研究成果 2022年
論文・プロシーディングス
- D. Timmerman, T. Iwaya, and Y. Fujiwara:
“High-Q nanorod photonic crystal ring resonators,”
Optics Express 30 (2022) pp. 3488-3496.
https://doi.org/10.1364/OE.443080 - H. Austin, B. Mitchell, K. Ortiz, M. Waite, D. Timmerman, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
“Modeling defect mediated color-tunability in LEDs with Eu-doped GaN-based active layers,”
Journal of Applied Physics 131 (2022) pp. 045701/1-7.
https://doi.org/10.1063/5.0077223 - R. Komai, S. Ichikawa, H. Hanzawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Elucidation of excitation mechanism of Tb ions doped in AlxGa1-xN grown by OMVPE towards a wavelength-stable green emitter,”
Journal of Applied Physics 131 (2022) pp. 073102/1-7.
https://doi.org/10.1063/5.0080269 - A. Kiyoi, N. Kawabata, K. Nakamura, and Y. Fujiwara:
“Annealing-temperature-dependent evolution of hydrogen-related donor and its strong correlation with X-photoluminescence center in proton-irradiated silicon,”
Journal of Applied Physics 131 (2022) pp. 125702/1-8.
https://doi.org/10.1063/5.0083249 - N. Yokoyama, R. Tanabe, Y. Yasuda, H. Honda, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
“GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion,”
Japanese Journal of Applied Physics 61 (2022) pp. 050902/1-6.
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac57ab - T. Nambu, T. Yano, S. Umeda, N. Yokoyama, H. Honda, Y. Tanaka, Y. Maegaki, Y. Mori, M. Yoshimura, S. Kobayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, R. Ishii, Y. Kawakami, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
“DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device,”
Optics Express 30 (2022) pp. 18628-18637.
https://doi.org/10.1364/OE.457538 - T. Otabara, J. Tatebayashi, S. Hasegawa, D. Timmerman, S. Ichikawa, M. Ichimiya, M. Ashida, and Y. Fujiwara:
“Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy,”
Japanese Journal of Applied Physics 61 (2022) pp. SD1022/1/5.
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4e4c - T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Improved Q-factors of III-nitride-based photonic crystal nanocavities by optical loss engineering,”
Optics Express 30 (2022) pp. 28853-28864.
https://doi.org/10.1364/OE.460467 - N. Yokoyama, Y. Morioka,T. Murata, H. Honda, K. Serita, H. Murakami,M. Tonouchi, S. Tokita, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
“Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser,”
Applied Physics Express 15 (2022) pp. 112002/1-4.
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac9511 - 舘林潤、西山直登、Dolf Timmerman、市川修平、藤原康文:
“ダウンコンバージョンによる太陽電池の変換効率向上を目指したTm,Yb 共添加 ZnO ナノワイヤの作製と光学評価,”
材料 71 pp. 811-818 (2022).
国際会議発表
- S. Ichikawa: [Invited Talk]
“Control of macrostep structures on vicinal (0001) GaN surfaces using Eu-doped GaN interlayers,”
3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022)/2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022), S-15, Nagoya Congress Center/on-line, January 11-13 (2022). - J. Tatebayashi: [Invited Talk]
“Exploration of semiconductor nanowire photonics towards advent of super smart societies,”
2022 ASEAN Joint Workshop, on-line, March 24 (2022). - T. Otabara, J. Tatebayashi, D. Timmerman, S. Ichikawa, M. Ichimiya, M. Ashida, and Y. Fujiwara:
“Room temperature red luminescence from GaN:Eu/GaN core-shell nanowires,”
International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2022 (ICNN2022), ICNN2-02, Pacifico Yokohama Conference Center, Yokohama, Japan, April 18-22 (2022). - T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Demonstration of a GaN-based high-Q (7900) h2 photonic crystal cavity in the red region,”
International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2022 (ICNN2022), ICNN2-05, Pacifico Yokohama Conference Center, Yokohama, Japan, April 18-22 (2022). - D. Timmerman, T. Iwaya, and Y. Fujiwara:
“(Quasi-) 1D nanorod resonators,”
International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2022 (ICNN2022), ICNN2-06, Pacifico Yokohama Conference Center, Yokohama, Japan, April 18-22 (2022). - Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
“Eu-doped GaN-based red LEDs for next-generation micro-LED displays,”
2022 International Conference on Electronics Packaging (ICEP 2022), TA1-1, Sapporo Community Plaza, Hokkaido (Hybrid conference), May 11-13 (2022). - Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
“Eu-doped GaN-based red LEDs for micro-LED displays with extremely high resolution,”
29th Workshop on Active-Matrix Flatpanel Display and Devices -TFT Technologies and FPD Materials (AM-FPD 22), S2_2, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall Kyoto, Kyoto, Japan (Hybrid conference), July 5-8 (2022). - R. Yamato, S. Ichikawa, A. Takeo, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Drastically reduced compositional fluctuation and indium incorporation in InGaN QWs grown on vicinal substrates using Eu-doped GaN interlayers,”
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), WA1-3, Nagoya University, Nagoya, Japan, September 5-8 (2022). - S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and K. Kojima:
“Visualization of excited-electron relaxation in InGaN quantum wells using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy,”
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), AT003, Berlin, Germany, October 9-14 (2022). - Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
“Towards Next-Generation Micro-LED Displays Using Eu-Doped GaN,”
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), IT15, Berlin, Germany, October 9-14 (2022). - S. Ichikawa, K. Shiomi, T. Morikawa, Y. Sasaki, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Monolithically-Stacked Tri-Colored LEDs towards Micro-LED Display with Eu-doped GaN and InGaN Layers,”
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), AT052, Berlin, Germany, October 9-14 (2022). - T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Improved Q-factors (> 10000) of III-Nitride-Based Two-Dimensional Photonic Crystal Cavities in the Red Region,”
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), AT177, Berlin, Germany, October 9-14 (2022). - H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
“Second Harmonic Generation of 230 nm DUV Light from Transverse Quasi-Phase-Matched -c-AlN/+c-AlN Channel Waveguide,”
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), AT256, Berlin, Germany, October 9-14 (2022). - A. Takeo, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Control of highly efficient Eu luminescence centers and drastic intensity enhancement in Eu-doped GaN grown on semipolar (20-21) GaN,”
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), Berlin, Germany, PP292, October 9-14 (2022). - T. Otabara, J. Tatebayashi, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
“Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire LEDs towards realization of flexible light-emitting devices,”
35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022), 9D-4-1, Tokushima, Japan, November 8-11 (2022). - Z. Fang, J. Tatebayashi, H. Kajii, M. Kondow, and Y. Fujiwara:
“Demonstration of nanobeam photonic crystal nanocavities with improved Q-factor based on Er,O-codoped GaAs,”
35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022), 10P-3-2, Tokushima, Japan, November 8-11 (2022). - A. Takeo, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Drastic spectral narrowing and intensity enhancement of red emission from Eu-doped GaN grown on semipolar (20-21) GaN template,”
10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), OTC-04, COZZI Blu, Taoyuan, Taiwan, November 13-18 (2022). - D. Timmerman, T. Ishihara, D. Denier van der Gon, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Influence of carrier diffusion length on quantum efficiency of red-emitting Eu-doped GaN micro-structures,”
10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022), OTC-11, COZZI Blu, Taoyuan, Taiwan, November 13-18 (2022). - D. Timmerman, T. Iwaya, and Y. Fujiwara:[Invited talk]
“GaN based (quasi-) 1D nanorod photonic resonators,”
5th International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN2022), I127, Hanoi, Vietnam, November 16-19 (2022). - Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
“Towards next-generation micro-LED displays using Eu-doped GaN,”
5th International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN2022), I150, Hanoi, Vietnam, November 16-19 (2022).
国内会議発表
- 藤原康文、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤:【招待講演】
“Eu添加GaNからの赤色レーザ発振を目指して~フォトン場の制御~”
レーザー学会学術講演会第42回年次大会 シンポジウム「窒化物半導体レーザーダイオードの最前線 ~青,緑,深紫外,そして赤」、S09-14a-VI-01、オンライン開催、1月12-14日 (2022). - 大西雅人、市川修平、藤原康文、芦田昌明:
“Eu添加GaN結晶におけるエネルギー移動”
日本物理学会第77回年次大会、17pPSE-16、オンライン開催、3月15-19日 (2022). - 亀井拓哉、久田雄太、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二:
“電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN方向性結合器の作製と評価”
第69回応用物理学会春季学術講演会、22p-E202-3、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - 駒井亮太、市川修平、半澤弘昌、舘林潤、藤原康文:【第51回講演奨励賞受賞記念講演】
“Tb添加AlxGa1-xNを活性層に用いた超波長安定発光ダイオードの作製”
第69回応用物理学会春季学術講演会、22p-D316-8、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - 岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:
“赤色領域におけるIII族窒化物系フォトニック結晶共振器の高Q値化 (>10,000)”
第69回応用物理学会春季学術講演会、22p-E202-14、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - 竹尾敦志、市川修平、小林周平、舘林潤、藤原康文:
“半極性(20-21)GaN基板上Eu添加GaN LEDの作製と発光特性評価”
第69回応用物理学会春季学術講演会、23a-E202-1、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - 加藤昌稔、山田晋也、市川修平、小林周平、山田道洋、内藤貴大、舘林潤、藤原康文、浜屋宏平:
“強磁性ホイスラー合金/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出”
第69回応用物理学会春季学術講演会、23a-E302-1、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - 南部誠明、田中康教、森勇介、吉村政志、市川修平、藤原康文、石井良太、川上養一、上向井正裕、谷川智之、片山竜二:
“SrB4O7微小共振器を用いた234 nm深紫外第二高調波発生”
第69回応用物理学会春季学術講演会、24p-D215-5、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - 戸田晋太郎、野末竜弘、神崎伯夫、宮永和恒、寺島雅弘、飯田真一、藤原康文:
“p-GaN表面の反応性ドライエッチング特性”
第69回応用物理学会春季学術講演会、25a-E104-3、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - 本田啓人、俵悠弥、藤原康文、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二:
“230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたHfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路の作製”
第69回応用物理学会春季学術講演会、26p-E203-6、青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県相模原市)+オンライン、3月22-26日 (2022). - Z. Fang, J. Tatebayashi, H. Kajii, M. Kondow, and Y. Fujiwara:
“Demonstration of nanobeam photonic crystal nanocavities with improved Q-factor based on Er,O-codoped GaAs”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、20a- A101-6、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 一宮亘、市川修平、小林周平、舘林潤、藤原康文:
“導電性HfO2/TiO2 DBRを用いた垂直共振器型Eu添加GaN赤色発光ダイオードの動作実証”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、20a-C200-11、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 大和玲雄、市川修平、竹尾敦志、館林潤、藤原康文:
“Eu添加GaN表面平坦化層導入による微傾斜(0001) InGaN量子井戸発光の均一性向上”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、21a-C101-4、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 西村和人、舘林潤、市川修平、山田晋也、浜屋宏平、藤原康文:
“Eu添加ZnOを活性層に用いた赤色LED構造の作製と発光特性評価”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、21a-C101-5、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 池田和久、村田知駿、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山 竜二:
“MOVPEエピタキシャル極性反転技術を用いたGaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの作製”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、21p-B201-3、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 中原智裕、南部誠明、安田悠馬、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、 片山竜二:
“微小共振器構造を用いた面発光型広帯域光子対発生デバイスの設計”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、21p-B201-4、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 村田雄生、戸田晋太郎、藤原康文、中川貴、市川修平:
“InGaN円偏光素子の実現に向けたSi3N4メタサーフェスの設計と作製”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、22a-C101-1、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:
“成長後高温熱処理によるEu,O共添加GaNの発光中心再構成とEu赤色発光の高効率化”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、22a-C200-5、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 吉村拓真、館林潤、大田原崇也、Timmerman Dolf、市川修平、藤原康文:
“有機金属気相エピタキシャル法を用いた高アスペクト比GaN:Eu/GaNナノワイヤの成長と光学評価”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、23a-C200-4、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - F. Murakami, A. Takeo, A. Mannan, Y. Fujiwara, and M. Tonouchi:
“Interfacial electric field and bandgap estimation on GaN:Eu using laser terahertz emission microscopy”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、23a-C202-4、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:【第52回講演奨励賞受賞記念講演】
“可視光域におけるIII族窒化物系フォトニック結晶共振器の高Q値化に向けた2次元ヘテロ構造の導入”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、23a-C200-6、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 大田原崇也、舘林潤、吉村拓真、Dolf Timmerman、市川修平、藤原康文:
“フレキシブル発光デバイス実現に向けたGaN:EuナノワイヤLEDの作製”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、23a-C200-8、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022). - 竹尾敦志、市川修平、舘林潤、藤原康文:
“Eu添加GaN下地層の導入による(20-21)GaNテンプレート上InGaN量子井戸の表面平坦化と発光特性評価”
第83回応用物理学会秋季学術講演会、23p-C200-7、東北大学川内北キャンパス(仙台市)+オンライン、9月20-23日 (2022).
研究会
- 大田原崇也、舘林潤、長谷川竣也、Dolf Timmerman、市川修平、一宮正義、芦田昌明、藤原康文:
“OMVPE法を用いたGaN:Eu/GaNコアシェルナノワイヤの結晶成長とGaN:Eu/GaNコアシェルナノワイヤの結晶成長と光学特性評価”
日本材料学会令和3年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、①、オンライン開催、1月22日 (2022). - 石原聡啓、市川修平、Dolf Timmerman、岩谷孟学、芦田昌明、舘林潤、藤原康文:
“マイクロLEDの実現に向けたLEDの実現に向けたEu添加GaN微細構造の発光量子効率評価”
日本材料学会令和3年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、④、オンライン開催、1月22日 (2022). - 谷口輝樹、舘林潤、Dolf Timmerman、市川修平、芦田昌明、藤原康文:
“Eu添加GaN系マイクロディスクの光学特性および電流動作に向けたGaN系マイクロディスクの光学特性および電流動作に向けたデバイス構造の検討”
日本材料学会令和3年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、⑤、オンライン開催、1月22日 (2022). - 西村和人、舘林潤、市川修平、藤原康文:
“Eu添加ZnOを活性層に用いた赤色LED構造の検討と発光特性の評価”
日本材料学会令和3年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、⑦、オンライン開催、1月22日 (2022). - 一宮亘、市川修平、小林周平、舘林潤、藤原康文:
“導電性HfO2/TiO2 DBRを用いたEu添加GaN発光ダイオードの高輝度化GaN発光ダイオードの高輝度化”
日本材料学会令和3年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、⑧、オンライン開催、1月22日 (2022). - 藤原康文、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤:【招待講演】
“超高精細マイクロLEDディスプレイの基幹技術としてのEu添加GaN赤色LED”
映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会ディスプレイ技術シンポジウム2022、オンライン開催、3月4日 (2022). - 藤原康文、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤:【招待講演】
“Eu添加GaN赤色LEDの現状と超高精細マイクロLEDディスプレイ応用可能性”
応用物理学会結晶工学分科会第157回研究会「窒化物半導体光デバイスの最前線 ~結晶成長の理解とデバイス開発~、オンライン開催、6月1日 (2022). - 岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:
“高温アニール処理によるEu,O共添加GaN中Euの周辺局所構造変化とEu赤色発光の高効率化”
日本材料学会令和4年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、④、オンライン開催、8月6日 (2022). - T. Nakahara, T. Nambu, Y. Mori, M. Yoshimura, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, R. Ishii, Y. Kawakami, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
“Deep-ultraviolet second-harmonic generation from microcavity structure with SrB4O7 nonlinear optical crystal,”
41st Electronic Materials Symposium, Th1-9、The Kashihara、奈良県橿原市、10月19-21日 (2022). - K. Ikeda, T. Murata, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
“Fabrication of GaN transverse quasi phase matching photon pair generation device using MOVPE-based epitaxial polarity inversion technology,”
41st Electronic Materials Symposium, Th1-10、The Kashihara、奈良県橿原市、10月19-21日 (2022). - W. Ichimiya, S. Ichikawa, S. Kobayashi, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
“Enhanced red luminescence from Eu-doped GaN RCLED using a conductive HfO2/TiO2 DBR,”
41st Electronic Materials Symposium, Th1-11、The Kashihara、奈良県橿原市、10月19-21日 (2022). - T. Otabara, J. Tatebayashi, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
“Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire LEDs towards realization of flexible light-emitting devices,”
41st Electronic Materials Symposium, Fr2-11、The Kashihara、奈良県橿原市、10月19-21日 (2022). - Y. Murata, S. Toda, Y. Fujiwara, T. Nakagawa, and S. Ichikawa:
“Highly efficient linear-to-circular polarization converter using Si3N4 metasurfaces for application in InGaN-based emitters,”
41st Electronic Materials Symposium, Fr2-12、The Kashihara、奈良県橿原市、10月19-21日 (2022). - 市川修平、藤原康文、小島一信:【招待講演】
“Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~”
Sophia Open Research Week 2022 第3回半導体ナノフォトニクス研究会、上智大学四ツ谷キャンパス、東京都千代田区、11月23日 (2022). - 舘林潤、藤原康文:【招待講演】
“希土類添加半導体ナノフォトニクスの開拓”
第389回蛍光体同学会講演会、4、日本弘道会ビル、東京都千代田区、11月25日 (2022).
解説等
- 藤原康文:
“二十二世紀の世界を夢見て,”
応用物理 91 (2022) p. 1.
顕彰
- 石原聡啓(市川修平、Dolf Timmerman、岩谷孟学、芦田昌明、舘林潤、藤原康文)
- 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
- 日本材料学会令和3年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会 学生優秀講演賞
- “マイクロLEDの実現に向けたLEDの実現に向けたEu添加GaN微細構造の発光量子効率評価”
- 2022年1月24日
- 駒井亮太(市川修平、半澤弘昌、舘林潤、藤原康文)
- 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程2年
- 第51回 (2021年秋季)応用物理学会 講演奨励賞
- “Tb添加AlxGa1-xNの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性”
- 2022年3月22日
- 岩谷 孟学(市川 修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文)
- 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
- 日本材料学会令和3年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 学生優秀講演賞
- “高温アニール処理によるEu,O共添加GaN中Euの周辺局所構造変化とEu赤色発光の高効率化”
- 2022年8月6日
- 岩谷孟学(市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文)
- 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
- 第52回 (2022年春季)応用物理学会 講演奨励賞
- “赤色領域におけるIII族窒化物系フォトニック結晶共振器の高Q値化 (>10,000)”
- 2022年9月20日
- A. Takeo (S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara)
- 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
- International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), Best Student Presentation Award
- “Control of highly efficient Eu luminescence centers and drastic intensity enhancement in Eu-doped GaN grown on semipolar (20-21) GaN”
- 2022年10月14日