藤原研究室 立命館大学 総合科学技術研究機構

menu

研究成果 2015年

論文・プロシーディングス

  1. T. Arai, D. Timmerman, R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Improvement of excitation efficiency of red luminescence in Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures grown by organometallic vapor phase epitaxy”
    Journal of Luminescence 158 (2015) pp. 70-74.
    http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2014.09.036
  2. M. Nakayama, S. Nakamura, H. Takeuchi, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Unique properties of photoluminescence excitation spectra in a Eu-doped GaN epitaxial film”
    Applied Physics Letters 106 (2015) pp. 012102/1-4.
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4905309
  3. A. Koizumi, K. Kawabata, D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara:
    “In situ Eu doping into AlxGa1−xN grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties”
    Optical Materials 41 (2015) pp. 75-79.
    http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2014.11.005
  4. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Nanoscale determinant to brighten up GaN:Eu red light-emitting diode: Local potential of Eu-defect complexes”
    Journal of Applied Physics 117 (2015) 155307/1-7.
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4918662
  5. 重宗翼, 小泉淳, 柏木行康, 垣内宏之, 竹村康孝, 古田晋也, 山本真理, 斉藤大志, 高橋雅也, 大野敏信, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 村橋浩一郎, 大塚邦顕, 中許昌美, 藤原康文:
    “スクリーン印刷により電極形成したGaN系 青色発光ダイオードの作製と評価”
    材料 64(5) (2015) pp. 414-416.
  6. 藤原康文, 小泉淳, 朱婉新, 荒居孝紀, 松田将明, 稲葉智宏, 大渕博宣, 本間徹生:
    “X線吸収微細構造による新規Eu原料EuCppm2により作製したEu析出物のないEu添加GaNのEuイオン周辺局所構造の評価”
    SPring-8/SACLA利用研究成果集 3(1) (2015) pp. 53-57.
    http://user.spring8.or.jp/resrep/?p=4456
  7. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: Investigating the brightness-limiting process in Eu-doped GaN red light emitting diodes”
    Applied Physics Letters 107 (2015) 082106/1-4.
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4929531
  8. D. Timmerman, R. Wakamatsu, K. Tanaka, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN”
    Applied Physics Letters 107 (2015) 151107/1-4.
    http://dx.doi.org/10.1063/1.4933301

国際会議発表

  1. T. Shigemune, A. Koizumi, Y. Kashiwagi, H. Kakiuchi, Y. Takemura, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, M. Nakamoto, N. Aoyagi, Y. Yoshida, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and Y. Fujiwara:
    “Formation of Electrode for GaN-Based Blue Light Emitting Diodes by Screen Printing Using Ag Nanoparticle Inks”
    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), B1-O-03, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).
  2. K. Okada, R. Wakamatsu, D. Timmerman, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Investigation of Energy Transfer Process in Eu-Doped GaN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence”
    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), B1-O-06, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).
  3. M. Matsuda, A. Koizumi, T. Kojima, D. Timmerman, and Y. Fujiwara:
    “Formation of a New Eu Luminescent Center by Zn,O-Codoping in Eu-Doped GaN”
    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), B1-O-07, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).
  4. Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Timmerman, and A. Koizumi:
    “Energy migration between Eu luminescent sites in Eu-doped GaN”
    7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015), TUA2-4, Seoul, Korea, May May 17-20 (2015).
  5. Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, A. Koizumi, and V. Dierolf: [Invited Talk]:
    “Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN”
    Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015 (CC3DMR2015), BEXCO, Busan, Korea, June 15-19 (2015).
  6. Y. Fujiwara, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
    “Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer”
    Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices – 2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop -, Shiran-Kaikan, Kyoto University, Kyoto, Japan, July 11-14 (2015).
  7. T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “In-plane compressive strain dependence of photoluminescence properties in Eu-doped GaN”
    28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-28), Helsinki, Finland, July 27-31 (2015).
  8. Y. Fujiwara, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
    “Valence control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
    SPIE Nanoscience + Engineering, 9551-85, San Diego, USA, August 9-13 (2015).
  9. Y. Fujiwara: [Invited Talk]:
    “Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
    15th International Meeting on Information Display (IMID2015), 3-3, EXCO, Daegu, Korea, August 18-21 (2015).
  10. Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
    “Drastic enhancement of Eu emission from red light-emitting Eu-doped GaN in a microcavity”
    11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), 26H1-2, BEXCO, Busan, Korea, August 24-28 (2015).
  11. W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
    “Characterization of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures grown by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy”
    11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), WeOP198, Beijing, China, August 30- September 4 (2015).
  12. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Brightening GaN:Eu red LED by back-and-force motion of injection charges and its applied to site-selective analyses of emission centers”
    4th International Conference on the Physics of Optical Materials and Devices, Budva, Montenegro, August 31- September 4 (2015).
  13. Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
    “Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes with Eu-doped GaN: effects of in-plane strain on Eu emission”
    5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2015), I-26, Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan, September 6-11 (2015).
  14. S. Takano, D. Kishimoto, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition of Tm-doped ZnO for photonic down-conversion for Si solar cells”
    International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2015), III-1Tu3B2-5, Jeju, Korea, October 25-29 (2015).
  15. Y. Fujiwara: [Invited Talk]:
    “Towards Photonic Applications of Rare-Earth-Doped ZnO”
    International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2015), II-4Th3A3-2, Jeju, Korea, October 25-29 (2015).
  16. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Boost in intensity of GaN:Eu red LED by motion control of injection charges and its application to diagnosis of Eu emission centers”
    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B21, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
  17. M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Gap between energetically and optically favorable emission centers in GaN:Eu red LED: Necessity of local distortion control”
    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B22, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
  18. A. Koizumi, Y. Maruyama, K. Okada, T. Shigemune, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Electrical properties of trapping level related to the excitation of Eu luminescent center in Eu-doped GaN investigated by thermally stimulated current”
    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B23, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
  19. B. Mitchell, D. Timmerman, J. Poplawsky, W. Zhu, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:
    “A novel utilization of environmental O for developing device compatible Eu-doped GaN aimed at red LED applications”
    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-B26, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).
  20. J. Takatsu, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN and their application to the detection of In segregation”
    19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-43, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
  21. T. Shigemune, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Separation of Eu-related trap levels in Eu-doped GaN by Laplace deep level transient spectroscopy”
    19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-45, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
  22. M. Ogawa, N. Fujioka, K. Sakuragi, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “High-Q photonic crystal double-heterostrcture nanocavity with Er,O-codoped GaAs for low-threshold lasers”
    19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-49, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
  23. T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Enhancing Eu emission intensity by strain engineering in GaN heteroepitaxial layers”
    19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, PS-71, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).
  24. T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “Controlling the fraction of luminescent sites in Eu-doped GaN by compressive strain”
    Nanophotonics in Asia 2015, Nakanoshima Center, Osaka, Japan, December 10-11 (2015).
  25. Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi: [Invited Talk]:
    “Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
    2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15), I-21, Kyoto University, Kyoto, Japan, December 12-13 (2015).
  26. M. Ishii and Y. Fujiwara: [Invited Talk]:
    “Optoelectronic communications with GaN:Eu red LED: Messages from atomic scale emission centers”
    2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15), I-22, Kyoto University, Kyoto, Japan, December 12-13 (2015).

国内会議発表

  1. 朱婉新, Dolf Timmerman, 小泉淳, 藤原康文:
    “低温OMVPE法によるGaN/Eu添加GaNナノ構造の作製と評価”
    第62回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-3, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
  2. 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:
    “Eu,O共添加GaNにおけるトラップ準位のDLTS評価”
    第62回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-4, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
  3. 稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “Eu添加GaNにおけるEu発光特性の面内圧縮ひずみ依存性”
    第62回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-5, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
  4. 石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
    “GaN:Eu赤色LEDの発光効率改善法：パルス駆動による注入電荷共振”
    第62回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-A25-6, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
  5. 高津潤一, 松田将明, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “Ｏ2及びNOガスを用いて作製したEu,Ｏ共添加GaNの表面モフォロジーとEu発光特性”
    第62回 応用物理学会春季学術講演会, 13p-P18-20, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).
  6. 小泉淳, 重宗翼, 柏木行康, 垣内宏之, 山本真理, 斉藤大志, 松川公洋, 高橋雅也, 大野敏信, 中許昌美, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 児島貴徳, 藤原康文:
    “ナノインクを用いて印刷形成した銀電極を有するInGaN/GaN青色発光ダイオードの電気特性と発光特性”
    エレクトロニクス実装学会秋季大会 第25回マイクロエレクトロニクスシンポジウム, 2B1-2, 大阪大学吹田キャンパス, 吹田市, 9月3-4日 (2015).
  7. 高津潤一, 山中柊平, 松田将明, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:
    “OMVPE 法によるEu 添加InxGa1-xNの作製とEu発光特性評価”
    第76回 応用物理学会秋季学術講演会, 14a-2B-7, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).
  8. 石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
    “GaN:Eu赤色LEDの強発光中心の選択解析：サイト選択型PDES法による注入電荷捕獲特性の評価”
    第76回 応用物理学会秋季学術講演会, 14a-2B-8, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).
  9. 石井真史, 小泉淳, 藤原康文:
    “GaN:Eu赤色LEDのノイズ分析：発光中心の電荷捕獲特性を知る新しいアプローチ”
    第76回 応用物理学会秋季学術講演会, 14a-2B-9, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).
  10. 新郷正人, 伊藤尊史, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 柏木行康, 斎藤大志, 松川公洋, 藤原康文, 塩島謙次:
    “Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価”
    第76回 応用物理学会秋季学術講演会, 14p-PB2-15, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).

研究会

  1. 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:
    “Eu,O 共添加GaN におけるDLTS 法を用いたトラップ準位の測定”
    平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P1，広島大学学士会館レセプションホール，東広島市，1月24日 (2015).
  2. 高野翔太, 岸本大希, 栗山貴士, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:
    “新規波長変換材料を目指したTm及びYb添加ZnOの作製と評価”
    平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, P12，広島大学学士会館レセプションホール，東広島市，1月24日 (2015).
  3. 藤原康文: 【招待講演】
    “GaNを用いた窒化物半導体赤色LEDとその高輝度化”
    日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第166委員会　第66回研究会, (5), アイビーホール青学会館, 東京都渋谷区, 1月30日 (2015).
  4. 稲葉智宏, 小泉淳, 藤原康文:
    “Eu 添加GaN の面内圧縮ひずみ制御によるEu 発光の高輝度化”
    第7回窒化物半導体結晶成長講演会（プレISGN-6）, Th-25, 片平さくらホール, 東北大学片平キャンパス, 仙台市青葉区, 5月7-8日 (2015).
  5. 櫻木寛至, 児島貴德, 小川雅之, 藤岡夏輝, 冨士田誠之, 小泉淳, 野田進, 藤原康文:
    “GaAs中におけるEr発光中心の発光制御－フォトニック結晶光ナノ共振器の導入－”
    平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, B-4, 大阪工業大学うめきたナレッジセンター, 大阪市, 7月11日 (2015).
  6. 朱婉新, B. Mitchell, D. Timmerman, 小泉淳, T. Gregorkiewicz, 藤原康文:
    “GaN/Eu添加GaNナノ構造によるEu発光効率の著しい増大”
    平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, B-6, 大阪工業大学うめきたナレッジセンター, 大阪市, 7月11日 (2015).
  7. T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
    “The mechanism of emission enhancement from Eu-doped GaN by in-plane compressive strain”
    34nd Electronic Materials Symposium, Th3-21, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月15-17日 (2015).
  8. A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, and Y. Fujiwara:
    “Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN grown by organometallic vapor-phase epitaxy”
    34nd Electronic Materials Symposium, Th3-22, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月15-17日 (2015).
  9. 重宗翼, 小泉淳, 藤原康文:
    “プラスDLTS測定によるEu添加GaNにおけるEu関連トラップ準位の分離”
    平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, ⑤, 京都大学桂キャンパス、京都市、11月21日 (2015).
  10. 高津潤一, 小泉淳, 山中柊平, 松田将明, 児島貴徳, 藤原康文:
    “Eu添加InxGa1-xNにおけるEu発光特性評価とその応用”
    平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, ⑥, 京都大学桂キャンパス、京都市、11月21日 (2015).
  11. 藤原康文, 稲葉智宏, 朱婉新, 児島貴徳, 小泉淳: 【招待講演】
    “Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化に向けて”
    日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第96回研究会, (3), 湯田温泉　ホテルかめ福、山口市、12月11-12日 (2015).

解説等

  1. 藤原康文:
    “2014年ノーベル物理学賞と受賞者の素顔”
    スマートプロセス学会誌 4 (2015) pp. 2-4.
  2. Y. Fujiwara, W. Jadwisienczak, and F. Rahman:
    “Europium propels the GaN LED into the red”
    Compound Semiconductors 21 (2015) pp. 50-53.

顕彰

  1. 稲葉智宏
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
    2. 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　発表奨励賞
    3. “Eu添加GaNの面内圧縮ひずみ制御によるEu発光の高輝度化”
    4. 2015年5月8日
  2. 森川顕洋、水内公典、藤原康文
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
    2. レーザー学会 業績賞（論文賞）
    3. “ファイバレーザーとMgドープLiTiO3分極反転素子を用いた高出力SHGグリーンレーザー”
    4. 2015年5月29日
  3. 朱婉新
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士博士課程1年
    2. 日本材料学会平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会　学生優秀講演賞
    3. “GaN/Eu添加GaNナノ構造によるEu発光効率の著しい増大”
    4. 2015年10月13日
  4. 稲葉智宏
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
    2. 19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium (Suita, Japan) Best Poster Award
    3. “Enhancing Eu emission intensity by strain engineering in GaN heteroepitaxial layers”
    4. 2015年12月9日