藤原研究室 立命館大学 総合科学技術研究機構

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研究成果 2018年

論文・プロシーディングス

  1. L. Gomez, J. Lin, C. de Weerd, L. Poirier, S. C. Boehme, E. von Hauff, Y. Fujiwara, K. Suenaga, and T. Gregorkiewicz:
    “Extraordinary interfacial stitching between single all-inorganic perovskite nanocrystals,”
    ACS Applied Materials and Interfaces 10 (2018) pp. 5984-5991.
  2. W. Zhu, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
    “Re-excitation of trivalent europium ions doped into gallium nitride revealed through photoluminescence under femtosecond pulsed excitation,”
    ACS Photonics 5 (2018) pp. 875-880.
  3. B. Mitchell, V. Dierolf, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara: [Invited review paper]
    “Perspective: Highly efficient GaN-based red LEDs using europium doping,”
    Journal of Applied Physics 123 (2018) pp. 160901/1-12.
  4. J. Takatsu, R. Fuji, J. Tatebayashi, D. Timmerman, A. Lesage, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
    “Growth and optical characteristics of Tm-doped AlGaN layer grown by organometallic vapor phase epitaxy,”
    Journal of Applied Physics 123 (2018) pp. 161406/1-5.
  5. J. Tatebayashi, G. Yoshii, T. Nakajima, H. Kamei, J. Takatsu, D. M. Lebrun, and Y. Fujiwara:
    “Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,”
    Journal of Applied Physics 123 (2018) pp. 161409/1-6.
  6. T. Inaba, T. Kojima, G. Yamashita, E. Matsubara, B. Mitchell, R. Miyagawa, O. Eryu, J. Tatebayashi, M. Ashida, and Y. Fujiwara:
    “Quantitative study on energy-transfer mechanism in Eu,O-codoped GaN by time-resolved photoluminescence spectroscopy,”
    Journal of Applied Physics 123 (2018) pp. 161419/1-6.
  7. K. Shiojima, Y. Kashiwagi, T. Shigemune, A. Koizumi, T. Kojima, M. Saitoh, T. Hasegawa, M. Chigane, and Y. Fujiwara:
    “Effect of surface treatment in printed Ag Schottky contacts on n-GaN epitaxial layers by using Ag nanoink -Two dimensional characterizations by scanning internal photoemission microscopy-,”
    Japanese Journal of Applied Physics 57 (2018) pp. 07MA01/1-5.
  8. M. O. Nestoklon, S. V. Goupalov, R. I. Dzhioev, O. S. Ken, V. L. Korenev, Y. G. Kusrayev, V. F. Sapega, C. de Weerd, L. Gomez, T. Gregorkiewicz, J. Lin, K. Suenaga, Y. Fujiwara, L. B. Matyushkin, I. N. Yassievich:
    “Optical orientation and alignment of excitons in ensembles of inorganic perovskite nanocrystals-,”
    Physical Review B 97 (2018) pp. 235304/1-10.
  9. B. Mitchell, E. Herrmann, J. Lin, L. Gomez, C. de Weerd, Y. Fujiwara, K. Suenaga, and T. Gregorkiewicz:
    “Measuring the practical particle-in-a-box: orthorhombic perovskite nanocrystals,”
    European Journal of Physics 39 (2018) pp. 055501/1-12.
  10. A. Lesage, D. Timmerman, D. M. Lebrun, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:
    “Hot-carrier-mediated impact excitation of Er3+ ions in SiO2 sensitized by Si nanocrystals,”
    Applied Physics Letters 113 (2018) pp. 031109/1-4.
  11. J. Tatebayashi, G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, and Y. Fujiwara:
    “Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,”
    Journal of Crystal Growth 503 (2018) pp. 13-19.
  12. C. de Weerd, L. Gomez, A. Capretti, D. M. Lebrun, E. Matsubara, J. Lin, M. Ashida, F. C.M. Spoor, L. D.A. Siebbeles, A. J. Houtepen, K. Suenaga, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:
    “Efficient carrier multiplication in CsPbI3 perovskite nanocrystals,”
    Nature Communications 9 (2018) pp. 4199/1-9.

国際会議発表

  1. K. Shiomi, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Demonstration of red vertical microcavity LEDs with Eu-doped GaN as an active layer,”
    21th SANKEN International, The 16th SANKEN Nanotechnology Symposium, 5th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 13th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, ””, Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, January 16-17 (2018).
  2. N. Fujioka, M. Ogawa, T. Kishina, R. Higashi, M. Kondow, J. Tatebayashi and Y. Fujiwara:
    “Observation of anomalous Er emission in a Er,O-codoped GaAs-based two dimensional photonic crystal nanocavity,”
    International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2018 (ICNN2018), Pacifco Yokohama, Japan, April 23-27 (2018).
  3. K. Shiomi, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Demonstration of red vertical-microcavity LEDs with Eu-doped GaN as an active layer,”
    6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 2018 (LEDIA2018), Pacifco Yokohama, Japan, April 23-27 (2018).
  4. Y. Fujiwara, T. Inaba, K. Shiomi, and J. Tatebayashi: [Invited Talk]
    “Enhanced light output power from Eu-doped GaN narrow-band red light-emitting diodes by actively controlling photon fields”
    233 Electrochemical Society (ECS) meetings, H01 “Wide Bandgap Semiconductor Materials and Device”, 1401, Seattle, USA, May 13-17 (2018).
  5. J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara, and R. Katayama:
    “GaN rib waveguide directional coupler for waveguide Mach-Zehnder interferometer,”
    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), 4C-1.6, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).
  6. T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara, and R. Katayama:
    “Design and fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device,”
    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), 7B-1.4, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).
  7. J. Takatsu, R. Fuji, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Morphological and optical properties of Tm-doped AlGaN on GaN and AlN templates grown by organometallic vapor phase epitaxy,”
    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), 7C-1.1, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).
  8. T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Growth of thick (~600 nm) Al0.82In0.18N by temperature-modulation epitaxy for realization of GaN-based photonic crystal slab nanocavities,”
    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), P2-24, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).
  9. G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,”
    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), P2-54, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).
  10. V. Dierolf, R. Wei, B. Mitchell, and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Excitation of europium ions in gallium nitride: Mechanism, kinetics, and optimization,”
    12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018), I15, Nara Kasugano International Forum, Japan, July 8-13 (2018).
  11. Y. Sasaki, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Fabrication and optical properties of GaN:Eu-based microdisks,”
    12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018), O44, Nara Kasugano International Forum, Japan, July 8-13 (2018).
  12. Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Development of semiconductors intra-center photonics,”
    Light Conference 2018, Changchun, China, July 15-18 (2018).
  13. Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Towards semiconductors intracenter photonics,”
    19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL2018) & 2018 International Conference on the Science and Technology of Emitting Displays and Lighting, IL-2, Meiji University, Tokyo, Japan, September 11-13 (2018).
  14. Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Development of semiconductors intra-center photonics,”
    2nd JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in photon and spin functionalities of nanomaterials, Noboribetsu, Hokkaido, Japan, October 24-26 (2018).
  15. Delphine M. Lebrun, H. Kogame, W. Zhu, B. Mitchell, and Y. Fujiwara:
    “Investigation of energy transfer between europium centers in GaN:Eu using combined excitation emission spectroscopy,”
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), MoP-OD-30, Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).
  16. S. Ichikawa, W. Zhu, B. Mitchell, T. Morikawa, J. Tatebayashi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
    “Novel in-situ technique for dislocation-reduction during GaN growth using multi-layered GaN:Eu structure,”
    19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), GR8-2, Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).
  17. S. Ichikawa, T. Morikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Drastic surface-smoothing on vicinal (0001) GaN film via strong surfactant effect of doped-Eu,”
    19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), GR8-3, Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).
  18. Y. Matsude, T. Yamada, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Fabrication of two-dimensional GaN:Eu plasmonic crystals toward highly efficient red emitters,”
    19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), CR4-1, Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).
  19. J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, Y. Matsude, S. Ichikawa and Y. Fujiwara:
    “Surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles,”
    19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), OD6-4, Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).
  20. T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara, R. Katayama, J. Tajima, T. Hikosaka, and S. Nunoue:
    “Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si substrate,”
    19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), OD7-2, Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).
  21. M. Ogawa, N. Fujioka, T. Kishina, R. Higashi, M. Kondow, J. Tatebayashi and Y. Fujiwara:
    “Enhanced light emission in photonic crystal nanocavities with Er,O-codoped GaAs,”
    International Symposium for Materials Scientists “Inspiration for Innovation by Interaction” (ISMS III), P28, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan, December 3-4 (2018).
  22. J. Takatsu, R. Fuji, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Morphological and optical properties of Tm-doped AlGaN on GaN and AlN templates grown by organometallic vapor phase epitaxy,”
    International Symposium for Materials Scientists “Inspiration for Innovation by Interaction” (ISMS III), P29, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan, December 3-4 (2018).
  23. Y. Fujiwara, T. Inaba, K. Shiomi, S. Ichikawa, J. Tatebayashi: [Invited Talk]
    “Wavelength-stable and narrow-band red LED for monolithic Mmicro-LED display,”
    27th International Display Workshops (IDW’18), FMC1-2, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, December 12-14 (2018).

国内会議発表

  1. 山口修平、上向井正裕、髙橋一矢、岩谷素顕、赤﨑勇、林侑介、三宅秀人、山田智也、藤原康文、片山竜二:
    “ZrO2/AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会、17a-E202-1、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  2. 三輪純也、紀平将史、上向井正裕、藤諒健、藤原康文、片山竜二:
    “量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会、17a-E202-3、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  3. 紀平将史、三輪純也、上向井正裕、藤諒健、藤原康文、片山竜二:
    “量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会、17a-E202-4、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  4. 南部誠明、上向井正裕、藤諒健、山田智也、藤原康文、片山竜二:
    “GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会、17a-E202-5、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  5. 佐々木豊、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaNを用いたマイクロディスクの作製とEu発光特性評価”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会、18a-G204-5、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  6. 高津潤一、藤諒健、舘林潤、藤原康文:
    “OMVPE法によりGaNおよびAlNテンプレート上に作製されたAlGaN:Tmの表面構造と光学特性”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会、18a-G204-6、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  7. 藤岡夏輝、小川雅之、木科大樹、東諒磨、館林潤、藤原康文:
    “Er,O共添加GaAs 2次元フォトニック結晶ナノ共振器の作製と光学特性”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会、18p-C301-8、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  8. 藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、舘林潤:【招待講演】
    “狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色発光ダイオードの新展開 ～特異構造制御とフォトン場制御～”
    第65回 応用物理学会春季学術講演会「窒化物半導体特異構造の科学 ～格子欠陥はどこまで制御できるのか：先端評価と機能探索～」、19p-E202-2、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).
  9. 中島徳仁、吉居玄哉、三品匡央、舘林潤、藤原康文:
    “スパッタリング援用MOCVD法によるTm,Yb共添加ZnOナノワイヤ構造の作製と発光特性”
    第79回 応用物理学会秋季学術講演会、19p-221A-9、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).
  10. 市川修平、森川隆哉、舘林潤、藤原康文:
    “Euのサーファクタント効果による微傾斜GaN上マクロステップの平坦化”
    第79回 応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-7、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).
  11. 市川修平、朱婉新、森川隆哉、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaN多層構造を利用したGaN結晶中の転位低減”
    第79回 応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-8、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).
  12. 塩見圭史、稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaN発光ダイオード応用に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの作製”
    第79回 応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-9、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).
  13. 東諒磨、小川雅之、藤岡夏輝、木科大樹、舘林潤、藤原康文:
    “Er,O共添加GaAsマイクロディスク構造における共振器モードの観測”
    第79回 応用物理学会秋季学術講演会、20p-235-11、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).
  14. 松出耀司、山田智也、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “高効率赤色発光に向けたEu添加GaN 2次元プラズモニック結晶の作製”
    第79回 応用物理学会秋季学術講演会、20p-235-12、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).
  15. 山口修平、山内あさひ、上向井正裕、林侑介、三宅秀人、塩見圭史、藤原康文、 片山竜二:
    “波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計”
    第79回 応用物理学会秋季学術講演会、21a-146-2、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).

研究会

  1. 藤原康文:【招待講演】
    “Eu添加GaNを用いた波長超安定・狭帯域赤色LEDの開発”
    レーザー学会学術講演会第38回年次大会、25aIV-2、京都市勧業館みやこめっせ、京都市左京区、1月24日-26日 (2018).
  2. 藤原康文:【依頼講演】
    “波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色発光ダイオード”
    大阪大学新技術説明会、10、JST東京本部別館1Fホール、東京都千代田区、1月25日 (2018).
  3. 藤原康文:【招待講演】
    “Eu 添加 GaN 波長超安定・狭帯域赤色発光ダイオードの新展開”
    日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、1-3、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).
  4. 木科大樹、藤岡夏輝、小川雅之、舘林潤、藤原康文:
    “Er,O共添加GaAsを発光層とした2次元フォトニック結晶ナノ共振器中のErの特異な発光挙動”
    日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P16、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).
  5. 中島徳仁、吉居玄哉、亀井勇人、舘林潤、藤原康文:
    “新規波長変換材料を目指したTm,Yb共添加ZnOにおけるTm3+-Yb3+イオン間相互エネルギー輸送制御”
    日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P17、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).
  6. 佐々木豊、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaN微小レーザ実現に向けたマイクロディスク構造の作製とEu発光特性の評価”
    日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P18、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).
  7. 藤原康文:【依頼講演】
    “スマートディスプレイ用波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色発光ダイオードの開発”
    技術情報協会セミナー「マイクロLEDディスプレイへ向けた３原色LEDの集積化技術と実用化展望（No. 806402）」、技術情報協会セミナールーム、東京都品川区、6月18日 (2018).
  8. 佐々木豊、稲葉智宏、舘林潤、市川修平、藤原康文:
    “厚膜AlInNの選択エッチングを用いたGaN:Euマイクロディスクの作製と光学評価”
    平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、(5) 奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).
  9. 市川修平、朱婉新、森川隆哉、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaN周期構造によるGaN結晶中の新規in-situ転位低減手法”
    平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、(6) 奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).
  10. 木科大樹、小川雅之、藤岡夏輝、舘林潤、藤原康文:
    “Er,O共添加GaAsを活性層とした2次元フォトニック結晶ナノ共振器における共振器モードの観測”
    平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、(9) 奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).
  11. 塩見圭史、稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “狭帯域赤色微小共振器LED作製に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの実現”
    平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、(10) 奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).
  12. 藤原康文、稲葉智宏、塩見圭史、佐々木豊、市川修平、Delphine LEBRUN、舘林潤:【招待講演】
    “フォトン場制御による波長超安定・狭帯域Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化”
    電気学会光・量子デバイス研究会「パワー光源および応用システム全般」、OQD-18-047、ルーテル市ヶ谷センター 第一会議室、東京都新宿区、7月26日 (2018).
  13. 藤原康文:【依頼講演】
    “赤色LED用希土類蛍光体/半導体ハイブリッド材料の開発とマイクロLED”
    サイエンス＆テクノロジーセミナー「《蛍光体 技術＆市場 最新トレンド》材料・部材化の技術動向と市場・用途展開（No. 806402）、連合会館401会議室、東京都千代田区、8月2日 (2018).
  14. 藤原康文:【依頼講演】
    “波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色発光ダイオードの現状と将来展望”
    CMCリサーチセミナー「次世代マイクロLEDの研究開発の最前線」、あすか会議室、東京都千代田区、9月26日 (2018).
  15. J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, Y. Matsude, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
    “Surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles,”
    37th Electronic Materials Symposium, We1-8、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  16. T. Kishina, M. Ogawa, N. Fujioka, R. Higashi, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Enhancement of Er emission in a Er,O-codoped GaAs-based two dimensional photonic crystal nanocavity,”
    37th Electronic Materials Symposium, We1-9、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  17. Y. Matsude, T. Yamada, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Fabrication of two-dimensional GaN:Eu plasmonic crystals toward highly efficient red light emitters,”
    37th Electronic Materials Symposium, We1-10、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  18. T. Nakajima, G. Yoshii, M. Mishina, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Photoluminescence properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,”
    37th Electronic Materials Symposium, We2-12、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  19. S. Ichikawa, T. Morikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Macro-step removal during vicinal (0001) GaN epitaxy using Eu-doping technique,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-16、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  20. K. Shiomi, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Fabrication of AlInN/GaN DBR with high reflectance and conductivity toward efficient red light-emitting diodes,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-22、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  21. Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Fabrication and optical properties of GaN:Eu-based microdisks with thick AlInN sacrificial layer,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-25、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  22. M. Kihira, J. Miwa, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama:
    “GaN strip waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-6、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  23. Y. Morioka, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama:
    “Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-7、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  24. A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama:
    “Design of transverse quasi-phase-matched AlN tapered waveguide SHG device for broadening wavelength acceptance bandwidth,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-8、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  25. T. Nambu, T. Komatsu, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama:
    “Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-9、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  26. S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, and R. Katayama:
    “Fabrication of transverse quasi-phase-matched polarity-inverted stacked AlN waveguide by surface-activated bonding and silicon removal,”
    37th Electronic Materials Symposium, Th2-10、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).
  27. 小川雅之、木科大樹、東諒磨、冨士田誠之、野田進、舘林潤、藤原康文:
    “Er,O 共添加 GaAs を用いた 2 次元フォトニック結晶ナノ共振器における Er 発光増強,”
    平成30年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会・平成30年度第2回ナノ材料部門委員会第1回研究会、② 京都大学桂キャンパスAクラスター（A2棟）化学系大講義室（A2-306教室）、京都市左京区、11月24日 (2018).
  28. 市川修平、森川隆哉、舘林潤、藤原康文:
    “In-situ Euドーピング技術を利用した微傾斜(0001)GaN表面のステップバンチング抑制,”
    平成30年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会・平成30年度第2回ナノ材料部門委員会第1回研究会、③ 京都大学桂キャンパスAクラスター（A2棟）化学系大講義室（A2-306教室）、京都市左京区、11月24日 (2018).
  29. 藤原康文:【招待講演】
    “半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓”
    研究･イノベーション学会関西支部第3回（136回）、設計工学会関西支部（194回）合同研究会、大阪電気通信大学駅前キャンパス、寝屋川市、11月26日 (2018).

顕彰

  1. 中島徳仁
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
    2. 日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会　学生優秀講演賞
    3. “新規波長変換材料を目指したTm,Yb共添加ZnOにおけるTm3+-Yb3+イオン間相互エネルギー輸送制御”
    4. 2018年2月7日
  2. 稲葉智宏
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程3年
    2. 日本学術振興会第10回HOPEミーティング　Best Poster Presentation Awards
    3. “Exploring the non-light emission process in semiconductor with light for more efficient LED”
    4. 2018年3月15日
  3. 舘林潤
    1. 第42回レーザー学会 奨励賞
    2. “ナノワイヤ量子ドットレーザーの室温動作”
    3. 2018年5月31日