchell, A. Koizumi, and V. Dierolf: [Invited Talk]
“Eu site-dependent energy transfer in red light emitter of Eu-doped GaN”
2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics, T4.05, Boston, USA, November 30-December 5 (2014).
W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Low-temperature growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy”
2014 MRS Fall Meeting, Symposium T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics, T4.06, Boston, USA, November 30-December 5 (2014).
A. Morikawa, K. Mizuguchi, and Y. Fujiwara:
“High-power SHG green lasers using periodically poled Mg-doped stoichiometric LiTaO3 and fiber lasers”
18th SANKEN International, The 13th SANKEN Nanotechnology Symposium, 2nd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 10th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PB-31, The Congres Convention Center, Osaka, Japan, December 10-11 (2014).
A. Koizumi, K. Okada, T. Shigemune, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
“Temperature dependence of photoconductivity in Eu-doped GaN”
18th SANKEN International, The 13th SANKEN Nanotechnology Symposium, 2nd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 10th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PB-47, The Congres Convention Center, Osaka, Japan, December 10-11 (2014).
T. Inaba, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Enhancement of photoluminescence intensity in Eu-doped GaN by improvement of directionality”
18th SANKEN International, The 13th SANKEN Nanotechnology Symposium, 2nd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 10th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PB-48, The Congres Convention Center, Osaka, Japan, December 10-11 (2014).
T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Improvement of Eu internal quantum efficiency in Eu-doped GaN by surface plasmon resonance”
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2014), Tu-O32, Kaohsiung, Taiwan, December 14-19 (2014).

国内会議発表

稲葉智宏, 李東建, 若松龍太, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
“自然放出速度の増加によるEu添加GaNの発光強度増大”
応用物理学会関西支部第3回支部講演会, P-025, 大阪大学吹田キャンパス, 大阪府吹田市, 2月28日 (2014).
岸本大希, 岡田竜太朗, 立山侑佐, 小泉淳, 藤原康文:
“スパッタリング併用MOCVD法によるTm添加ZnO薄膜の作製とTm発光特性の評価”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-6, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
荒居孝紀, 若松龍太, 李東建, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸LEDにおける赤色発光効率の増大”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-8, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
若松龍太, Timmerman Dolf, 田中一輝, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu添加GaNにおけるEu発光中心間の相互エネルギー輸送”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-9, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
岡田浩平, 若松龍太, ドルフティママン, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
“二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送プロセス評価”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-10, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
稲葉智宏，李東建，若松龍太，児島貴徳，小泉淳，藤原康文:
“微小光共振器によるEu,O共添加GaNのEu発光強度増大”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-11, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
松田将明, 若松龍太, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu添加GaNにおけるEu発光特性へのO共添加効果”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-12, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
大渕博宣, 李東建, 松田将明, 若松龍太, 朱婉新, 小泉淳, 本間徹生, 藤原康文:
“蛍光XAFS法によるEu,O共添加GaN中のEuイオン周辺局所構造解析”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-13, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
石井真史, 小泉淳, 竹田美和, 藤原康文:
“Er,O共添加GaAsのエネルギー伝搬/逆伝搬の個別観測”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-E11-14, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
若松龍太，李東建，DolfTimmerman，児島貴徳，小泉淳，藤原康文:
“Eu添加GaNにおけるEu発光中心の局所構造に依存したエネルギー輸送”
第61回応用物理学会春季学術講演会, 19p-E13-11, 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県相模原市, 3月17-20日 (2014).
稲葉智宏，李東建，若松龍太，児島貴徳，小泉淳，藤原康文:
“発光遷移確率の制御によるEu,O共添加GaNのEu発光強度増大”
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会第6回窒化物半導体結晶成長講演会, St-16，名城大学天白キャンパス，名古屋市天白区，7月25-26日 (2014).
児島貴徳，高野翔太，長谷川亮介，Dolf Timmerman，小泉淳，船戸充，川上養一，藤原康文:
“Eu添加GaNを用いた選択成長によって形成した半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の発光特性”
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会第6回窒化物半導体結晶成長講演会, St-17，名城大学天白キャンパス，名古屋市天白区，7月25-26日 (2014).
重宗翼、小泉淳、柏木行康、垣内宏之、竹村康孝、山本真理、斉藤大志、高橋雅也、大野敏信、中許昌美、青柳伸宜、吉田幸雄、村橋浩一郎、大塚邦顕、藤原康文:
“銀ナノインクを用いたスクリーン印刷によるGaN 系青色発光ダイオードへの電極形成”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 17a-A27-1，北海道大学札幌キャンパス，札幌市，9月17-20日 (2014).
朱婉新、Timmerman Dolf、小泉淳、藤原康文:
“Growth and characterization of Eu-doped GaN by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-A24-2，北海道大学札幌キャンパス，札幌市，9月17-20日 (2014).
松田将明、朱婉新、児島貴徳、小泉淳、藤原康文:
“Eu添加GaNにおけるZn,O共添加による新たなEu発光中心の形成”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-A24-3，北海道大学札幌キャンパス，札幌市，9月17-20日 (2014).
稲葉智宏、児島貴徳、小泉淳、藤原康文:
“局在表面プラズモン共鳴によるEu添加GaNのEu発光強度増大”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-A24-4，北海道大学札幌キャンパス，札幌市，9月17-20日 (2014).
岡田浩平、若松龍太、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉敦、藤原康文:
“二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送効率の評価”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-A24-5，北海道大学札幌キャンパス，札幌市，9月17-20日 (2014).
小泉淳、若松龍太、ドルフティマーマン、田中一輝、児島貴徳、藤原康文:
“各種基板上に成長したEu添加GaNにおけるEu発光中心間の相互エネルギー輸送に対する歪みの効果”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-A24-6，北海道大学札幌キャンパス，札幌市，9月17-20日 (2014).
児島貴徳、高野翔太、長谷川亮介、Dolf Timmerman、小泉淳、船戸充、川上養一、藤原康文:
“Eu添加GaNを用いた選択成長によって形成した半極性面上におけるInGaN/GaN多重量子井戸の発光特性”
第75回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB6-16，北海道大学札幌キャンパス，札幌市，9月17-20日 (2014).
藤原康文、児島孝徳、Dolf Timmerman、小泉淳: 【基調講演】
“希土類元素を極める ―希土類添加半導体から何が見えてくるのか―”
日本金属学会2014年秋期講演大会公募シンポジウム「S3 エレクトロニクス薄膜材料の科学と技術 Ⅱ」, S3-8，名古屋大学東山キャンパス，名古屋市千種区，9月24-26日 (2014).

研究会

藤原康文: 【招待講演】
“Eu添加GaN赤色発光ダイオードの現状と将来展望”
レーザー学会第9回「レーザーの農業応用」専門委員会, 大阪大学吹田キャンパス, 大阪府吹田市, 2月21日 (2014).
藤原康文: 【招待講演】
“希土類元素がもたらす桃源郷～希土類添加半導体とLEDへの応用～”
日本フォトニクス協議会関西設立記念講演会, 大阪商工会議所, 大阪府大阪市中央区, 3月20日 (2014).
藤原康文: 【招待講演】
“希土類添加半導体を用いた狭帯域／波長超安定光源の開発”
京都大学再生医科学研究所田畑泰彦教授研究室セミナー, 京都大学再生医科学研究所, 京都府左京区, 4月12日 (2014).
藤原康文、若松龍太、小泉淳: 【招待講演】
“Eu添加GaNにおける赤色発光効率のEuイオン局所構造依存性”
第353回蛍光体同学会講演会, 化学会館ホール, 東京都千代田区, 6月6日 (2014).
T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara:
“Luminescent properties of InGaN/GaN multiple quantum wells on semipolar {1-101} and {2-201} facets formed using selective-area growth of Eu-doped GaN”
(Eu添加GaNを用いた選択成長による半極性{1-101}および{2-201}面上に形成したInGaN/GaN多重量子井戸の発光特性)
33nd Electronic Materials Symposium, Th2-22, ラフォーレ修善寺, 静岡県伊豆市, 7月9-11日 (2014).
A. Koizumi, S. Kuwata, and Y. Fujiwara:
“Eu-related traps in Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor-phase epitaxy”
(有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNのトラップ準位評価)
33nd Electronic Materials Symposium, Th2-23, ラフォーレ修善寺, 静岡県伊豆市, 7月9-11日 (2014).
T. Inaba, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Enhancement of photoluminescence intensity in Eu-doped GaN by microcavity”
(微小共振器によるEu添加GaNのEu発光強度増大)
33nd Electronic Materials Symposium, Fr1-9, ラフォーレ修善寺, 静岡県伊豆市, 7月9-11日 (2014).
重宗翼，小泉淳，柏木行康，垣内宏之，竹村康孝，山本真理，斉藤大志，高橋雅也，大野敏信，中許昌美，青柳伸宜，吉田幸雄，村橋浩一郎，大塚邦顕，藤原康文:
“銀ナノインクを用いたスクリーン印刷によるGaN系青色発光ダイオードへの電極形成と電気的・光学的評価”
平成26年度日本材料学会第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, A-5，大阪大学吹田キャンパス，吹田市，7月26日 (2014).
岡田浩平，若松龍太，Dolf Timmerman，児島貴徳，小泉淳，藤原康文:
“二波長励起PL測定によるEu添加GaNのエネルギー輸送機構の解明”
平成26年度日本材料学会第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, B-6，大阪大学吹田キャンパス，吹田市，7月26日 (2014).
松田将明，李東建，高津潤一，児島貴徳，小泉淳，藤原康文:
“Eu添加GaNに及ぼすO共添加の効果”
平成26年度日本材料学会第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, B-7，大阪大学吹田キャンパス，吹田市，7月26日 (2014).
藤原康文: 【招待講演】
“希土類元素を極める　～希土類添加半導体を題材として～”
京都大学化学研究所，京都府宇治市，7月28-29日 (2014).
藤原康文，小泉淳，大渕博宣，本間徹生: 【招待講演】
“希土類元素を極める　～Eu添加GaNから何が見えてきたか～”
第17回XAFS討論会，2I-01，徳島大学総合科学部，徳島市，9月1-3日 (2014).
稲葉智宏、李東建、若松龍太、児島貴徳、小泉淳、藤原康文:
“プラズモンカップリングと微小共振器によるEu添加GaNの発光強度増大”
平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、A-1、神戸大学大学院工学研究科、神戸市、11月8日 (2014).
朱婉新、Dolf Timmerman、Brandon Mitchell、小泉淳、藤原康文:
“低温OMVPE成長Eu添加GaNの作製と発光特性評価”
平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、A-2、神戸大学大学院工学研究科、神戸市、11月8日 (2014).
岸本大希、岡田竜太朗、立山侑佐、児島貴徳、小泉淳、藤原康文:
“新規波長変換材料Tm添加ZnOの作製とその発光特性の評価”
平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、A-5、神戸大学大学院工学研究科、神戸市、11月8日 (2014).
稲葉智宏、李東建、若松龍太、児島貴徳、小泉淳、藤原康文:
“微小光共振器によるEu添加GaNのEu発光強度増大”
電子情報通信学会電子部品・材料研究会、ED2014-95・CPM2014-152・LQE2014-123、大阪大学、大阪府吹田市、11月27-28日 (2014).
藤原康文、Dolf Timmerman、児島貴徳、小泉淳: 【特別講演】
“希土類元素の精密ドーピングによる半導体光機能性の制御”
第25回光物性研究会，神戸大学百年記念会館，神戸市，12月12-13日 (2014).

解説等

藤原康文, 小泉淳:
“希土類添加GaNとLED応用”
レーザー研究 42(3) (2014) pp. 211-215.
Y. Fujiwara:
“First demonstration of environmentally friendly nitride-based red light-emitting diodes”
Osaka University Prospectus 2014 (2014) pp. 12-13.

顕彰

岡田竜太朗
1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程2年
2. 平成25年度光電相互変換第125委員会表彰　奨励賞
3. “Yb添加ZnO薄膜の作製と発光特性に関する研究”
4. 2014年2月3日
藤原康文
1. 平成26年大阪大学総長顕彰（研究部門）
2. 国立大学法人大阪大学
3. 2014年7月8日
稲葉智宏
1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程2年
2. 日本材料学会平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会　学生優秀講演賞
3. “プラズモンカップリングと微小共振器によるEu添加GaNの発光強度増大”
4. 2014年11月17日

論文・プロシーディングス

T. Arai, D. Timmerman, R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Improvement of excitation efficiency of red luminescence in Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures grown by organometallic vapor phase epitaxy”
Journal of Luminescence 158 (2015) pp. 70-74.
http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2014.09.036
M. Nakayama, S. Nakamura, H. Takeuchi, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Unique properties of photoluminescence excitation spectra in a Eu-doped GaN epitaxial film”
Applied Physics Letters 106 (2015) pp. 012102/1-4.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4905309
A. Koizumi, K. Kawabata, D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara:
“In situ Eu doping into AlxGa1−xN grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties”
Optical Materials 41 (2015) pp. 75-79.
http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2014.11.005
M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Nanoscale determinant to brighten up GaN:Eu red light-emitting diode: Local potential of Eu-defect complexes”
Journal of Applied Physics 117 (2015) 155307/1-7.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4918662
重宗翼, 小泉淳, 柏木行康, 垣内宏之, 竹村康孝, 古田晋也, 山本真理, 斉藤大志, 高橋雅也, 大野敏信, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 村橋浩一郎, 大塚邦顕, 中許昌美, 藤原康文:
“スクリーン印刷により電極形成したGaN系青色発光ダイオードの作製と評価”
材料 64(5) (2015) pp. 414-416.
藤原康文, 小泉淳, 朱婉新, 荒居孝紀, 松田将明, 稲葉智宏, 大渕博宣, 本間徹生:
“X線吸収微細構造による新規Eu原料EuCppm2により作製したEu析出物のないEu添加GaNのEuイオン周辺局所構造の評価”
SPring-8/SACLA利用研究成果集 3(1) (2015) pp. 53-57.
http://user.spring8.or.jp/resrep/?p=4456
M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: Investigating the brightness-limiting process in Eu-doped GaN red light emitting diodes”
Applied Physics Letters 107 (2015) 082106/1-4.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4929531
D. Timmerman, R. Wakamatsu, K. Tanaka, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN”
Applied Physics Letters 107 (2015) 151107/1-4.
http://dx.doi.org/10.1063/1.4933301

国際会議発表

T. Shigemune, A. Koizumi, Y. Kashiwagi, H. Kakiuchi, Y. Takemura, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, M. Nakamoto, N. Aoyagi, Y. Yoshida, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and Y. Fujiwara:
“Formation of Electrode for GaN-Based Blue Light Emitting Diodes by Screen Printing Using Ag Nanoparticle Inks”
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), B1-O-03, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).
K. Okada, R. Wakamatsu, D. Timmerman, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Investigation of Energy Transfer Process in Eu-Doped GaN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence”
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), B1-O-06, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).
M. Matsuda, A. Koizumi, T. Kojima, D. Timmerman, and Y. Fujiwara:
“Formation of a New Eu Luminescent Center by Zn,O-Codoping in Eu-Doped GaN”
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), B1-O-07, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).
Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Timmerman, and A. Koizumi:
“Energy migration between Eu luminescent sites in Eu-doped GaN”
7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015), TUA2-4, Seoul, Korea, May May 17-20 (2015).
Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, A. Koizumi, and V. Dierolf: [Invited Talk]:
“Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN”
Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015 (CC3DMR2015), BEXCO, Busan, Korea, June 15-19 (2015).
Y. Fujiwara, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
“Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer”
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices – 2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop -, Shiran-Kaikan, Kyoto University, Kyoto, Japan, July 11-14 (2015).
T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“In-plane compressive strain dependence of photoluminescence properties in Eu-doped GaN”
28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-28), Helsinki, Finland, July 27-31 (2015).
Y. Fujiwara, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
“Valence control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
SPIE Nanoscience + Engineering, 9551-85, San Diego, USA, August 9-13 (2015).
Y. Fujiwara: [Invited Talk]:
“Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
15th International Meeting on Information Display (IMID2015), 3-3, EXCO, Daegu, Korea, August 18-21 (2015).
Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
“Drastic enhancement of Eu emission from red light-emitting Eu-doped GaN in a microcavity”
11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), 26H1-2, BEXCO, Busan, Korea, August 24-28 (2015).
W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
“Characterization of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures grown by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy”
11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), WeOP198, Beijing, China, August 30- September 4 (2015).
M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Brightening GaN:Eu red LED by back-and-force motion of injection charges and its applied to site-selective analyses of emission centers”
4th International Conference on the Physics of Optical Materials and Devices, Budva, Montenegro, August 31- September 4 (2015).
Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
“Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes with Eu-doped GaN: effects of in-plane strain on Eu emission”
5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2015), I-26, Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan, September 6-11 (2015).
S. Takano, D. Kishimoto, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
“Sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition of Tm-doped ZnO for photonic down-conversion for Si solar cells”
International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2015), III-1Tu3B2-5, Jeju, Korea, October 25-29 (2015).
Y. Fujiwara: [Invited Talk]:
“Towards Photonic Applications of Rare-Earth-Doped ZnO”
International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2015), II-4Th3A3-2, Jeju, Korea, October 25-29 (2015).
M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Boost in intensity of GaN:Eu red LED by motion control of injection charges and its application to diagnosis of Eu emission centers”
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B21, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Gap between energetically and optically favorable emission centers in GaN:Eu red LED: Necessity of local distortion control”
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B22, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
A. Koizumi, Y. Maruyama, K. Okada, T. Shigemune, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
“Electrical properties of trapping level related to the excitation of Eu luminescent center in Eu-doped GaN investigated by thermally stimulated current”
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B23, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
B. Mitchell, D. Timmerman, J. Poplawsky, W. Zhu, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:
“A novel utilization of environmental O for developing device compatible Eu-doped GaN aimed at red LED applications”
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B26, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
J. Takatsu, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN and their application to the detection of In segregation”
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-43, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
T. Shigemune, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Separation of Eu-related trap levels in Eu-doped GaN by Laplace deep level transient spectroscopy”
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-45, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
M. Ogawa, N. Fujioka, K. Sakuragi, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“High-Q photonic crystal double-heterostrcture nanocavity with Er,O-codoped GaAs for low-threshold lasers”
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-49, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Enhancing Eu emission intensity by strain engineering in GaN heteroepitaxial layers”
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-71, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“Controlling the fraction of luminescent sites in Eu-doped GaN by compressive strain”
Nanophotonics in Asia 2015, Nakanoshima Center, Osaka, Japan, December 10-11 (2015).
Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
“Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15), I-21, Kyoto University, Kyoto, Japan, December 12-13 (2015).
M. Ishii and Y. Fujiwara: [Invited Talk]:
“Optoelectronic communications with GaN:Eu red LED: Messages from atomic scale emission centers”
2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15), I-22, Kyoto University, Kyoto, Japan, December 12-13 (2015).

国内会議発表

朱婉新, Dolf Timmerman, 小泉淳, 藤原康文:
“低温OMVPE法によるGaN/Eu添加GaNナノ構造の作製と評価”
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-3, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:
“Eu,O共添加GaNにおけるトラップ準位のDLTS評価”
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-4, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu添加GaNにおけるEu発光特性の面内圧縮ひずみ依存性”
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-5, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
“GaN:Eu赤色LEDの発光効率改善法：パルス駆動による注入電荷共振”
第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-6, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
高津潤一, 松田将明, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
“Ｏ2及びNOガスを用いて作製したEu,Ｏ共添加GaNの表面モフォロジーとEu発光特性”
第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-P18-20, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
小泉淳, 重宗翼, 柏木行康, 垣内宏之, 山本真理, 斉藤大志, 松川公洋, 高橋雅也, 大野敏信, 中許昌美, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 児島貴徳, 藤原康文:
“ナノインクを用いて印刷形成した銀電極を有するInGaN/GaN青色発光ダイオードの電気特性と発光特性”
エレクトロニクス実装学会秋季大会第25回マイクロエレクトロニクスシンポジウム, 2B1-2, 大阪大学吹田キャンパス, 吹田市, 9月3-4日 (2015).
高津潤一, 山中柊平, 松田将明, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:
“OMVPE 法によるEu 添加InxGa1-xNの作製とEu発光特性評価”
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-2B-7, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).
石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
“GaN:Eu赤色LEDの強発光中心の選択解析：サイト選択型PDES法による注入電荷捕獲特性の評価”
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-2B-8, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).
石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
“GaN:Eu赤色LEDのノイズ分析：発光中心の電荷捕獲特性を知る新しいアプローチ”
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-2B-9, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).
新郷正人, 伊藤尊史, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 柏木行康, 斎藤大志, 松川公洋, 藤原康文, 塩島謙次:
“Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価”
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-PB2-15, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).

研究会

重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:
“Eu,O 共添加GaN におけるDLTS 法を用いたトラップ準位の測定”
平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P1，広島大学学士会館レセプションホール，東広島市，1月24日 (2015).
高野翔太, 岸本大希, 栗山貴士, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
“新規波長変換材料を目指したTm及びYb添加ZnOの作製と評価”
平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P12，広島大学学士会館レセプションホール，東広島市，1月24日 (2015).
藤原康文: 【招待講演】
“GaNを用いた窒化物半導体赤色LEDとその高輝度化”
日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第166委員会　第66回研究会, (5), アイビーホール青学会館, 東京都渋谷区, 1月30日 (2015).
稲葉智宏, 小泉淳, 藤原康文:
“Eu 添加GaN の面内圧縮ひずみ制御によるEu 発光の高輝度化”
第7回窒化物半導体結晶成長講演会（プレISGN-6）, Th-25, 片平さくらホール, 東北大学片平キャンパス, 仙台市青葉区, 5月7-8日 (2015).
櫻木寛至, 児島貴德, 小川雅之, 藤岡夏輝, 冨士田誠之, 小泉淳, 野田進, 藤原康文:
“GaAs中におけるEr発光中心の発光制御－フォトニック結晶光ナノ共振器の導入－”
平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, B-4, 大阪工業大学うめきたナレッジセンター, 大阪市, 7月11日 (2015).
朱婉新, B. Mitchell, D. Timmerman, 小泉淳, T. Gregorkiewicz, 藤原康文:
“GaN/Eu添加GaNナノ構造によるEu発光効率の著しい増大”
平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, B-6, 大阪工業大学うめきたナレッジセンター, 大阪市, 7月11日 (2015).
T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
“The mechanism of emission enhancement from Eu-doped GaN by in-plane compressive strain”
34nd Electronic Materials Symposium, Th3-21, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月15-17日 (2015).
A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, and Y. Fujiwara:
“Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN grown by organometallic vapor-phase epitaxy”
34nd Electronic Materials Symposium, Th3-22, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月15-17日 (2015).
重宗翼, 小泉淳, 藤原康文:
“プラスDLTS測定によるEu添加GaNにおけるEu関連トラップ準位の分離”
平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, ⑤, 京都大学桂キャンパス、京都市、11月21日 (2015).
高津潤一, 小泉淳, 山中柊平, 松田将明, 児島貴徳, 藤原康文:
“Eu添加InxGa1-xNにおけるEu発光特性評価とその応用”
平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, ⑥, 京都大学桂キャンパス、京都市、11月21日 (2015).
藤原康文, 稲葉智宏, 朱婉新, 児島貴徳, 小泉淳: 【招待講演】
“Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化に向けて”
日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第96回研究会, (3), 湯田温泉　ホテルかめ福、山口市、12月11-12日 (2015).

解説等

藤原康文:
“2014年ノーベル物理学賞と受賞者の素顔”
スマートプロセス学会誌 4 (2015) pp. 2-4.
Y. Fujiwara, W. Jadwisienczak, and F. Rahman:
“Europium propels the GaN LED into the red”
Compound Semiconductors 21 (2015) pp. 50-53.

顕彰

稲葉智宏
1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
2. 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　発表奨励賞
3. “Eu添加GaNの面内圧縮ひずみ制御によるEu発光の高輝度化”
4. 2015年5月8日
森川顕洋、水内公典、藤原康文
1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
2. レーザー学会業績賞（論文賞）
3. “ファイバレーザーとMgドープLiTiO3分極反転素子を用いた高出力SHGグリーンレーザー”
4. 2015年5月29日
朱婉新
1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士博士課程1年
2. 日本材料学会平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会　学生優秀講演賞
3. “GaN/Eu添加GaNナノ構造によるEu発光効率の著しい増大”
4. 2015年10月13日
稲葉智宏
1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
2. 19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium (Suita, Japan) Best Poster Award
3. “Enhancing Eu emission intensity by strain engineering in GaN heteroepitaxial layers”
4. 2015年12月9日

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藤原研究室立命館大学総合科学技術研究機構

Publication

研究成果 2010年

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

論文・プロシーディングス

国際会議発表

HNNIS-8

国内会議発表

第73回応用物理学会学術講演会

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成24年度第1回研究会

研究会

EMS-31

解説等

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

顕彰

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

顕彰

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

顕彰

Publication

研究成果 2010年

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

論文・プロシーディングス

国際会議発表

HNNIS-8

国内会議発表

第73回応用物理学会学術講演会

日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 平成24年度第1回研究会

研究会

EMS-31

解説等

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

顕彰

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

顕彰

論文・プロシーディングス

国際会議発表

国内会議発表

研究会

解説等

顕彰

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成24年度第1回研究会