論文・プロシーディングス

1. T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
   “Enhanced light output of Eu, O-codoped GaN caused by reconfiguration of luminescent sites during post-growth thermal annealing,”
   Applied Physics Letters122(2023) pp. 032102/1-5.
   https://doi.org/10.1063/5.0136880
2. T. Otabara, J. Tatebayashi, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
   “Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire light emitting diodes grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy,”
   Japanese Journal of Applied Physics62(2023) pp. SG1018/1-6.
3. S. Suzuki, M. Matsubara, H. Minamiyama, M. Dhamrin, Y. Fujiwara, and Y. Uraoka:
   “In-situ X-ray diffraction analysis of SiGe liquid phase growth on Si using Al-Ge paste,”
   Materials Chemistry and Physics301(2023) pp. 127639/1-9.
   https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2023.127639
4. S. Yamada, M. Kato, S. Ichikawa, M. Yamada, T. Naito, Y. Fujiwara, and K. Hamaya:
   “Half-metallic Heusler alloy/GaN heterostructure for semiconductor spintronics devices,”
   Adanced Electronic Materials9(2023) 2300045/1-9.
   https://doi.org/10.1002/aelm.202300045
5. H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, H. Miyake, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama:
   “229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in vertically polarity inverted AlN bilayer channel waveguide,”
   Applied Physics Express16(2023) pp. 062006/1-4.
   https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/acda79
6. T. Nambu, T. Nakahara, Y. Yasuda, Y. Fujiwara, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama:
   “Second harmonic generation from a-plane GaN vertical monolithic microcavity pumped with femtosecond laser,”
   Applied Physics Express16(2023) pp. 072005/1-6.
   https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ace242
7. J. Tatebayashi, K. Nishimura, S. Ichikawa, S. Yamada, Y. Nakajima, K. Sato, K. Hamaya, and Y. Fujiwara:
   “Red electroluminescence from light emitting diodes based on Eu-doped ZnO embedded in p-GaN/Al2O3/n-ZnO heterostructures,”
   ECS Journal of Solid State Science and Technology12(2023) pp. 076017/1-9.
   https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2162-8777/ace655
8. T. Taniguchi, D. Timmerman, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
   “Electrically driven europium doped GaN microdisk,”
   Optics Letters48(2023) pp. 4590-4592.
   https://doi.org/10.1364/OL.494616
9. J. Tatebayashi, T. Otabara, T. Yoshimura, R. Hada, R. Yoshida, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
   “Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN nanowires for applications in light-emitting diodes,”
   ECS Journal of Solid State Science and Technology12(2023) pp. 096003/1-10.
   https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2162-8777/acf6ff
10. Z. Fang, J. Tatebayashi, R. Homi, M. Ogawa, H. Kajii, M. Kondow, K. Kitamura, B. Mitchell, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
    “Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-codoped GaAs,”
    Optics Continuum2(2023) pp. pp. 2178-2185.
    https://doi.org/10.1364/OPTCON.501666
11. F. Murakami, A. Takeo, B. Mitchell, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and M. Tonouchi:
    “Enhanced optoelectronic devices based on dilute rare-earth-doped superlattice structures revealed through terahertz emission spectroscopy,”
    Communications Materials4(2023) pp. 100/1-10.
    https://www.nature.com/articles/s43246-023-00428-6

国際会議発表

1. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
   “Towards ultrahigh-resolution micro-LED displays using a monolithic vertically stacked full-color LED,”
   SPIE Photonics West 2020,12421-62, Moscone Center, San Francisco, USA, January 30-February 2 (2023).
2. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
   “Monolithic Vertically Stacked RGB LEDs for Small Micro-LED Displays with Ultrahigh Definition,”
   2023 International Conference on Electronics Packaging (ICEP2023),TE1-2, Civic Auditorium Sears Home Yume Hall, Kumamoto, Japan, April 19-22 (2023).
3. Z. Fang, J. Tatebayashi, H. Kajii, S. Ji, S. Iwamoto, M. Kondow, and Y. Fujiwara:
   “Enhanced vertical light extraction in nanobeam photonic crystal nanocavities based on Er,O-codoped GaAs,”
   International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2023 (ICNN2023),ICNN2-04, Pacifico Yokohama Conference Center, Yokohama, Japan, April 19-21 (2023).
4. J. Tatebayashi, T. Otabara, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:
   “Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire light emitting diodes grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy,”
   International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2023 (ICNN2023),ICNN5-03, Pacifico Yokohama Conference Center, Yokohama, Japan, April 19-21 (2023).
5. T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
   “III-Nitride-based high-Q (> 10000) two-dimensional photonic crystal nanocavities in the red region,”
   International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2023 (ICNN2023),ICNN6-05, Pacifico Yokohama Conference Center, Yokohama, Japan, April 19-21 (2023).
6. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
   “Towards small, ultrahigh-definition micro-LED displays using monolithic vertically stacked RGB LEDs,”
   SID’ Display Week Symposium,37-4, Los Angeles Convention Center, Los Angels, USA, May 21-25 (2023).
7. Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, and J. Tatebayashi:[Invited talk]
   “Eu-doped GaN red LEDs as a key component for micro-LED displays with ultrahigh resolution,”
   International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials: Processing, Fabrication, Properties, Applications (Thermec2023), Vienna, Austria, July 2-7 (2023).
8. Y. Fujiwara:[Plenary talk]
   “Semiconductors intra-center photonics,”
   3rd International Conference on Dielectric Photonic Devices and Systems Beyond Visible (D-Photon2023), Bari, Italy, July 13-15 (2023).
9. Y. Fujiwara:[Featured Invited talk]
   “Full-color LEDs on one chip as a key technology to realize small, ultrahigh-definition micro-LED displays,”
   23rd International Meeting on Information Display (IMID2023),E13-1, BEXCO, Busan, Korea, August 22-25 (2023).
10. H. Austin, B. Mitchell, F. Murakami, J. Tatebayashi, M. Tonouchi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:
    “Carrier Confinement for Improved Color Tunability of Eu-doped GaN LEDs,”
    32nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23),TuP-3, Rehoboth Beach, Delaware, USA, September 10-15 (2023).
11. T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Enhanced light output of Eu,O-codoped GaN caused by luminescent site reconfiguration during post-growth thermal annealing,”
    32nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), Rehoboth Beach, Delaware, USA, September 10-15 (2023).
12. F. Murakami1 A. Takeo, B. Mitchell, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and M. Tonouchi:
    “Ultrafast carrier dynamics in GaN:Eu LED structures studied by terahertz emission spectroscopy,”
    32nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), Rehoboth Beach, Delaware, USA, September 10-15 (2023).
13. T. Ishihara, S. Ichikawa, G. Tanaka, K. Miyanaga, T. Uemura, N. Kanzaki, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Monolithic integration of small blue and red LEDs for next-generation micro-LED displays with ultrahigh definition,”
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICDS-14),OD2-4, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan. November 12-17 (2023).
14. Y. Murata, S. Ichikawa, S. Toda, Y. Fujiwara, and K. Kojima:
    “Design of highly efficient InGaN-based circularly polarized LEDs integrated with Si3N4 metasurface,”
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICDS-14),LN2-6, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan. November 12-17 (2023).
15. T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Enhanced luminous efficiency of Eu,O-codoped GaN due to luminescent site reconfiguration induced by high-temperature thermal annealing,”
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICDS-14),CH16-4, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan. November 12-17 (2023).
16. K. Nishimura, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, S. Yamada, Y. Nakajima, K. Sato, K. Hamaya, and Y. Fujiwara:
    “Red electroluminescence from Eu-doped ZnO in p-GaN/Al2O3/n-ZnO heterostructure,”
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICDS-14),MoP-GR-47, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan. November 12-17 (2023).
17. T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Eu,O-codoped GaN-based high-Q two-dimensional photonic crystal cavities in the red region,”
    2023 MRS Fall Meeting, Symposium “Emerging Material Platforms and Fundamental Approaches for Plasmonics, Nanophotonics and Metasurfaces”,EL08.03.04, Boston, Massachusetts, USA, November 26-December 1 (2023).

国内会議発表

1. 村田雄生、市川修平、戸田晋太郎、藤原康文、小島一信、中川貴:
   “Si3N4メタサーフェスを利用した半極性(20-21) InGaN円偏光素子の設計”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、15p-B401-8、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
2. 村上史和、竹尾敦志、藤原康文、斗内政吉: ”
   “テラへルツ放射測定によるGaN:Eu/GaN超格子構造の障壁エネルギーとキャリア輸送特性の評価”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、16a-B401-1、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
3. 藤原康文:【招待講演】
   “小型・超高精細マイクロLEDディスプレイ実現の鍵を握るEu添加GaN赤色LEDの高輝度化に向けて”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、16p-A404-5、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
4. 市川修平、塩見圭史、森川隆哉、佐々木豊、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:【第44回応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演】
   “Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、16p-B401-5、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
5. 佐藤陽子、紺野象二郎、本山敦史、横井雅樹、松濱誠、市川修平、宮永和恒、神﨑伯夫、藤原康文:
   “発光分光分析計を用いたエッチングプロセスにおけるEu添加GaN層の終点検知”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、16p-B401-10、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
6. 岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、Volkmar Dierolf、Hayley Austin、Brandon Mitchell、舘林潤、藤原康文:
   “高温アニール処理を施したEu,O共添加GaNの光励起・電流注入下における発光特性”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、17p-B410-3、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
7. 山崎舜介、市川修平、岩谷孟学、藤原康文:
   “Tb添加AlxGa1-xN発光ダイオードにおける発光特性と電気的特性のAl原料供給量依存性”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、17p-B410-4、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
8. 松山健人、大田原崇也、北村恭子、舘林潤、藤原康文:
   “機械学習を用いたGaN:Euナノワイヤの底面積予測に関する研究”
   第70回応用物理学会春季学術講演会、17p-PB07-5、上智大学四谷キャンパス（東京都千代田区）＋オンライン、3月15-18日 (2023).
9. 南部誠明、中原智裕、安田悠馬、藤原康文、斗内政吉、上向井正裕、谷川智之、片山竜二:
   “超短パルスレーザ励起におけるa面GaN垂直微小共振器デバイスからの428 nm第二高調波発生”
   第84回応用物理学会秋季学術講演会、19p-B101-15、熊本城ホール（熊本県熊本市）＋オンライン、9月19-23日 (2023).
10. 田畑博史、市川修平、藤井耕太郎、西村周、石原聡啓、藤原康文、片山光浩:
    “μLED/MoS2 一体型ガスセンサを用いた低消費電力NO2 センシング”
    第84回応用物理学会秋季学術講演会、21a-A202-9、熊本城ホール（熊本県熊本市）＋オンライン、9月19-23日 (2023).
11. 田中研気、石原聡啓、市川修平、館林潤、藤原康文:
    “トンネル接合を用いたEu添加GaNおよびInGaN量子井戸LED多色積層マイクロLEDの実証”
    第84回応用物理学会秋季学術講演会、23a-B101-5、熊本城ホール（熊本県熊本市）＋オンライン、9月19-23日 (2023).

研究会

1. 吉村拓真、舘林潤、大田原崇也、Dolf Timmerman、市川修平、藤原康文:
   “高アスペクト比Eu添加GaNナノワイヤの選択OMVPE成長とEu 発光特性”
   令和4年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、①、オンライン、1月21日 (2023).
2. 山崎舜介、市川修平、岩谷孟学、舘林潤、藤原康文:
   “Tb添加AlxGa1-xNを活性層に用いた発光ダイオードの発光特性と電気的特性の評価”
   令和4年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、②、オンライン、1月21日 (2023).
3. 羽田頼生、舘林潤、大田原崇也、Timmerman Dolf、市川修平、藤原康文:
   “デバイス特性改善に向けたEu添加GaNナノワイヤ発光ダイオードの構造検討”
   令和4年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、④、オンライン、1月21日 (2023).
4. 藤原康文:【招待講演】
   “赤色マイクロLEDの大学発ベンチャーを目指して”
   第42回FPDフォーラム、ホテル日航プリンセス京都、京都市下京区、6月9日 (2023).　
5. 舘林潤、藤原康文:【招待講演】
   “次世代ディスプレイ実現に向けたEu添加GaNナノワイヤの結晶成長”
   第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、Fr-I03、山形テルサ、山形県山形市、6月15-17日 (2023).　
6. 市川修平、舘林潤、藤原康文:【招待講演】
   “Eu添加GaNの結晶成長とマイクロLEDディスプレイ用赤色LEDにむけた展開”
   日本学術振興会産業イノベーションのための結晶成長第R032委員会 、第13回研究会「ディスプレイ用LEDおよび関連発光材料」、ハイブリッド（ウインクあいちでの対面とZoomによるオンライン）、7月7日 (2023).　
7. 藤原康文:【招待講演】
   “Emissive, MicroLED, and Quantum-Dot Display”
   Display Week 2023報告会、オンライン、7月21日 (2023).
8. 山田海斗、舘林潤、西村和人、市川修平、藤原康文:
   “Eu添加ZnOを活性層に用いた赤色LEDの特性向上に向けた構造検討”
   令和5年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、②、大阪公立大学 I-siteなんば（大阪市浪速区）、7月29日 (2023).
9. 藤原康文、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤:【招待講演】
   “モノリシック垂直積層型RGB LEDを用いた小型・超高精細マイクロLEDディスプレイを目指して”
   映像情報メディア学会情報ディスプレイ研究会「ディスプレイ一般」、(1)、オンライン、8月4日 (2023).　
10. 市川雄平、藤原康文、小島一信:【招待講演】
    “マイクロLED応用に向けたGaN系LEDの同一基板フルカラー集積と時間分解光電子分光法に基づく表面再結合評価の提案”
    電子分光法に基づく表面再結合評価の提案” 日本学術振興会光電相互変換第125委員会、第266回研究会「マイクロLEDに関する要素技術」、(1)、明治大学駿河台キャンパス、9月29日 (2023).　
11. K. Yamada, J. Tatebayashi, K. Nishimura, S. Ichikawa, S. Yamada, Y. Nakajima, K. Sato, K. Hamaya, and Y. Fujiwara:
    “Red electroluminescence from Eu-doped ZnO embedded in p-GaN/Al2O3/n-ZnO heterostructures,”
    42nd Electronic Materials Symposium,Th1-18、The Kashihara、奈良県橿原市、10月11-13日 (2023).
12. S. Yamazaki, S. Ichikawa, T. Iwaya, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara:
    “Demonstration of Tb-doped AlGaN-based visible light-emitting diodes with high emission wavelength stability,”
    42nd Electronic Materials Symposium,Th4-3、The Kashihara、奈良県橿原市、10月11-13日 (2023).

著書

解説等

1. 石鍋隆宏、工藤幸寛、小村真一、奥村治彦、橋本圭介、山北裕文、藤原康文、浦岡行治、清水貴央、本村玄一、辻博史、薄井武順:
   “情報ディスプレイ技術の研究開発動向,”
   映像情報メディア学会誌77(2023) pp. 199-211.
2. 舘林潤、藤原康文:
   “希土類添加半導体ナノワイヤの結晶成長とデバイス応用,”
   応用物理92(2023) pp. 735-739.

顕彰

1. 山崎舜介（市川修平、岩谷孟学、舘林潤、藤原康文）
   1. 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
   2. 日本材料学会令和4年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会　学生優秀講演賞
   3. “Tb添加AlxGa1-xNを活性層に用いた発光ダイオードの発光特性と電気的特性の評価”
   4. 2023年1月27日
2. 市川修平、塩見圭史、佐々木豊、舘林潤、藤原康文
   1. 第44回（2022年）応用物理学会論文賞（優秀論文賞）
   2. “Eu-doped GaN and InGaN monolithically stacked full-color LEDs with a wide color gamut”
   3. 2023年3月15日
3. T. Iwaya (S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara)
   1. The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) Best Student Award
   2. “Enhanced luminous efficiency of Eu,O-codoped GaN due to luminescent site reconfiguration induced by high-temperature thermal annealing”
   3. 2023年11月17日