論文・プロシーディングス

1. Y. Anzai, M. Yamamoto, S. Genchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and H. Tanaka:
   “Broad range thickness identification of hexagonal boron nitride by colors,”
   Applied Physics Express 12 (2019) pp. 055007/1-5.
   https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab0e45
2. J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
   “Enhanced luminescence efficiency of GaN:Eu-based lightemitting diodes by localized surface plasmons utilizing gold nanoparticles,”
   Japanese Journal of Applied Physics 58 (2019) pp. SCCC09/1-6.
   https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab0ad1/meta
3. A. Lesage, D. Timmerman, T. Inaba, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:
   “Enhanced light extraction efficiency of Eu-related emission from a nano-patterned GaN layer grown by MOCVD,”
   Scientific Reports 9 (2019) pp. 4231/1-6.
   https://www.nature.com/articles/s41598-019-40971-2
4. B. Mitchell, R. Wei, J. Takatsu, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
   “Color-tunablility in GaN LEDs based on atomic emission manipulation under current injection,”
   ACS Photonics 6 (2019) pp. 1153-1161.
   https://doi.org/10.1021/acsphotonics.8b01461
5. R. Wei, B. Mitchell, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
   “Picosecond time-resolved dynamics of energy transfer between GaN and the various excited states of Eu3+ ions,”
   Physical Review B 100 (2019) pp. 081201(R)/1-5.
   https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.081201
6. J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
   “Localized-surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based red light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles,”
   Applied Physics Express 12 (2019) 095003/1-5.
   https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab37b0

国際会議発表

1. S. Ichikawa, J. Takatsu, R. Fuji, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
   “Excitation and relaxation processes of narrow-band blue emission in Tm-doped AlGaN revealed by time-resolved photoluminescence spectroscopy,”
   11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019), 19P3-35, Nagoya Insitute of Technology, Nagoya, Japan, March 17-21 (2019).
2. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, J. Tatebayashi: [Invited Talk]
   “New development in red light-emitting diodes (LEDs) using Eu-doped GaN for monolithic micro-LED displays,”
   2019 Internional Conference on display technology (ICDT2019), 16.3, Kunshan, Suzhou, China, March 26-29 (2019).
3. Y. Fujiwara, K. Shiomi, Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, and J. Tatebayashi: [Invited Talk]
   “Development of semiconductors intra-center photonics; manipulation of Eu luminescence in Eu-doped GaN by control of photon fields,”
   7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), LEDIA-LDC-JS-2-01, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).
4. Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
   “Manipulation of Eu luminescence in GaN:Eu-based microdisks,”
   7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), LEDIA-4-02, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).
5. M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa, and R. Katayama: [Invited Talk]
   “First demonstration of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si pedestal structure,”
   7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), LEDIA-7-01, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).
6. Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama:
   “Focusing grating coupler for AlN deep UV waveguide SHG device,”
   7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), LEDIA-8-02, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).
7. M. Ogawa, T. Kishina, R. Higashi, M. Fujita, S. Noda, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
   “Numerical analysis of luminescence enhancement in L3-type photonic crystal nanocavities with Er,O-codoped GaAs,”
   International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics (ICNN2019), ICNN-4-05, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, March 24-26 (2019).
8. S. Yamada, Y. Goto, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and K. Hamaya:
   “High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN (0001) surface,”
   Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), TuP-A-5, Nara Kasugano International Forum (IRAKA), Nara, Japan, May 19-23 (2019).
9. B. Mitchell, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:
   “Picosecond time-resolved excitation dynamics and emission manipulation of Eu3+ ions doped in GaN,”
   Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), TuP-G-11, Nara Kasugano International Forum (IRAKA), Nara, Japan, May 19-23 (2019).
10. J. Tatebayashi, T. Nakajima, M. Mishina, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
    “Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in ZnO nanowires for photovoltaic applications,”
    Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), WeC2-5, Nara Kasugano International Forum (IRAKA), Nara, Japan, May 19-23 (2019).
11. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, and J. Tatebayashi: [Invited Talk]
    “Development of semiconductors intra-center photonics,”
    Collaborative Conference on Materials Research 2019 (CCMR2019), KINTEX, Gyeonggi Goyang, Seoul, Korea, June 2-7 (2019).
12. Y. Fujiwara, K. Shiomi, Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, and J. Tatebayashi: [Invited Talk]
    “Development of semiconductors intra-center photonics,”
    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), A10.01, Bellevue, USA, July 7-12 (2019).
13. S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Control of growth kinetics towards enhanced red emissions from strongly excited Eu-doped GaN,”
    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), G09.03, Bellevue, USA, July 7-12 (2019).
14. S. Yamaguchi., A. Yamauchi., T. Onodera., M. Uemukai., Y. Hayashi., H. Miyake., T. Hikosaka., S. Nunoue., K. Shiomi., Y. Fujiwara, and R. Katayama:
    “Demonstration of transverse quasi-phase-matched AlN waveguide SHG device fabricated by surface-activated bonding and silicon removal,”
    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), D01.06, Bellevue, USA, July 7-12 (2019).
15. M.Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa, and R. Katayama:
    “Demonstration of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device,”
    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), M01.02, Bellevue, USA, July 7-12 (2019).
16. R. Wei, B. Mitchell, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
    “Incorporation Site Dependent Excitation Dynamics of Eu3+ ions in Eu-doped GaN,”
    30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-30), FrAII-4, Seattle, USA, July 21-26 (2019).
17. B.Mitchell, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
    “Color-tunablility in Eu doped GaN LEDs based on atomic emission manipulation under current injection,”
    30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-30), PII-7, Seattle, USA, July 21-26 (2019).
18. J. Tatebayashi, R. Higashi, M. Ogawa, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
    “Observation of strongly enhanced Er-related luminescence coupled with cavity modes in Er,O-codoped GaAs microdisks,”
    30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-30), PII-18, Seattle, USA, July 21-26 (2019).
19. J. Tatebayashi, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Enhancement of Eu luminescence in GaN:Eu via introduction of nanostructures and nanocavities,”
    Asia Pacific Society for Materials Research 2019 (APSMR2019) Annual Meeting, Hokkaido, Japan, July 26-29 (2019).
20. M.Uemukai, S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara, and R. Katayama: [Invited Talk]
    “InGaN laser pumped nitride semiconductor transverse quasi-phase-matched waveguide second harmonic generation devices,”
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019), I-07, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).
21. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, D. Lebrun, and J. Tatebayashi: [Invited Talk]
    “Manipulation of Eu emission from GaN using control of photon fields,”
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019), I-08, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).
22. B. Mitchell, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, and V. Dierolf: [Invited Talk]
    “Wavelength-stable and narrow-band red LED for monolithic micro-LED display,”
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019), I-10, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).
23. D. Timmerman, E. Matsubara, L. Gomez, T. Gregorkiewicz, M. Ashida, and Y. Fujiwara:
    “Direct determination of multiple exciton generation rate,”
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019), O-10, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).
24. J. Tatebayashi, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Localized surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based red light-emitting diodes with silver nanoparticles,”
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconducto Nanostructures (SemiconNano2019), O-15, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).
25. Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, and R. Katayama:
    “Input focusing grating coupler for AlN deep UV waveguide SHG device,”
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconducto Nanostructures (SemiconNano2019), P-22, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).
26. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, D. Lebrun, and J. Tatebayashi: [Invited Talk]
    Manipulation of Eu emission from GaN by control of photon fields toward micro-LED display,”
    4th International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN 2019), Hanoi, Vietnam, October 13-16 (2019).
27. D. Timmerman, E. Matsubara, L. Gomez, T. Gregorkiewicz, M. Ashida, and Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Excitation dynamics and efficiency of luminescence of Eu in GaN,”
    4th International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN 2019), Hanoi, Vietnam, October 13-16 (2019).
28. Y. Fujiwara: [Invited Talk]
    “Development of semiconductors intracenter photonics: GaN-based red LED for monolithic micro-LED display,”
    3rd IMS-INSD Joint Workshop on Frontier Nanomaterials, “Opto-science and engineering using nanomaterials for fundamentals and applications,” Hanoi, Vietnam, October 17 (2019).
29. Y. Fujiwara: [Plenary Talk]
    “Development of semiconductors intracenter photonics: Eu-doped GaN-based red LED for monolithic micro-LED display,”
    Display Innovation CHINA 2019/Beijing Summit, Beijing, China, October 22-23 (2019).
30. J. Tatebayashi, T. Nakajima, M. Mishina, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
    “Observation of down-conversion behavior in ZnO:Tm,Yb/ZnO core-shell nanowires,”
    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), GR-1-3, OIST, Okinawa, Japan, November 10-15 (2019).
31. T. Nagata, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, and R. Katayama:
    “Design and fabrication of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device,”
    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), OD1-3, OIST, Okinawa, Japan, November 10-15 (2019)
32. N. Yoshioka, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Demonstration of near-infrared light-emitting diodes with ultra-stable emission wavelength based on Tm-doped GaN,”
    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), OD2-3, OIST, Okinawa, Japan, November 10-15 (2019).
33. A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
    “Design of deep ultraviolet second harmonic generation device with double-layer polarity-inverted AlN waveguide,”
    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), TuP-D-12, OIST, Okinawa, Japan, November 10-15 (2019).
34. D.Timmerman, M, Ashida, and Y. Fujiwara:
    “Excitation dynamics and efficiency of luminescence of Eu in GaN,”
    9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), ThP-OD-3, OIST, Okinawa, Japan, November 10-15 (2019).
35. Y. Fujiwara: [Plenary Talk]
    “Development of semiconductors intracenter photonics: Eu-doped GaN-based red LED for monolithic micro-LED display,”
    USM-Osaka University Joint Colloquium, Penang, Malaysia, November 26-27 (2019).

国内会議発表

1. 市川修平、舘林潤、藤原康文:
   “Eu添加GaNの強励起条件下における赤色発光強度の増大”
   第66回 応用物理学会春季学術講演会、10a-W541-12、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).
2. 塩見圭史、稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文:【講演奨励賞受賞記念講演】
   “Eu添加GaN発光ダイオード応用に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの作製”
   第66回 応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-1、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).
3. 森岡佳紀、山口修平、正直花奈子、林侑介、三宅秀人、塩見圭史、藤原康文、上向井正裕、片山竜二:
   “AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器”
   第66回 応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-8、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).
4. 南部誠明、永田拓実、塩見圭史、藤原康文、大西一生、谷川智之、上向井正裕、片山竜二:
   “Si台座構造上GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製”
   第66回 応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-14、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).
5. 市川修平、高津潤一、藤諒健、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:
   “Tm添加AlGaNにおける青色発光遷移過程の光学特性評価”
   第66回 応用物理学会春季学術講演会、11p-S223-3、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).
6. 舘林潤、D. Timmerman、市川修平、藤原康文:【招待講演】
   “ナノ構造及び共振器導入によるEu添加窒化物半導体の高輝度化”
   第80回応用物理学会秋季学術講演会、20a-N304-1、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
7. 山田晋也、本多遼成、後藤優貴、市川修平、館林潤、藤原康文、浜屋宏平:
   “GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co2FeSi薄膜の低温MBE成長”
   第80回応用物理学会秋季学術講演会、18a-PB3-45、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
8. 小川雅之、舘林潤、半澤弘昌、東諒磨、保見凌平、市川修平、近藤正彦、藤原康文:
   “Er,O共添加GaAsを用いた高Q値2次元フォトニック結晶ナノ共振器の光学特性”
   第80回応用物理学会秋季学術講演会、19a-E208-3、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
9. 永田拓実、上向井正裕、彦坂年輝、布上真也、森川隆哉、藤原康文、谷川智之、片山竜二:
   “GaN 導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作”
   第80回応用物理学会秋季学術講演会、19a-E310-3、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
10. 森岡佳紀、上向井正裕、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人、森川隆哉、藤原康文、谷川智之、片山竜二:
    “AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、19a-E310-4、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
11. 吉岡尚輝、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “Tm添加GaNを活性層に用いた超波長安定近赤外発光ダイオードの作製”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、19a-E310-6、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
12. 山内あさひ、山口修平、小野寺卓也、林侑介、三宅秀人、彦坂年輝、布上真也、塩見圭史、藤原康文、芹田和則、川山巌、斗内政吉、上向井正裕、片山竜二:
    “横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、19p-E310-14、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
13. 山内あさひ、小松天太、池田和久、上杉謙二郎、正直花奈子、三宅秀人、彦坂年輝、布上真也、森川隆哉、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二:
    “2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、19p-E310-15、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
14. 三品匡央、舘林潤、中島徳仁、市川修平、藤原康文:
    “スパッタリング援用MOCVD法によるEu添加ZnOナノワイヤ構造の作製とEu発光特性”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E302-13、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
15. 舘林潤、中島徳仁、三品匡央、D. Timmerman、市川修平、藤原康文:
    “Tm,Yb共添加ZnOナノワイヤ構造におけるダウンコンバージョン挙動の観測”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E302-14、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
16. 前田将吾、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaN薄膜におけるモード利得の遷移種依存性”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E302-15、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
17. D. Timmerman, M. Ashida, S. Ishikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Excitation dynamics and efficiency of Eu luminescence in GaN”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E302-16、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
18. 東諒磨、小川雅之、舘林潤、市川修平、藤原康文:
    “高共振器Q値実現に向けたEr,O共添加GaAsマイクロディスクの作製プロセスの検討”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E302-17、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
19. 森川隆哉、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaNを利用したGaN系半導体表面のピット低減効果”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E310-9、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
20. 市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “微傾斜表面を有するGaN 系半導体における不純物添加と表面構造変化”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E310-10、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).
21. 村上雅人、市川修平、佐々木豊、舘林潤、藤原康文:
    “六角形状の孔を有する2次元フォトニック結晶ナノ共振器によるEu添加GaNの赤色発光増強”
    第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-E310-11、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

研究会

1. 藤原康文、塩見圭史、稲葉智宏、朱婉新、市川修平、舘林潤:【招待講演】
   “半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 －波長超安定・狭帯域Eu添加GaN赤色発光ダイオードの新展開－”
   29th Meeting on Glasses for Photonics、1、京都大学吉田南キャンパス、京都市左京区、1月28日 (2019).
2. 市川修平、高津潤一、藤諒健、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:
   “狭帯域青色発光を示すTm添加AlGaNの発光遷移過程評価”
   日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P19、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).
3. 三品匡生、中島徳仁、吉居玄哉、舘林潤、藤原康文:
   “光デバイスへの応用に向けたEu添加ZnOナノワイヤの成長と評価”
   日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P20、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).
4. 東諒磨、小川雅之、木科大樹、舘林潤、藤原康文:
   “Er,O共添加GaAsマイクロディスク構造の設計手法の確立とEr発光特性評価”
   日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P21、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).
5. 森川隆哉、市川修平、舘林潤、藤原康文:
   “Eu多層ドーピング構造を利用したEu添加GaN結晶の成長表面の平坦化”
   日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P22、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).
6. 松出耀司、山田智也、市川修平、舘林潤、藤原康文:
   “2次元正方格子プラズモニック結晶を利用したEu添加GaN赤色発光の高指向性・高輝度化に向けた研究”
   日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、P23、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).
7. 藤原康文:【招待講演】
   “半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 ～波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色LEDの発明、マイクロLEDディスプレイ実現へのマイルストーン～”
   第18回グリーンナノフォーラム「Society 5.0を支えるデジタル・半導体フォトニクス技術」、大阪産業創造館、大阪市中央区、3月1日 (2019).
8. 藤原康文:【依頼講演】
   “マイクロLEDディスプレイに資する狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色LEDの新展開”
   OPIE特別セミナー「マイクロLED～日本発の次世代ディスプレイの実現へ」、パシフィコ横浜、横浜市西区、4月26日 (2019).
9. 藤原康文、市川修平、舘林潤:【招待講演】
   “半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 ～電気を流して希土類イオンを光らせる～”
   第35回希土類討論会、1A-09、大阪大学銀杏会館、吹田市、5月15日 (2019).
10. 藤原康文:【招待講演】
    “赤色発光 GaN-LED の開発と次世代マイクロLEDディスプレーの取り組み”
    第36回FPDフォーラム、ホテル日航プリンセス京都、京都市下京区、6月7日 (2019).
11. 市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “高密度原子ステップ表面を有するGaN系半導体におけるSiドーピング時の成長挙動”
    日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、広島大学東広島キャンパス、東広島市、6月13-15日 (2019).
12. 森川隆哉、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaNをテンプレート層に利用したGaN系薄膜の表面ピット低減”
    令和元年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、(2)、立命館大学大阪いばらきキャンパス、大阪府茨木市、7月27日 (2019).
13. 小川雅之、舘林潤、半澤弘昌、東諒磨、保見凌平、市川修平、近藤正彦、藤原康文:
    “高Q値2次元フォトニック結晶ナノ共振器を用いたEr,O共添加GaAsの発光特性変化の観測”
    令和元年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、(3)、立命館大学大阪いばらきキャンパス、大阪府茨木市、7月27日 (2019).
14. 藤原康文:【招待講演】
    &color(blue){””超高精細マイクロLEDディスプレイに資するEu添加GaN赤色LEDの開発　 ～電気を流して希土類イオンを光らせる～””};
    センシング技術応用研究会第208回研究例会、大阪産業技術研究所森之宮センター、大阪市城東区、9月5日 (2019).
15. S. Yamada, R. Honda, Y. Goto, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, and K. Hamaya:
    “Magnetic and electrical properties of epitaxial Co2FeSi/GaN(0001) heterostructures for spintronic applications”
    38th Electronic Materials Symposium, We1-6、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
16. M. Mishina, J. Tatebayashi, T. Nakajima, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
    “Formation and optical characteristics of Eu-doped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapour deposition”
    38th Electronic Materials Symposium, We2-16、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
17. J. Tatebayashi, T. Nakajima, M. Mishina, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
    “Observation of the down-conversion behavior in ZnO:Tm,Yb/ZnO core-shell nanowires”
    38th Electronic Materials Symposium, We2-17、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
18. R. Higashi, M. Ogawa, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, M. Kondow, and Y. Fujiwara:
    “Enhancement of Er luminescence in microdisk resonators with Er,O-codoped GaAs”
    38th Electronic Materials Symposium, We2-18、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
19. T. Morikawa, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Surface-pit elimination of GaN-related materials using Eu-doping technique”
    38th Electronic Materials Symposium, Th1-14、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
20. S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Surface-morphology control using appropriate impurity-doping for vicinal (0001) GaN”
    38th Electronic Materials Symposium, Th1-17、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
21. T. Nagata, S. Umeda, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
    “Fabrication of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device”
    38th Electronic Materials Symposium, Fr1-10、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
22. S. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nuoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
    “Design of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device”
    38th Electronic Materials Symposium, Fr1-11、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
23. Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, and R. Katayama:
    “Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device”
    38th Electronic Materials Symposium, Fr1-13、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
24. A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
    “Design of deep ultraviolet second harmonic generation device with double-layer polarity-inverted AlN waveguide”
    38th Electronic Materials Symposium, Fr1-16、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
25. N. Yoshioka, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Remarkably wavelength-stable near-infrared emission of Tm-doped GaN light-emitting diodes”
    38th Electronic Materials Symposium, Fr1-20、The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).
26. 前田将吾、市川修平、舘林潤、藤原康文:
    “Eu添加GaN薄膜における励起長可変法を用いた利得スペクトル評価”
    令和元年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会・令和元年度第2回ナノ材料部門委員会第1回研究会、➅、京都大学桂キャンパスAクラスター（A2棟）化学系大講義室（A2-306教室）、京都市左京区、11月16日 (2019).
27. 村上雅人、市川修平、佐々木豊、舘林潤、藤原康文:
    “2次元フォトニック結晶スラブに導入した線欠陥ナノ共振器によるEu添加GaNの発光増強”
    令和元年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会・令和元年度第2回ナノ材料部門委員会第1回研究会、⑦、京都大学桂キャンパスAクラスター（A2棟）化学系大講義室（A2-306教室）、京都市左京区、11月16日 (2019).
28. 藤原康文、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤:【招待講演】
    “超高精細マイクロLEDディスプレイに資するEu添加GaN赤色LEDの高輝度化とRGB集積化”
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第220回研究集会「マイクロLED技術の現状と今後の展開」、(3)、応用物理学会応物会館、東京都文京区、11月18日 (2019).

著書

1. 藤原康文、市川修平、舘林潤:
   “1.4.3 次世代に期待される技術：1.4.3.1　狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色LED,”
   光技術動向調査報告書 (2019).

解説等

1. 藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、市川修平、舘林潤:
   “マイクロLEDディスプレイに資する狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色LEDの新展開,”
   オプトロニクス 38 (2019) pp. 38-43.

顕彰

1. 三品匡生（中島徳仁、吉居玄哉、舘林潤、藤原康文）
   1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
   2. 日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会　学生優秀講演賞
   3. “光デバイスへの応用に向けたEu添加ZnOナノワイヤの成長と評価”
   4. 2019年2月5日
2. 森川隆哉（市川修平、舘林潤、藤原康文）
   1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
   2. 日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会　学生優秀講演賞
   3. “Eu多層ドーピング構造を利用したEu添加GaN結晶の成長表面の平坦化”
   4. 2019年2月5日
3. 藤原康文
   1. 平成30年度日本学術振興会光電相互変換第125委員会 業績賞
   2. “半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓”
   3. 2019年3月8日
4. 塩見圭史（稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文）
   1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程2年
   2. 第45回（2018年秋季）応用物理学会 講演奨励賞
   3. “Eu添加GaN発光ダイオード応用に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの作製”
   4. 2019年3月9日
5. 市川修平、高津潤一、藤諒健、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文
   1. ISPlasma2019/IC-PLANTS2019 Best Presentation Award
   2. “Excitation and relaxation processes of narrow-band blue emission in Tm-doped AlGaN revealed by time-resolved photoluminescence spectroscopy”
   3. 2019年3月22日
6. 市川修平
   1. 平成30年度小澤・吉川記念賞
   2. “希土類添加技術を利用した窒化ガリウム結晶における新奇ステップ制御エピタキシー法の創製と高機能光デバイスの開発”
   3. 2019年3月22日
7. 市川修平（朱婉新、森川隆哉、舘林潤、藤原康文）
   1. 平成30年度日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 講演奨励賞
   2. “In-situ Eu ドーピング技術を利用した微傾斜(0001)GaN 表面のステップバンチング抑制”
   3. 2019年4月20日
8. 市川修平（舘林潤、藤原康文）
   1. 日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」 研究奨励賞
   2. “高密度原子ステップ表面を有するGaN系半導体におけるSiドーピング時の成長挙動”
   3. 2019年6月15日
9. 舘林潤
   1. APSMR2019 (Asia Pacific Society for Materials Research 2019) Annual Meeting Invited Presentation Award
   2. “Enhancement of Eu luminescence in GaN:Eu via introduction of nanostructures and nanocavities”
   3. 2019年7月29日
10. 小川雅之（舘林潤、半澤弘昌、東諒磨、保見凌平、市川修平、近藤正彦、藤原康文）
    1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程3年
    2. 日本材料学会令和元年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会　学生優秀講演賞
    3. “高Q値2次元フォトニック結晶ナノ共振器を用いたEr,O共添加GaAsの発光特性変化の観測”
    4. 2019年7月31日