論文・プロシーディングス

1. J. Takatsu, B. Mitchell, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Gregorkiewicz, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
   “Detection of In segregation in InGaN by using Eu as a probe”
   Journal of Crystal Growth 468 (2017) pp. 831-834.
   https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.101
2. R. Fuji, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Inaba, and Y. Fujiwara:
   “Surface morphology and optical properties of Eu3+ ions incorporated into N-polar GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy,”
   Journal of Crystal Growth 468 (2017) pp. 862-865.
   https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.01.015
3. T. Inaba, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:
   “Emission enhancement and its mechanism of Eu-doped GaN by strain engineering,”
   Optical Materials Express 7 (2017) pp. 1381-1387.
   https://doi.org/10.1364/OME.7.001381
4. W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
   “High-power Eu-doped GaN red LED based on a multilayer structure grown at lower temperatures by organometallic vapor phase epitaxy,”
   MRS Advances 2 (2017) pp. 159-164.
   https://doi.org/10.1557/adv.2017.67
5. E. Jong, G. Yamashita, L. Gomez, M. Ashida, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:
   “Multiexciton lifetime in All-inorganic CsPbBr3 perovskite nanocrystals,”
   The Journal of Physical Chemistry C 121 (2017) pp. 1941-1947.
   http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.jpcc.6b10551
6. B. Mitchell, A. Koizumi, T. Nunokawa, Y. Kuboshima, T. Mogi, S. Higashi, K. Kikukawa, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara:
   “Synthesis and characterization of a novel liquid Eu precursor EuCppm2 allowing for the control of the Eu oxidation state ratio in GaN thin films grown by OMVPE,”
   Materials Chemistry and Physics 193 (2017) pp. 140-146.
   https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2017.02.021
7. C. de Weerd, L. Gomez, J. Lin, Y. Fujiwara, K. Suenaga, and T. Gregorkiewicz:
   “Hybridization of single nanocrystals of Cs4PbBr6 and CsPbBr3,”
   The Journal of Physical Chemistry C 121 (2017) pp. 19490-19496.
   http://pubs.acs.org/doi/ipdf/10.1021/acs.jpcc.7b05752
8. B. Mitchell, N. Hernandez, D. Lee, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
   “Charge state of vacancy defects in Eu-doped GaN,”
   Physical Review B 96 (2017) pp. 064308.
   https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.96.064308
9. I. E. Fragkos, C.-K. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:
   “Pathway towards high-efficiency Eu-doped GaN light-emitting diodes,”
   Scientific Reports 7 (2017) pp. 14648/1-13.
   https://www.nature.com/articles/s41598-017-15302-y.pdf
10. I. E. Fragkos, C.-K. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:
    “Physics of efficiency droop in GaN:Eu light-emitting diodes,”
    Scientific Reports 7 (2017) pp. 16773/1-12.
    http://www.nature.com/articles/s41598-017-17033-6.pdf

国際会議発表

1. I. I. Fragkos, C. K. Tan, Y. Zhong, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:
   “On the identification and understanding of limiting factors in IQE of GaN:Eu based PIN diodes for red light emission”
   SPIE Photonics West 2017, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXV, 10098-5, San Francisco, USA, January 30-February 2 (2017).
2. I. Fragkos, Y. Zhong, C. K. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:
   “Enhancement of internal quantum efficiency of GaN:Eu based red light emitters through surface plasmon engineering”
   SPIE Photonics West 2017, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXV, 10124-22, San Francisco, USA, January 30-February 2 (2017).
3. Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell1, T. Kojima, and T. Gregorkiewicz: [Invited Talk]
   “Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
   Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2017, German-Japanese-Spanish Joint Workshop, Mo-14, Hotel Punta Rotja, Mallorca, Spain, March 5-8 (2017).
4. Y. Fujiwara: [Invited Talk]
   “Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
   2017 International Advanced Laser Application Summit Forum, Shenzhen University, Shenzhen, China, May 21-22 (2017).
5. B. Mitchell, V. Dierolf, and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
   “Toward GaN-Based Red LEDs: The Influence of Local and Extended Defect Environments on the Optical and Material Properties of GaN:Eu”
   231st ECS Meeting, H01-1283, New Orleans, USA, May 28-June 2 (2017).
6. J. Takatsu and Y. Fujiwara:
   “Effects of defect environment on the emission from Eu3+ ions in InGaN”
   Interdisciplinary Symposium for Up-and coming Material Scientists: Global Challenges to Attaining a Sustaionable Future, P66, Osaka University Hall, Osaka, Japan, June 8-9 (2017).
7. M. Ogawa, N. Fujioka, K. Sakuragi, T. Kishina, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
   “High-Q photonic crystal double-heterostructure nanocavity with Er,O-codoped GaAs”
   Interdisciplinary Symposium for Up-and coming Material Scientists: Global Challenges to Attaining a Sustaionable Future, P71, Osaka University Hall, Osaka, Japan, June 8-9 (2017).
8. Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell, T. Kojima, and T. Gregorkiewicz: [Invited talk]
   “Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN”
   12th International Conference on Nitride Semiconductors, B.4.1, Strausbourg, France, July 24-28 (2017).
9. J. Takatsu, R. Fuji, and Y. Fujiwara:
   “Photoluminescence properties and surface morphologies of Tm-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy”
   29th International Conference on Defects in Semiconductors, TuP-63, Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).
10. T. Inaba, T. Kojima, G Yamashita, M. Ashida, and Y. Fujiwara:
    “Quantitative evaluation of energy transfer efficiency for Eu-doped GaN grown at different V/III ratios”
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, TuP-64, Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).
11. M. Ishii, T. Inaba, and Y. Fujiwara:
    “Repeated emission of Eu by multi-path energy transfer from defects in GaN:Eu red LED”
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, TuP-77, Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).
12. W. Zhu, R. Wei, B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
    “Behavior of Eu ions in GaN under intense excitation conditions”
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, ThB3-1, Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).
13. W. Zhu, B. Mitchell, J. Poplawsky, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
    “Reduction of threading dislocations related surface pits by GaN/Eu-doped GaN multi-layer structure and its contribution to GaN:Eu RED LED performance”
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, ThB3-2, Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).
14. T. Yamada, T. Inaba, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Enhancement of Eu emission in Eu-doped GaN red LED by localized surface plasmon”
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, ThB3-3, Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).
15. G. Yoshii, H. Kamei, T. Nakajima, and Y. Fujiwara:
    “Emission via resonantly excited Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,”
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, ThP-65, Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).
16. J.Tatebayashi, H. Kogame, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Energy transfer processes in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements,”
    8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2017), PT37, Qingdao, China, September 24-27 (2017).
17. Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell, T. Gregorkiewicz, and J. Tatebayashi: [Invited talk]
    “New development of Eu-doped GaN narrow-band red light-emitting diodes,”
    6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundmental Properties of Semiconductor Nanostructures, Como, Italy, September 25-28 (2017).
18. Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell, T. Gregorkiewicz, and J. Tatebayashi: [Invited talk]
    “Intrinsic and extrinsic control of Eu luminescence in GaN for highly efficient wavelength-stable narrow-band red light-emitting diodes,”
    Satellite Workshop of Kanamori Memorial Symposium – Recent Progress in Materials Science for Spintronics and Energy Applications-, Osaka University, Osaka, October 2-3 (2017).
19. T. Inaba, K. Shiomi, T. Kojima, and Y. Fujiwara:
    “Enhanced light output from Eu-doped GaN red LED by a microcavity,”
    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), TP9, Banff, Canada, October 8-12 (2017).
20. W. Zhu, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, B. Mitchell, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:
    “Color tunablility of Eu-Doped GaN LEDs achieved through a re-excitation driven up-conversion process,”
    11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), TP10, Banff, Canada, October 8-12 (2017).
21. Y. Fujiwara: [Invited talk]
    “New development of narrow-band red LEDs using Eu-doped GaN – Intrinsic control and extrinsic control -,”
    International Thin Films Conference (TACT2017), C-I-0630, National Dong Hwa University, Hualien, Taiwan, October 15-18 (2017).
22. K. Shiojima, T. Shigemune, A. Koizumi, T. Kojima, Y. Kashiwagi, M. Saitoh, T. Hasegawa, M. Chigane, and Y. Fujiwara:
    “Effect of surface treatment in printed Ag Schottky contacts on n-GaN epitaxial layers by using Ag nanoink,
    Advanced Metallization Conference 2017, 27th Asian Session, 7-4, The University of Tokyo, Japan, October 19-20 (2017)
23. Y. Fujiwara: [Invited talk]
    “Towards highly efficient GaN-based red light-emitting diodes,”
    AEARU Advanced Materials Science Workshop 2017, Osaka University, Osaka, Japan, November 1 (2017).

国内会議発表

1. 山田智也、稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:
   “局在表面プラズモンによるEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大”
   第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-411-13, パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).
2. 小亀宏明、児島貴徳、藤原康文:
   “二波長励起測定法によるEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの評価”
   第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-411-14, パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).
3. 朱 婉新、W. Ruoqiao、M. Brandon、D. Volkmar、児島貴徳、藤原康文:
   “再励起プロセスによるEu3+のup-conversion現象の観測と解明”
   第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-411-15, パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).
4. 石井真史、稲葉智宏、藤原康文:
   “GaN:Eu赤色LEDの発光ゆらぎ：インタラクティブな発光過程の解析”
   第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-411-16, パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).
5. 稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:
   “GaN系ナノ光デバイスに向けたAlInNの厚膜成長”
   第64回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P3-17, パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).
6. 稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:
   “発光遷移確率の制御によるEu,O共添加GaNのEu発光強度増大”
   日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道大学フロンティア応用科学研究棟、札幌市北区, 7月13-15日 (2017).
7. 稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:
   “温度変調エピタキシャル法を用いた高品質AlInNの厚膜成長”
   日本結晶成長学会第40回結晶成長討論会, 浜名湖ロイヤルホテル, 浜松市, 8月30日-9月1日 (2017).
8. 稲葉智宏、児島貴徳、舘林潤、山下元気、松原英一、芦田昌明、藤原康文:
   “時間分解PLの初期信号解析によるEu添加GaNの発光メカニズムの解明”
   第78回応用物理学会春季学術講演会、5a-A301-1, 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).
9. 三輪順也、上向井正裕、藤諒健、藤原康文、片山竜二:
   “量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の作製”
   第78回応用物理学会春季学術講演会、7p-A301-1, 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).
10. 南部誠明、上向井正裕、藤諒健、山田智也、藤原康文、片山竜二:
    “GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計”
    第78回応用物理学会春季学術講演会、7p-A301-2, 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).
11. 山口修平、上向井正裕、髙橋一矢、岩谷素顕、赤﨑勇、林侑介、三宅秀人、山田智也、藤原康文、片山竜二:
    “極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計”
    第78回応用物理学会春季学術講演会、7p-A301-4, 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).
12. 藤諒健、高津潤一、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:
    “有機金属気相エピタキシャル法により作製したTm添加AlGaNからの狭帯域青色発光”
    第78回応用物理学会春季学術講演会、8a-A414-2, 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).
13. 稲葉智宏、塩見圭史、児島貴徳、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaNを発光層にした赤色垂直微小共振器LEDの実現”
    第78回応用物理学会春季学術講演会、8a-A414-3, 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).
14. 山田智也、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:
    “薄膜p-GaN上金属ナノ粒子によるEu添加GaN LED構造の発光強度増大”
    第78回応用物理学会春季学術講演会、8a-A414-4, 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).

研究会

1. 藤原康文:【招待講演】
   “希土類添加GaNの物性と構造評価”
   材料系共同利用研究報告会、大阪大学吹田キャンパス、吹田市、1月16日 (2017).
2. 児島貴徳、櫻木寛至、小川雅之、藤岡夏輝、藤原康文:
   “GaAs中にドープされたEr発光中心とフォトニック結晶光ナノ共振器との相互作用”
   電子情報通信学会フォトニックネットワーク研究会／電磁界理論研究会／光エレクトロニクス研究会／レーザ・量子エレクトロニクス研究会／エレクトロニクスシミュレーション研究会／マイクロ波・ミリ波フォトニクス研究会、LQE-3、伊勢市観光文化会館、三重県伊勢市、1月18-19日 (2017).
3. 吉居玄哉、亀井勇人、児島貴徳、藤原康文:
   “SA-MOCVD 法で作製したTm,Yb共添加ZnO薄膜中でのTm3+,Yb3+イオン間の エネルギー輸送評価”
   日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P-6、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).
4. 藤岡夏輝、児島貴徳、小川雅之、藤原康文:
   “Er,O共添加GaAs 2次元フォトニック結晶ナノ光共振器におけるEr発光増強と新規レーザへの応用可能性”
   日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P-7、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).
5. 山田智也、稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:
   “銀ナノ粒子との表面プラズモン結合によるEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大”
   日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P-9、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).
6. 藤諒健、M. Brandon、小泉淳、稲葉智宏、藤原康文:
   “有機金属気相エピタキシャル法によるN極性GaNへのEu添加と発光特性”
   日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P-10、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).
7. 藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、児島貴徳、舘林潤:【招待講演】
   “Eu添加GaN狭帯域赤色LEDの新展開”
   第368回蛍光体同学会、化学会館ホール、東京都千代田区、6月2日 (2017).
8. 藤原康文:【招待講演】
   “希土類添加半導体の新展開：窒化物半導体狭帯域赤色LED”
   第65回 CVD 研究会 （第28回夏季セミナー）、プラザ洞津、三重県津市、8月8日 (2017).
9. 藤原康文:【招待講演】
   “希土類添加GaNによる赤色LEDとレーザーの可能性”
   第1回可視光半導体レーザー調査委員会（兼VLDAC第11回半導体レーザー専門委員会）、大阪大学吹田キャンパス、吹田市、10月4日 (2017).
10. 舘林潤、藤原康文、荒川泰彦:【招待講演】
    “半導体ナノワイヤの光機能と新展開”
    日本学術振興会第125委員会第238回研究会、キャンパスプラザ京都、京都市下京区、10月25日 (2017).
11. 藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、舘林潤:【招待講演】
    “Eu 添加 GaN 波長超安定・狭帯域赤色 LED の新展開”
    日本金属学会第5回エレクトロニクス薄膜材料研究会「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究(5)」、兵庫県立大学姫路工学キャンパス、姫路市、11月2日 (2017).
12. T. Yamada, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Enhancement of Eu emission intensity in Eu doped GaN by silver nanoparticles on thin p-GaN layer,”
    36th Electronic Materials Symposium, Th2-6、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).
13. S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara, and R. Katayama:
    “Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation,”
    36th Electronic Materials Symposium, Th2-9、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).
14. T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara, and R. Katayama:
    “Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device,”
    36th Electronic Materials Symposium, Th2-10、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).
15. J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara, and R. Katayama:
    “GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems,”
    36th Electronic Materials Symposium, Th2-11、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).
16. R. Fuji, J. Takatsu, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Growth and optical characteristics of Tm-doped AlGaN by organometallic vapor phase epitaxy,”
    36th Electronic Materials Symposium, Fr1-14、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).
17. 藤原康文:【招待講演】
    “ここまでできた狭帯域赤色LED、そのキラーアプリは？”
    日本レーザー学会第5回光感性専門委員会、大阪大学吹田キャンパス、吹田市、11月13日 (2017).
18. 塩見圭史、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現”
    平成29年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、③ 京都大学桂キャンパスAクラスター306教室、京都市西京区、11月25日 (2017).
19. 舘林潤、稲葉智宏、塩見圭史、藤原康文:
    “Eu 添加GaN を発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LED の実現”
    電子情報通信学会電子デバイス研究会／電子部品・材料研究会／レーザ／量子エレクトロニクス研究会、名古屋工業大学窒化物半導体マルチビジネス創生センター、名古屋市昭和区、11月30日-12月1日 (2017).
20. 藤原康文:【招待講演】
    “窒化物半導体波長超安定・狭帯域赤色LEDの新展開”
    平成29年度神戸大学物性実験研究室セミナー、神戸大学滝川記念学術交流会館、神戸市灘区、12月3日 (2017).
21. 藤原康文:【招待講演】
    “Eu添加GaNを用いた波長超安定・狭帯域赤色LEDの開発”
    平成29年度JLEDS技術委員会JLEDSセミナー、LED照明推進協議会、東京都港区、12月8日 (2017).

顕彰

1. 稲葉智宏
   1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
   2. 第５回（平成２８年度）応用物理学会関西支部奨励賞（関西奨励賞）
   3. 2017年3月8日
2. 稲葉智宏
   1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程3年
   2. 第10回結晶成長討論会優秀ポスター賞
   3. 2017年9月1日
3. 塩見圭史
   1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
   2. 日本材料学会平成29年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会　学生優秀講演賞
   3. “Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現”
   4. 2017年12月13日